Измерением фотоэлектрического эффекта, например оже-электронов (G01N23/227)
G01N23/227 Измерением фотоэлектрического эффекта, например оже-электронов(27)
Изобретение относится к области спектроскопических измерений и касается способа определения тяжелых металлов в почве. При осуществлении способа исследуемый образец почвы наносят слоем толщиной 5-10 микрон на атомно-гладкую поверхность кристалла меди, отжигают при температуре 150°С в течение 5 минут и помещают в вакуумную камеру с давлением остаточных газов на уровне 10-8 миллибар.
Изобретение относится к области анализа материалов с помощью рентгеновского излучения и может быть использовано для неразрушающего анализа химического состава многокомпонентных материалов и определения энергии связи остовного уровня атома, находящегося в определенном химическом состоянии.
Изобретение относится к устройствам для исследования физико-химических свойств металлов и сплавов, а именно для определения температурной зависимости работы выхода электрона (РВЭ) металлов и сплавов в широкой области температур и составов.
Изобретение относится к методам исследования поверхности твердых тел с использованием электронных пучков и может быть использовано для проведения количественных измерений элементного состава поверхности методами оже-спектроскопии, фотоэлектронной спектроскопии, рентгеновского микроанализа.
Изобретение относится к технике исследования физических свойств приповерхностного слоя твердых тел (ТТ) и может использоваться при измерениях плотности уровней электронов вблизи поверхности Ферми и работы их выхода из ТТ.
Изобретение относится к области анализа элементного состава оксидных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и предназначено для установления содержания кислорода с помощью физических методов . .
Изобретение относится к способам определения химического состояния поверхности твердых тел и может быть использовано в физико-аналитическом пш оорзстооении, а также для исследованмй I, контооля в полупроводниковой техника , металловедении и ядерной физике.
Изобретение относится к физическим методам анализа материалов электронной техники и может применяться для анализа тонких пленок методом Оже-спектроскопии Цель изобретения - повышение разрешения по глубине Для этого исследуемый образец облучают электронами с энергией 10-15 кэВ и одновременно со спектром Ожеэлектронов регистрируют характеристическое рентгеновское излучение исследуемого образца .
Изобретение относится к физическим методам исследования поверхностей твердых тел, покрытых адсорбированными пленками. .
Изобретение относится к измерению и контролю электрофизических параметров материалов электронной техники, в частности контролю химического состава твердых тел как на его поверхности, так и в глубинных слоях.
Изобретение относится к области физических методов исследования поверхности твердых тел и может использоваться для определения доли графитовой фазы в адсорбированной на металле углеродной пленке. .
Изобретение относится к электронной оже-спектроскопии и может быть использовано при исследовании инструментальных сталей и их сплавов. .
Изобретение относится к электронно-зондовому микроанализу твердых тел. .
Изобретение относится к аппаратуре для физических исследований твердых тел методами вторичной эмиссии и может применяться для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной эмиссии. .
Изобретение относится к области энергетического анализа заряженных частиц. .
Изобретение относится к физичес КИМ методам исследования состава.материалов , а более конкретно к способам анализа твердых тел методом электронной оже-спектроскопии. .
Изобретение относится к геологии и предназначено для минералогии. .