Всегооюзная^^'-ii''(^^-:lm^mi?'ie;jiiotffi'a

 

О П И С А Н И Е 3477О!

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 03.V111.1970 (№ 1467937/26-25) М. Кл. G 01г 31/26 с присоединением заявки ¹

Комитет по делам

Приоритет

Опубликовано 10.Vill.1972. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 28.VIII.1972 изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 620.1(088.8) Авторы изобретения

А. К. Гриценко и E. М, Глух

Заявитель

СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники и предназначено для контроля управляемых полупроводниковых приборов.

При испытаниях силовых тиристоров по известному способу применяют мостовые схемы с одним или несколькими параллельными тиристорами в каждом плече, при этом за отказ принимают выход тиристора из строя (пробой) .

Недостатком известного способа является выход из строя годных тиристоров при отказах потенциально-ненадежных приборов в результате того, что в момент повреждения или нарушения работоспособности потенциальноненадежных приборов через испытуемые тиристоры протекают большие токи, приводящие к термическим перегрузкам и преждевременному старению приборов или к их полному пробою.

Цель изобретения — исключение влияния на испытуемые тиристоры аварийных токов, возникающих при коротком замыкании в момент пробоя или самопроизвольного переключения потенциально-ненадежных приборов.

Цель достигается тем, что последовательно с испытуемыми тиристорами в каждом плечо т-фазного преобразователя дополнительно включают вспомогательные тиристоры с большими значениями токов и напряжений и с повышенной устойчивостью к du/dt и di/dt, а в качестве критерия отказов потенциально-ненадежных тиристоров принимают потерю их управляющей способности.

На чертеже представлена функциональная схема возможного варианта выполнения одного из преобразователей испытательной установки, позволяющей реализовать предлагаемый способ.

10 Установка представляет собой трехфазный мостовой инвертор с двумя группами тиристоров: испытуемых тиристоров 1, 2 и вспомогательных тиристоров 8, 4.

Контроль потенциально-ненадежных тири15 сторов осуществляется с помощью осциллографа 5, попеременно подключаемого к каждому из тиристоров. По частичному или полному исчезновешио иа осциллограмме напряжения прямого участка устанавливают случаи

20 отказа приборов.

Если испытуемый тиристор, работая в трехфазном инверторе, теряет свою управляющу|о способность вследствие превышения критического значения du/dt в момент коммутации, на

25 вспомогательном тиристоре в этот момент появляются дополнительный скачок напряжения и повышенное значение du/dt. Несмотря на частичную потерю управляющей способности испытуемый тиристор не выходит из

30 строя, поскольку протекающий через него ток

347701

Предмет изобретения

Составитель 3. Челнокова

Техред Л. Богданова Корректор С. Сатагулова

Редактор И. Орлова

Заказ 2640/4 Изд. М 1108 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4,5

Типография, пр. Сапунова, 2 не увеличивается: этому препятствует вспомогательный тиристор.

Способ испытания силовых тиристоров путем фиксации отказов, отличающийся тем, что, с целью исключения влияния на испытуемые тиристоры аварийных токов, возникающих при коротком замыкании в момент пробоя или самопроизвольного переключения потенциально-ненадежных приборов, последовательно с испытуемыми в каждое плечо m-фазного преобразователя дополнительно включают вспомогательные тиристоры с большими значениями токов и напряжений и с повышенной устойчивостью к du/dt и di/dt; в качестве критерия отказов потенциально-ненадежных тиристоров принимают потерю их управляю10 щей способности.

Всегооюзная^^-ii(^^-:lm^mi?ie;jiiotffia Всегооюзная^^-ii(^^-:lm^mi?ie;jiiotffia 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх