Патент ссср 401940

 

"- г

940

О П И С А Н-И- Е."

ИЗОБРЕТЕ Н И Я

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.1V 1972 (№ 1772080/26-25) М. 1 л. 6 01г 31 26 с присоединением заявки №

Гасударственный камитет

Савета Министрав СССР пе делам изобретений и аткрытий

Приоритет

Опубликовано 12.Х.1973. Бюллетень ¹ 41

Дата опубликования описания 18.11.1974

УДК 621.382.2(088.8) Авторы изобретения

Я. К. Киршнер, В. И. Косауров и В. В, Терпигорьев

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть применено для измерения параметров полупроводниковых приборов.

Известны устройства для измерения пробивных напряжений полупроводниковых приборов по величине обратного тока перехода, содержащие высоковольтный источник питания, накопительный конденсатор, параллельно которому подсоединен индикатор, токосъемный резистор, включенный последовательно с испытуемым прибором, компаратор, сравнивающий падение напряжения на этом резисторе с опорным напряжением, и последовательный ключевой регулирующий элемент, управляющий величиной напряжения на накопительном конденсаторе.

Известное устройство имеет следующие недостатки.

Во-первых, регистрация тока, соответствующего пробивному напряжению, с помощь1о компаратора, подключенного к токосъемному резистору, не обеспечивает достаточной точности измерения ввиду малой величины этого тока и ограничений, налагаемых на величину последовательного резистора техническими условиями на конкретные типы транзисторов.

Во-вторых, при испытаниях полупроводниковых приборов возможно разрушение перехода вследствие большой выделяемой мощности.

В-третьих, прп заряде интегрирующего конденсатора через сопротивление необходимо

5 обеспечить превышение напряжения высоковольтного источника над максимальным значением пробивного напряжения в два раза и больше, что усложняет конструкцию источника питания.

10 Целью изобретения является повышение точности измерений и исключение разрушения испытуемого прибора.

Поставленная цель достигается тем, что источник питания подключен к накопитель15 ному конденсатору через схему линеаризации. Общая точка конденсатора и схемы линеаризации соединена через операционный усилитель с компаратором. Выход компаратора соединен с входами ключа и схемы за20 держки, выход схемы задержки через ключ соединен с накопительным конденсатором.

Блок-схема описываемого устройства представлена на чертеже.

Устройство содержит клеммы 1 и 2 для

25 подключения испытуемого полупроводпикового прибора 3, накопительный конденсатор 4 и подключенный параллельно ему индикатор 5 (пиковый вольтметр), высоковольтный источник питания 6, подключенный I пако30 пительному конденсатору через схему линеа401940

Предмет изобретения

Составитель 3. Челнокова

Редактор T. Орловская Техред Л. Грачева Корректор Н. Учакина

Заказ 274/14 Изд. М 92 Тираж 755 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ризации 7, операционный усилитель 8, компаратор 9, ключ 10 и схему задержки 11.

Операционный усилитель 8 состоит из усилителя 12 с большим коэффициентом усиления, резистора обратной связи 13 и входного резистора, причем в качестве последнего используется испытуемый прибор 3.

Пробивные напряжения измеряют следующим образом.

При подаче команды на измерение накопительный конденсатор 4 заряжается от источника питания 6, причем схема линеаризации

7 обеспечивает нарастание напряжения на этом конденсаторе по линейному закону во всем диапазоне значений измеряемых пробивных напряжений. При этом ключ 10 заперт, так как выходное напряжение компаратор а 9 р а в но нулю.

С ростом напряжения на конденсаторе 4 растет ток через испытуемый прибор 3. Цепь прохождения этого тока следующая: конденсатор 4 — испытуемый прибор 3 — корпус, так как падение напряжения на входе усилителя 12 можно считать равным нулю. По резистору обратной связи 13 протекает ток, равный по величине току через испытуемый прибор, поэтому выходное напряжение операционного усилителя 8, равное падению напряжения на резисторе обратной связи, можно выбрать достаточно большим и тем самым добиться четкой дискриминации схемы по току испытуемого перехода.

При достижении током перехода заданного значения срабатывает компаратор 9, открывается ключ 10, который закорачивает конденсатор 4, напряжение на последнем и соответственно ток через испытуемый прибор падают до нуля, компаратор возвращается в исходное состояние. Однако ключ 10 останется открытым еще некоторое время, определяемое схемой задержки. Затем ключ закрывается и снова начинается процесс заряда конденсатора. Таким образом, на конден10 саторе 4 будут наблюдаться импульсы треугольной формы с заданной скважностью, амплитуда которых равна пробивному напряжению перехода. Благодаря этому выделяемая на испытуемом переходе мощность доl5 статочно мала, что исключает тепловой пробой полупроводникового прибора.

20 Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов, например напряжения пробоя, содержащее источник питания, накопительный конденсатор, компаратор и индикатор, отлича ощееся тем, что, с целью

25 повышения точности измерений и исключения возможности разрушения испытуемого прибора, источник питания подключен к накопительному конденсатору через схему линеаризации, общая точка конденсатора и схе30 мы липеаризации соединена через операционный усилитель с компаратором, выход которого соединен с входами ключа и схемы задержки, выход схемы задержки через ключ соединен с накопительным конденсатором.

Патент ссср 401940 Патент ссср 401940 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх