Способ измерения абсолютной мощности излучающих диодов

 

ОП ИСАЙКЕ

И ЗОБ РЕТЕ Н ИЯ

409I56

Союз Советских

Социалистических

Республик.)а><5! I(I I >1(() Г 1., . E.li! I;t(T(>Л!>СТ)><1,>> .;<5!!!г!с:!o 111.!V.1ь72 (№ 1771802!2()-25)

<. li.f!IlC()L> jlIIlCi!ÏCÌ ЗаЯВКИ ¹â€”

Пр!Горитет—

М. Кл. 6 0!г 31/26

1осударстееииый комитет

Совета Министров СССР оо да))ам изобретений и открытий

С)1!уб.

i (Дата опубликования описания 17.1Ъ .1974

УД 1(621.382.2(688.8) Авторы изобретения

В. И. Лескович и 10. H. Николаев

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ АБСОЛЮТНОЙ МОЩНОСТИ

ИЗЛУЧА1ОЩИХ ДИОДОВ

И 300pCTCIIII0 OTIIOCI)TC5! )< Oб ч!)С и в()й эле1<троте. инки и )ILTpoлОГии.

Известен способ измерения абсолютной мощности излучения светодиодов и лазериы.;

ДИОДОВ, OCIIOI>HJIIII>III Иа РСГII(ТРЗЦИИ IIO;j),OÄIIмОЙ э. !< 11

)МОИ(ИОСТ!> !!3:I), >ICIII!5! И.>ЧЫЕJ!5!!O Г <>1;IJI6()oi»d!I-! ! >! !> (J) 0 Ò 0 I I J!!! (<1 I I I l I< O 5! I! i f O К J И >1 )< кривым Оиредс ля, от л!Огциост!. иадакицегÎ II(I фотоирисмиик излучения.

Однако известный сII(7c()o имеет малую точI I 0< ТЬ ИЗМС J)E II II 5) rl <)CO;I IOТ!)Ой )<ИОСТll f!3 )IA I(.lIIIH !и обусловлс!Io )!Огреи5иос!як!и калиброиIII)I!<а, раз l» JI!«5I сиектральIll>I X . . ÊÒÅ() II(ТИК f3. !) >! I) IOil1(: и, <ИОД.! И (()Отollðèå÷! II!ê(I и т.;1, ЦС il> И IO()P(. 1(11115I — X В< Л;!Ч(.II!I(.! О>i)IOL 1 И

l!:1 >»1 < P (! I I I 5f )I < ) E и, I I() T f f (i l! >) () и (и 0(1 ! и зл 1 151!О и (и ." диодов.

J ((. . I h;jOCТИГ<1С С)i ТС)! > Ч !О I IO Ир< дЛ !! Гае))of>!X>

<и!Особу из))5(.ря!от Ilo;j!Io.j)DIó Io к диоду электричс>скую )<о!цность и его температуру 1)p)I прямом ток(., затем изменяют полярность подвод,t .Iîãо к диоду тока иа обратную, изыеРЯИТ ÏO;ji50;jtI)EI), IO и;<ИО 1,» .>10ЩИОСТЬ, )I P!1 КОторой дllo;j jo«TII!а T той же температуры, и !

l(i j);I: и()".J II .>;OlllliE)<."I L Ii ири !Ip5!3!0) X I<) <,i(i. I! IOE ГI> fl3ËÌ× «II I!5!. (1 р (д м е т 1! з О б р е т е ll )151 (. !ии Об:! имереtlII5) аосолютиой мо!циости из.l) Ii! loll!!i <;< Iloдов иутегм измерения подводили)! к д!!Оду эл<ч три)(ской )101)jlloc и TE.м),с ратуры Iðli прямом токе, от.!ича!о!!1«й(f т«1, Г!о, с ),елью увеличения точности изсмерсIIII5I, переключают полярность тока иа обрат)1> IO, i!3)! - Р51 ЮТ IIOif)50,jil)! > 10 )< ДИОД ЭЛС КТР! I!

< ск) ю io)ljI!()OTb, llpl! которой диод достигает тoll кс темиер; туры, l llo разности A)ol!j!Ioc

20 !! J)11 Ifp)I >II(UI I I ()брати о >! тока. : ипр<)дел я10

;J <>CО;! !ОТ! 1, !И <>!И!<),И<>С J li ИЗ >)У>!СИИ)!.

Способ измерения абсолютной мощности излучающих диодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх