Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов

 

11) 490047

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.03.71 (21) 1638572/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.10.75. Бюллетень ¹ 40

Дата опубликования описания 31.03.76 (51) г1. Кл. G 01г 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.382.3 (088.8) пв делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

В А Денисюк и Г Ф Копы q (7!) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО

НЕСТАБИЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к измерениям параметров полупроводниковых приборов, в частности, к определению потенциально нестабильных полупроводниковых приборов и может быть использовано на предприятиях изготовителях.

Известен способ определения поверхностных нестабильностей полупроводниковых диодов и транзисторов путем измерения интенсивности шумов. В известном способе измеряется интенсивность шумов в эксплуатационном режиме и при приложении к прибору обратного напряжения. По отношению результатов измерения судят о потенциальной стабильности приборов.

Недостатком известного способа является невозможность обнаружения объемных дефектов, например микротрещин, неоднородностей материала и ограниченность применения только для испытаний транзисторов и диодов.

Целью изобретения является повышение достоверности и расширение функциональных возможностей измерений.

Цель изобретения достигается тем, что после измерения интенсивности шумов в эксплуатационном режиме пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1,5 — 5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение в установившемся режиме, затем измеряют интенсивность шумов и по отношению результатов двух измерений судят о потенциальнои нестабильности приборов. Длительность импульса выбирается из расчета предельно допустимой мощности, выделяемой в приборе в импульсном режиме.

По относительной величине изменения интенсивности шума определяют потенциальную нестабильность полупроводниковых приборов.

Это удобно характеризовать отношением

10 г г

Л/ .= шк шн шн

;г —,г где Г,. и Г„ — значения интенсивности шума до и после подачи импульса тока.

Измерение интенсивности шумов может производиться любым измерителем спектральной плотности в диапазоне шумов.

Высокая степень достоверности определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов обуславливается тем, что при прохождении импульса тока через прибор проявляется ловушечпый механизм рекомбинации избыточных носителей, приводящих к изменению интенсивности шумов.

Предмет изобретения

Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов путем

30 измерения интенсивности шумов, например, в

390047

Состаш1тслв В. Немцев

Ь;орректор Л. Орлова

Тскред Е. Подурушнна

Редактор В, Булдаков

Заказ 44216 Изд. ¹ 2019 Тира>к 902 Подписное

ЦИИИГ1И Государственного комитета Совета Минисгрог, СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )1(-35, Раушская наб., д. 4,:5

Типография, пр. Сапунова, 2 эl.сп.з атационнoм рея:име, О т 7 11 ч .". 1О 1п и йс я тем, что, с цель1О повышсння достов.".р1юс . 1!» р и с ш и р е и и я 111 и кп и О и а л ь н ы х в 0 3 м О )кпостсй, после указанного пзмеренпя прои гскают через испытуемый прибор из1пу.7ьс тока в

1,5 — 5 раз превышающий по азгпл11туле прсле..пкю 7опустимос значе;ше в установивв|е., ся реокнмс, затем измеряют интенсивность ш,,loI. и по превышепи:о результата второго измерен я над первым, например, более чем в два раза, выявляют потенциально нестабильные приборы.