Способ измерения толщины слоев полупроводниковых материалов
О П И А Н И Е ()4467М
ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ
Союз Советскии Юоциалистииесних
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено25 е09 ° 72 (21)Т830б57/252 (ц) Кл, с присоединением заявки—
0 ОИ П/06
Госудерстеенный комитет
Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (32) Приоритет—
ОпубликованоБ.|О ф74Бюллетень № 38 (53) Удк 53 .717. ,I (088 8) дата опубликования описания25е?О«74 (72) Авторы
E.А. Глушков, А.М. Раскевич и Т.Д. Pac 8Bi%
Завод чистых металлов (71) Заявитель (54)1 СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Изобретение относится к области измерения параметров полупроводниковых материалов и может быть .использовано при производстве полупроводниковых приборов.
Известен способ измерения тплщины слоев полупроводниковых материалов интерференционным методом, который заключается в просвечивании слоя, нанесенного на подложку, светом, HGIIpBBJIGHHhlM перпендикулярно к поверхности слоя, и спектрофотометрическом исследовании интерферирующих отраженных лучей, по результатам которого определяют толщину слоя.
Однако нй один из существующих до настоящего времени методов не позволял измерять толщину. слоев, если химический состав проводимости и концентрация носителей тока в них мала отличается от соответствующих величин в материале подложки.
Для измерения толщины слоев, мало отличающихся по химическому составу, типу проводимости и концентрацйи носителей от материала подложки, предлагается способ, по которому помещают в поляризованный световои поток объект измерения таким образом, чтобы поверхности его слоев былй параллельны направ о лению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.
Описываемый способ прост в зксплуатации и не требует химичеств кой подготовки образцов.
Принципиальная схема измерения по предложенному способу показана на чертеже.
Свет от источника I проходит
2О через конденсор 2, поляризатор 3, образец 4, анализатор 5, фокусирующую систему 6 и попадает на регистрирующее устрой1ство 7.
ИсследуемыИ образец 4- помещают между скрещенными поляризатором 3
2 2 б T составитель А.САДИК
Редактор С .ХОЙфИЦ ТекРед Н .СЕНИНа
Заказ М Изд. ц fQ Тираж Qg Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 113035, Раушская наб., 4
Предприятие аПатеитэ, Москва, Г-б9, Бережковская иаб., 24
44 и анализатором 5 так, чтобы. плоскость, разделяющая слои (она параллельна поверхности слоя), была параллельна световому потоку. Учас»
:тки образца (слоИ и подложка) из-за различных внутренних напряжениИ буут иметь различную яркость при налюдении их за анализатором 5. (Разница внутренних напряжений в слое и подложке обусловлена различ- ными условиями получения слоя и подложки). Поворотом образца вокруг оптическоИ оси системы выбирается положение, в котором границы между слоями найболее резкие. Толщина слоев измеряется с помощью окулярного винтового микрометра или с помоцью другого оптического прибора, толщину слоев полупроводниковых материалов описанным способом
6МЗ можно измерять поляризационййми
:микроскопами.
ПРЕДМЕТ ИЬОЯРЕТЕНИЯ
s Способ измерения толщййй слоев полупроводниковых материалов, обладающих двойным лучепреломлением, при котором объект измерения поме, щают в световой поток, о т л и1о ч а ю щ и И с я тем, что, с целью измерения толщины слоев, малоотличающихся по химическому составу, .типу проводимости и концентраций, носителей от материала подложки, 1s помещают в поляризованныИ световоИ поток объект измерения таким образом, чтобы поверхности его слоев были параллельны направлению потока, и по выявленноИ границе разде20 ла между слоями определяют их толщину.
