Всрсоюзная|д-;"\""'--< lissrji i y.i; лшавторызаявителиинститут общей и неорганической химии им. н. с. курнаковаан ссср и институт электрохимии ан сссрbhb/ihottlka
О П И С А Н И Е 389456 изоьеитиния
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОААУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от азт. свидетельства №
М. Кл. б 01п 23 22
Заявлено 11.1.1972 (№ 1738313/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05.VI1.1973. Бюллетень № 29
Дата опубликования описания 20.XI.I
Гасударственный комитет
Сонета Министров СССР ао делам изобретений и открытий
УДК 621.382(088.8) Авторы изобретения Б. У. Барщевский, Ю. Я. Гуревич, В. А. Мямлин и Г. М. Сафронов
Заявители
Институт общей и неорганической химии им. H. С. Курнакова
АН СССР и Институт электрохимии АН СССР
СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ВКЛЮЧЕНИЙ
В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ДИЭЛЕКТРИКАХ
Изобретение относится к способам определения микрочастиц металла в диэлектриках и полупроводниках.
Известен способ обнаружения микрочастиц металла в полупроводниках и диэлектриках с использованием образца с контактами путем облучения электромагнитным излучением, для которого исследуемый материал прозрачен, и определения по частотной зависимости фототока наличия включений металла.
Недостатками известного способа являются: исследование только тех полупроводников и диэлектриков, которые прозрачны для применяемого электромагнитного излучения; необходимость использования специальных установок и квалифицированного труда для нанесения электродов на образец.
С целью обнаружения малых частиц металла (вплоть до коллоидных, субколлоидных), находящихся на поверхности полупроводника или диэлектрика или в их приповерхностных слоях, независимо от ширины запрещенной . зоны исследуемого образца, используют образцы без контактов, а облучение проводят электромагнитным излучением, для которого исследуемый материал может быть и прозрачным и непрозрачным.
Для исследования образец без изменения формы (допускается полировка поверхности) помещают на отрицательный электрод вакуумной установки. Коллектором фотоэлсктронов является положительный электрод вакуумной установки (анод). На электроды
5 вакуумной установки подается соответствующая разность потенциалов. Работа выхода электрона из металла в вакуум при фотоэлектронной эмиссии отличается от работы выхода электрона из диэлектрика, что позво10 ляет отделять частотные характеристики фотоэмиссионного тока с частиц металла от фотоэмиссионного тока с диэлектрика или полупроводника.
15 Экспериментальная спектральная (частотная или волновая) характеристика тока фотоэлектронной эмиссии с частиц металла, находящихся на поверхности или в приповерхностном слое исследуемого образца, 20 сравнивается с расчетной частотной (волновой) зависимостью фотоэмиссионного тока, получаcìîé по формулам в соответствии с теорией фотоэмиссии из металла в вакуум или из металла в диэлектрик, когда величина
25 диэлектрической проницаемости с частицами металла находится в пределах 1 — 10. Расчет частотной характеристики фотоэмиссионного тока l производится по формуле
389450
Составитель Л. Шварцман
Текред Т. Миронова
Корректоры: С. Сатагулова и Л, Чуркина
Редактор Т. Орловская
Заказ 3005/10 Изд. № 800 Тираж 755 Подписно е
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Ъо — работа выхода фотоэлектрона из металла в вакуум, hv — энергия фотона, вызвавшего эмиссию электрона.
Совпадение экспериментальных данных с расчетной кривой в выбранных единицах указывает на то, что фотоэлектронная эмиссия происходит с частиц данного металла, характеризуемого работой выхода йто.
Предлагаемый способ может быть использован как для прозрачных, так и для непрозрачных образцов, поскольку измеряется ток фотоэмиссии электронов с частиц, находящихся на поверхности материала и в приповерхностных слоях, в вакуум или в атмосферу газов, не взаимодействующих с образцом. В применяемой вакуумной установке исследуемый образец является катодом. При смене исследуемых образцов не требуется замены или изменения электродов внутри вакуумной установки.
Предмет изобретения
Способ обнаружения металлических включений в полупроводниках и диэлектриках путем облучения образца электромагнитным излучением с последующей регистрацией фо10 тотока, по частотной зависимости которого судят о наличии включений, отличающийся тем, что, с целью упрощения и расширения области применения способа, образец помещают в вакуум, подают на него отрицатель15 ное смещение и облучают электромагнитным излучением, вызывающим фотоэлектронную эмиссию с частиц металла на поверхности и в приповерхностном слое исследуемого образца.
