Устройство для выращивания монокристаллов

 

Союз Советсиин

Социалистичаскин

Республик (11)359884 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено22.06.73. (21) 1676425/23-26 (5)) М, Кл. с присоединением заявки Жа (23) 11риоритет

{43) Опубликовано25.12,76.Бюллетень №47 (45) Дата опубликоваийя описания10.03.77

В 01 Х 17/06

Гасударственный намнтет

Саивта Мнннстрав СССР аа делам нзобретеннй и аткрытнй (53) УPR 669,064-1 Уф (088.8) (72) Авторы изобретения H. N. Кисиль, Н. И. Крвйнюков и М. М. Черник (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДДЯ ВЫРАЩИВАНИЯ

ХОНОКРИСТААПОВ

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано в электронной и хи мической промышленности.

Известно устройство для выращивания монокристаллов, содер>кащее горизонталь», ную ампулу с исходныл веществом, камеру ,кристаллизации и камеру плавления, разде ленные между собой вертикальной диафрагмой с отверстием для прохода ампулы. Та-, о кое устройство не позволяет выращивать монокристаллы высокого качества из-за возникающего конвективного потока газа, омывающего ампулу с большой скоростью вследствие незначительной разницы дна- у метров отверстия диафрагмы и ампулы, что . изменяет температурный фронт кристаллизации и приводит к ухудшению качества кристаллов.

С целью повышения качества выращи .. аО ваемых кристаллов в предлагаемом устрой-, стве отверстие для прохода ампулы смещен ио вниз относительно центра диафрагмы, в верхней части диафрагмы предусмотрено дополнительное отверстие, в нижней части 25

2 камеры плавления перед диафрагмой установлен полукольцевой нагреватель, причем плошадь дополнительного, отверстия не мень-! ше плошади поперечного сечения ампулы, а плошадь отверстия для прохода ампулы пе ,менее чем в два раза превышает плошадь пои перечного сечения ампулы.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, продольный:,разрез; на фиг,2.разрез по А-А на фиг. l.

Устройство для выращивания монокрис-! таллов состоит из жаровой трубы 1, разделенной диафрагмой 2 на две камеры: камеру Э плавления и камеру 4 кристаллизации. Диафрагма имеет отверстие 5 для прохода ампулы 6, смещенное вниз относительно центра диафрагмы, и отверстие 7 для перетока воздуха в верхней части диафрагл ы. Перед диафрагмой в нижней части зоны кристаллизации установлен маломощный высокотемпературный нагреватель 8 в виде полукольца, диаметр которого на 2-3 мм больше диаметра ампулы.

Устройство работает следующим,, образолА

359884.

Через отверстие 7 диафрагмы 2 относительно горячий воздух перетекает из камеры 3 плавления в камеру 4 кристаллизации. минуя боковую поверхность ампулы в зоне кристаллизации. Охлажденный в камере 4 Ь кристаллизации воздух перетекает в камеру

3 плавления через отверстие 5, равномерно омывая торец ампулы. При включении нагревателя 8 поток "холодного" воздуха минует боковую поверхность ампулы в зоне щ кристаллизации, нагревается в камере 3 плавления и опять перетекает в камеру 4 кристаллизации по отверстию 7.

Предлагаемое устройство позволяет улуч15 шить качество кристаллов за счет уменьшения вероятности образования вростков, уменьшения радиальных температурных напряжсний и равномерного распределения примесей по сечению кристалла.

Формула изобретения

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее горизонтальную ампулу с исходным вешеством, камеру кристаллизации и камеру плавления, разделенные между собой вертикальной диафрагмой с отверстием для прохода ампулы, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества выращиваемых кристаллов, отверстие для прохода ампулы смешено вниз относительно центра диафрагмы, в верхней части диафрагмы предусмотрено дополнительное отверстие, в нижней части камеры плавления перед диафрагмой установлен полукольцевой нагреватель, причем плошадь дополнительного отверстия не меньше плошади поперечного сечения ампулы, а площадь отверстия для прохода ампулы не менее чем в два раза превышает плошадь поперечного сечения ампулы.

359884

Составитель Ю. Шульпяков

Редактор Г. Котельский Техреду. левицкая Корректор Н. Бугакова

Заказ 6050/41 Тираж 864 Подписное

0НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, -35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4