Способ получения рельефных микрорисунков

Авторы патента:

H05K3/06 - удаление токопроводящего материала химическим или электролитическим способом, например фототравлением

G03F7/26 - обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели (G03F 7/12-G03F 7/24 имеют преимущество)

М е вате хи - - -.ф с@Я т.

6 6»« ""ь "

О П И Е

И3ОБРЕТЕ Н ИЯ

К - АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. Н 05k 3! 00

Заявлено 09.1,1970 (¹ 1392075/26-9) с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений

< откоытий

Приоритет

Опубликовано 10.Х11.1973. Бюллетень ¹ 47

Дата опубликования описания 22.11 .1974

УДК 621.3.049.75 (088.8) Авторы изобретения

В. П. Вейко, С. А. Грамм, М. 3. Коган.

Г. А. Котов и М. H. Либенсон

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ

РЕЛЬЕФНЫХ МИКРОРИСУНКОВ на слой фоторезиста требуемое изображение.

Длина волны излучения лежит в области прозрачности фоторезиста.

Во время экспонирования происходит селективное облучение фоторезиста, обеспечивающее его селектпвное растворение, и за счет энергии, выделяющейся по рисунку в подслое, од овременно задубливается засвеченный резпст. Затем растворителем вымывают незаэкс10 понированный фоторезист, и на поверхности материала образуется рельефный рисунок.

Mourí0ñòü луча лазера подбирают так, чтобы не повредить исходный материал. находящийся под фоторезистом.

Способ получеш1я рельефных микрорисунков, заключающийся в селективном экспони20 ровании фоторезиста излучением оптического квантового генератора, термическом задубливанип облученных участков резистивного слоя, отличающийся тем, что, с целью совмещения операций экспонирования и задублива25 нпя, под фоторезист наносят подслой из материала, оптически не прозрачного для излучения оптического квантового генератора, а длину волны излучения выбирают в области прозрачности фоторезиста.

Изобретение относится к электронной технике. Способ может в частности, найти широкое применение в технологии производства полупроводниковых и тонкопленочных интегральных схем.

Известен способ получения рельефных микрорисунков, заключа1ощийся в селективном экспонировании фоторезиста излучением оптического квантового генератора и термическом задубливании облученных участков резистивного слоя.

Для совмещения операций экспонирования и задубливания предлагается нанести под фоторезист подслой из материала, оптически не прозрачного для излучения оптического квантового генератора (ОКГ), а длину волны излучения выбирать в области прозрачности фоторезиста. Это обеспечивает селективный нагрев подслоя и косвенный селективный нагрев фоторезиста, лежащего над ним, а также практически мгновенное термическое задубливание по определенному рисунку.

Предлагаемый способ состоит в следующем.

На материал, в котором необходимо получить требуемый микрорельеф, наносят подслой, не прозрачный для луча ОКГ. Затем, покрыв подслой фоточувствительным слоемвЂ” фоторезистом, производят экспонирование через трафарет импульсом ОКГ, проецирующим

Предмет изобретения

Способ получения рельефных микрорисунков

Способ изготовления криотронных схем // 305832

Патент 302856 // 302856

Способ создания зазоров // 298086

Способ изготовления печатных плат // 293312

Способ изготовления печатных схем // 290494

Способ изготовления фотош.лблонов для многослойных печатных пленочных плат // 280594

Способ нанесения рисунка печатной схемы // 277897

Способ изготовления печатных схем // 273867

Способ изготовления трафаретов // 272407

Патент 302856 // 302856

Способ изготовления офсетных печатных форм для печати документации // 201029

Способ изготовления рельефной формы // 127266

Способ изготовления автотипных цинковых клише без ручной корректуры // 82372

Способ печатания с форм с увлажняемыми пробелами // 69018

Способ определения глубины залегания модифицированного приповерхностного слоя в полимерной пленке // 2148853

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста // 2148854

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов

Алкилфенилбисацилфосфиноксиды, их смеси, фотополимеризуемая композиция, содержащая их, способ фотополимеризации и субстрат, покрытый этой композицией // 2180667

Способ травления слоя фоторезиста // 2318231

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления

Способ удаления резистивной маски // 2318267

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций

Способ допроявления фоторезиста, нанесенного на пьезоэлектрическую подложку // 2401321

Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)