Магнитный запоминающий элемент
(61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) ЗаЯвлено 09.09.74 (21) 2057955У24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.07.76.Бюллетень №25 (45) Дата опубликования описания 23.10.76 (51) М. Кл, G11 С ll/18
Гпсудсрстаиииый анита
69ввта Иинктрм ИР
Il9 JlgllRM N395)878B N н стнрьпий (53) УДК 681.325.66 (088.8) (72) Автор изобоетения
А. О Тимофеев
Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В. И УльянОВа (Ленина) (71) За.явитель (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЗЛЕМЕНТ лая помехозащищенность.
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использс»вано для построения ЗУ с черазрушающим считыванием информации.
Известны магнитные запоминающие элементы, содержащие пла.стяну из ферромагнитного материала с ППГ с отверстиями прошитыми управляющими обмотками I l, 2).
Один из известных запоминающих элемен- рр тов содержит пластину из материала с ППГ с четырьмя отверстиями, прошитыми обмоткамч считыванит, записи и выходной (1).
Недостатком этого элемента является маНаиболее близким техническим решение»л к изобретению являетсп запоминающий элемент, который содержит, как и предложе».— ный, пластину из ферром гнитпогО материQJIQ c HINDI с шестью отверстиями располо женными симметрично относительно одной из осей "inc=òèïû,. и управляющие обмотки (2). Считывани= информации в таком элементе сопровождается ее разрушением.
Целью изобретения является расширение области прил енения запоминающего элемента.
Поставленная цель достигается путем того, что в магнитном запоминающем эле .с-.нте, содержащем пластину из леттериала с
ППГ с шестью отверстиял и, расположенными симметрично относительно одиой из осей пластины, числовая обмотка считывания прошита через первое ч шестое отверстия в противоположных направлениях, числовая обмотка записи — считывания лрошита через второе и пятое отверстия и противо»»сложных направлениях, а разрядпая обмотка прошита через третье и четвертое отверстия в противоположных направлениях. Такое выполнение обмотки позволяет получить эффект неразрушающего считывания ипфорл1ации, На фиг. 1 изображен магнитный з»; ола::-нающий элемент; на фиг. 2а, 2б, 2 — ис..— пользуемые магнитные состояния пластинь,, на фиг. За, Зб — графы неразрушающего считывания и записи, а на фиг. 4 — матрица л»агнитных запоминающих элементов. 520621
4, Запись информации выполняетси по графу фиге Збе
И первом такте подают одновременно в обмотку 13 ток Iг и в последовательно соединенные обмотки 14 и 15 ток 3 .,. Происходит стирание информации, так как эл мент переходит в состояние "0" (фиг. 2а)
Во втором такте подают в обмотку 14 ток записи 1„, и в случае записи "0" в ра рядную обмотку 13 ток 1> перекрывающий по времени и по амплитуде ток 1, gl этом случае элементостаетсявсостояйии
О». В случае когда- ток 1 не подается, перемагничивается перемычка 8 и.элемент переходит в состояние "П" (фиг. 2в). В третьем такте подают ток I>, осуществля ющий перевод элемента нз состояния П" состояние "1" (фиг. 2б).
Компановка матрицы запоминающего ус войства емкостью 2 4-разрядных числа иэ предложенных магнитных запоминающих эле ( ментов показана на фиг. 4. При этом обмотн кн 14 и 15 используются в качестве числовых, а обмотка 13 - в качестве выходной и разрядной обмотки записи.
Сравнительные испытания данного магни » ного запоминающего элемента с известным показали, что он может быть. исполь;зован для построения ЗУ с неразрушающи считы-, ванием информации. ящиитиый запоминающий элемент содержит пластицу 1 иэ ферромагнитного матери Ф ала ППГ о шестью отверстиями 2-7, распо ложениыми симметрично относительно верт - кальной оси пластины, Отверстии выделены одно от другого перемычками 8-12. Шири на перемычки 8 между третьим 2 и четве тым Э отверстиями влияет на уровень вы.ходного сигнала и на размеры элемента.
Ширина перемычки 11 (12) между первым 6 (шестым 7) и вторым 4 (пят Ь 5) отверстиями должна быть такой, чтобы длина . ° " т ьфгнитного контура вокруг этой перемычк Й отверни, б (.7) была больше длины маг - нитного койтнера вокруг отверстий 2(3) и
4 (5), Через третье и четвертое отверст и 3 прошита в противоположных направл+, ниях разрядная обмотка 13, через второе и пятое отверстия 4 и 5 прошита в противо- положных направлениях числовая обмотка записи - считывания 14,.через первое и шестое отверстия 6 и 7-прошита в противопо ложных НапраапеНМах числовая обмотка считывании 15,, 2S
Используемые магнитные состояния эле- мента показаны,посредством стрелочной мо дели на фиг. 2а (состояние "0"), на фиг.
26 (состояние "1») и на фиг. 2в (промежу точное состояние "П"). .!, Нераэрушающее считывание информации осуществляется в соответствии с графом фиг, За. В первом такте в последовательное соединенные обмотки считывания 15 и ! записи - считывания 14 подают импульс тока считывания I> . Если элемент находится в состоянии 0 (фиг. 2a), то в пе-, ремычках 11 12 происходит только упру-
;гое изменение потока и в разрядной обмот». ке 13 возникает иМпульс напряжения 0 U . Если элемент находится в состоя нии «1 (фиг. 2б), то часть потока перемы- чек 11, 12 изменяет своеъаправленне„пркращенне потока замыкается по кратчайшему пути через перемычку 8 и элемент перехо-;
1 дит в промежуточное состояние "Il" (фиг.
2в), а в разрядной обмотке 13 возникает импульс напряжения 1; Ц1, больший по амплитуде и длительности импульса ы
Во втором такте в разряднунз обмотку 13 подается импульс тока I, . Процессы перемагннчивапия происходят аналогично перво му такту; состояние "0" не изменяется, а ) состояние П«изменяется на состояпне "1"..
««
° „„,Ы
Формула изобретения
Магнитный запоминающий элемент, содержащий пластину из ферромагнитного матери-! ала с прямоугольной петлей .гнстерезиса; с. шестью отверстиями, расположенными симметрично относительно одной иэ осей плао- .тины, и управляющие обмотки, о т л н ч а- ю щ н и с я тем, что, с целью расширенщ области применения, числовая обмотка счи- тывания прошита через первое и шестое оч» верстия в противоположных направлениях, числовая обмотка записи - считывания и шита через второе и пятое отверстия в и тивоположных направлениях, а разрядная мотка прошита через третье и четвертое отт ерстня в противоположных направлениях.
Источники информации, принятые во внимание прн экспертизе:
1. В.В. Барднж "Магнитные элементы ЦВМ", нзд-во "Энергия", 1974 r.. стр. 358.
2. Патент США % 3360787 кл. 34Q-174, (от 26. 12.67.
520621
rs
rJ
Фиг.7а
Составитель Ю. Розенталь
Редактор Л. Утехина Техред О. Луговая Корректор g. абурка
Заказ 4636/190 Тираж 723 Подписное
ЦНИИИИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4
