Устройство для измерения импульсного теплового

Авторы патента:

В. Б. Бальзовский

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОПИСАНИЕ 38)046

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ссю Ссветсиит

Ссииалистическил

Республнн

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М. Кл. G 01г 31/26

Заявлено 02.Х1,1971 (№ 1711118/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 15Х.1973. L= -.оллете11ь № 21

Дата опубликования описания 25Х11.1973

Рсмитет пс пенсы иассретений и сткрыт11й при Спеете Министрсв

СССР

УДК 621.382.2(088.8) Автор изобретения

В. Б. Бальзовский

Заявитсль,; S.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ИМПУЛЬСНОГО ТЕПЛОВОГО

СОПРОТИВЛEHИЯ IlОЛYPРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть применено для определения параметров полупроводниковых приборов в процессе их разработки и производства.

Известны устройства для из.перения импульсного теплового сопротивления пол уп,>оводниковых диодов, содержащие генератор импульсного греющего тока и измерительную мостовую схему с осциллографом, включенным в ее диагональ.

Недостатком известного устройства является погрешность измерения за счет индуктивного выброса напряжения на измеряемом диоде в момент переключения с греющего тока на измерительный, обусловленного индуктивностыо диода и приводящего к уменьшению напряжения.

Целью изобретения является повышение точности измерений.

Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит дифференцирующую цепь и формировать импульсов напряжения, при этом выход генератора греющего тока через дифференцирующую цепь соединен с формирователем импульсов напряжения, выход,оторого соединен с осциллографом.

На чертеже представлена блок-схема Описываемого устройства.

Устройство состоит из генератора импульсного греющего тока 1, дифференцируюше. цепи 2, формирователя импульсов напряжения

8, рез1.стсpов 4, 5, б, измеряемого диода 7 и осциллографа 8.

Генератор формирует импульс греющего

5 тока, подаваемый на мостовую схему, в трн плеча которой включены резисторы 4, 5, б, а в четвертое плечо вЂ” измеряемый диод 7, 11а

Осциллографе о насл1сдаетс51 Кр;1ВВ51 HBIIp5Iжени>1 на диоде. На выход канала осцилло10 графа, модулирующего луч по яркости, подается импульс гасящего напряжения с амплитудой, необходимой для полного гашения луча, и длительнсстыО, pBBHO:1 или несколько большей длительности индуктивного выброса

15 напряжения. И. пульс гасящего напряжения формируется с помощью формирователя импульсов напряжения 3, работа1ощего в ждущем режиме. Запуск формирователя происходит в момент спада импульса греющего тока

20 с помощью днфференцирующей цепи 2, вход которой соединен с выходом генератора импульсного греющего тока 1. Описываемое устройство может быть применено для измерения импульсного теплового сопротивления

25 1;Олупровсдниковых приборов, имеющих хотя бы один р-1г-пepeход.

Предмет изобретения

Устройстьо для измерения импульсного теп30 лового сопротивления полупроводниковых

381046

Составители 3. Челиоиова

Текред Е. Борисова Корректор С. Сатагулова

Редактор T. Орловская

Заказ 2042Ч4 Изд. М 554 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открптий при Совете Мииистров СССР

Москва, 7К-35, Раушская inc .á., д. 4,5

Типография, пр. Саиуиоиа, 2 диодов, содержащее генератор импульсного греющего тока и измерительную мостовую схему с включенным в ее диагональ осциллографом, отлилающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, оно содержит дифференцирующую цепь и формирователь имг;ульсов напряжения, при этом выход генератора греющего тока через дифференцирующую цепь соединен с формирователем импульсов напряжения, выход которого соединен с

5 осциллографом.

Устройство для измерения импульсного теплового

Похожие патенты:

Асесоюзная // 376735

Устройство для контроля параметров источников // 373665

Всесоюзная // 372521

Устройство для определения времени переходных процессов полупроводниковых приборов // 371536

Устройство для определения нестабильноёшейш'тгл^з^' обратных токов полупроводниковых перехрдсш1блиагй;'•;." \ ^? ^•' !•,"'! 'i ''i // 371535

Устройство для контроля исправности вентилей // 369520

Устройство для измерения удельного тока туннельного диода // 366425

Устройство для определения нестабильности обратных токов переходов полупроводниковых // 366423

Всесоюзная ' // 362263

Устройство измерения статического коэффициента передачи тока транзистора // 356600

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим