Непроволочный резистор

 

"тт Рт С А Н И Е 31I295

ЗОБРЕТЕН ИЯ

АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ имое от авт. свидетельства .i-— леяо 03.111.1970 (№ 1406970/26-9) 41.1IK, Н Olc 00 соед шепнем заявки №вЂ”

Комитет ло делам изооретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Приоритет—

Опублпкова но 09.Ъ 111.1971. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 11.Х.1971

УДК 621.316.86 (088.8) Автор изобретения

Б. А. Бочкарев

Заявитель

ПОСТОЯННЫЙ НЕПРОВОЛОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение может быть использовано в устройствах электронной техники, имеющих различное назначение.

Известен постоянный непроволочный резистор с проводящим слоем из резистивного материала, нанесенным на диэлектрическое основание.

Для улучшения электрических характеристик и повышения надежности на диэлектрическое основание предлагаемого резистора наносится подслой из проводящего материала с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).

На фиг. 1 показан предлагаемый резистор цилиндрической конструкции; на фиг. 2 — то же, другой вариант.

У предлагаемого резистора основание 1, на которое наносится тонкий слой 2 углерода, металлического сплава, окислов или какого-либо другого резистивного вещества, выполнено из проводящего электрический ток материала, обладающего большим отрицательным ТКС.

Подобно обычным тонкослойным постоянным резисторам с цилиндрическим основанием электрический контакт с резистивным слоем устанавливается при помощи металлически. . колпачков,3, напрессованных на основание, поверх слоя 2. Для удобства слабое место на резистивном слое представлено локальным утоньii.снисм его, ооразованным царапиной в виде кольцевой канавки 4.

Величина электропроводности всего основания 1, заключенного между контактными колпачками 8, подобрана таким образом, что при нахождении резистора под номинальной электрической нагрузкой, ею можно пренебречь по сравнению с величиной проводимости самого рсзистивного слоя 2, заключенного между те10 ми же контактными колпачками.

Участок основания, непосредственно прилегающий и дефектному месту резистивного слоя, прп некоторых условиях может обладать большой всличи ной электропроводности. Сильный

)ä разогрев дефектного места резистивного слоя вследствие повышенного его электрического сопротивления по сравнению с остальным слоем автоматически уменьшает сопротивление указанного участка основания на значительную

20 величину, благодаря большому его отрицательном . ТКС.

При соответствующим образом подобранной величине отрицательного ТКС материала основания можно получить такое электрическое

25 и унтирование дефекта резистивного слоя, когорое приостановит его дальнейшее разрушение. Путь электрического тока, протекающего по образовавшемуся шунту, показан стрелкой на фиг. 1.

3р Рассмотренный механизм автоматического

311295

П,р е д м е т и 3 о б р е т е н и я

Фиг 7

Фиг 2

Со=гавитсль И. Герасимова

Техрсд Л. В. Куклина

Рсдактоо Т. Иванова

Корректор Л. Б. Бадылама

Заказ 5525 Изд, № 1063 Тираж 473 Подпнсно..

ЦНИ11ПИ Комитета ио делам изоорстеипй и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушокан наб., д. 4/5

Оо facTtrnjt i:t oiрафин 1 остромскосо yripat31pllltsl il() и "4ати электрического шунтирования слабых мест резистивного слоя уменьшающимся электрическим сопротивлением соответствующих мест самого основания, несущего этот слой, полностью сохраняется также в случае, когда бла- 5 годаря нарезке спиральной изолирующей казнавки резистивный слой приобретает вид спиральной ленты, расположенной на боковой поверхности цилиндрического основа пня 1.

Благодаря теплопроводн ости основания его 10 нагрев, вызываемый перепревом дефектного места 4 резистивного слоя 2, локализуется в обла сти, простирающейся HB небольшую глубину основания 1. Это увеличивает электропрово дность основания только в тонком слое, 15 непосредственно примыкающем к дефектному месту резистпвного слоя.

Таким образом, большая часть объема основания 1 практически не участвует в механизме автоматического электрического шунтирования 20 дефектных участков резистивного слоя. В связи с этим .предлагается второй вариант устройства,резистора (см, фиг. 2).

Согласно второму варианту основание, на которое наносится,резистивный слой, изготав- 25 ливается из двух материалов. Наружный слой

5, непосредственно соприкасающийся с резистивным рабочим слоем 2, выполняется из проводящего электрический ток материала, отличительной особенностью которого является наличие у него отрицательного ТКС. Для остальной (внутренней) части основания используется какой-либо обычный изоляционный материал (керамика, стекло и др.).

Для предлагаемого, резистора могут быть использованы любые известные конструкции непроволочных резисторов как с цилиндрической, так и с плоской геометрической формой основания.

Постоянный непроволочный резистор с проводящим слоем из резистивного материала, нанесенным на д11электрическое основание, от гича7ощиася тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения на дежности, на диэлектричеакое основание нанесен подслой из проводящего материала с отрицательным ТКС.