Устройство для контроля падения напряжения на тиристорах

 

ВсюООюв от втокио. ° -, биетттто и„„.

ОПИСАН

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

ЫОЬОО

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.02.74 (21) 1992609/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.03.77. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 07.04.77 (51) М. Кл G 01К 31j26

Государственный комитет

Совета й1нннстров СССР по делам иэобретеннй и открытий (53) УДК 621.382.2 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Д. Шевцов и Г. М. Семенов (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ

ПАДЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ТИРИСТОРАХ

Настоящее изобретение относится к области контроля параметров изделий электронной техники, в частности к измерению параметров управляемых полупроводниковых диодов.

Известно устройство для испытания полупроводниковых вентилей, содержащее накопительную емкость, индуктивность, коммутирующий тиристор, блок управления, диоды и регистрирующие приборы (1).

Данное устройство имеет сложную конструкцию и по этой причине низкую надежность.

Известно устройство для контроля параметров полупроводниковых элементов, содержащее генератор импульсов прямого тока, генератор импульсов управления, схему сравнения.

Вход схемы сравнения подключен к контролируемому прибору, а выход соединен через генератор импульсов управления с переключателем, соединенным с накопительной емкостью и регистрирующим устройством (2).

Однако известное устройство при контроле на нем тиристоров не может обеспечить высокой точности измерений.

Целью настоящего изобретения является повышение точности измерений.

Для достижения поставленной цели вход схемы сравнения соединен с резистором в силовой цепи испытуемого тиристора, а ее выход — с элементом задержки, который подключен к регистрирующему блоку.

Схема описываемого устройства приведена на чертеже. Оно содержит генератор импульсов прямого тока 1 и включенные последовательно с ним испытуемый прибор 2 и резистор (шунт) 3. Параллельно испытуемому прибору

2 через переключатель 4 подключена накопи10 тельная емкость 5, параллельно которой также через контакты переключателя 4, подключено регистрирующее устройство б. Резистор (шунт) в силовой цепи испытуемого прибора подсоединен ко входу схемы сравнения 7, ко15 торая соединена с коммутирующим элементом

8 (например, с обмоткой герконового реле) и со входом схемы задержки 9. Выход схемы задержки подключен ко входу запуска регистрирующего устройства б (например, цифрово20 го вольтметра) .

Устройство для контроля падения напряжения на тиристорах работает следующим образом. Генератор мипульсов 1 формирует нм25 пульс тока, проходящий через испытуемый прибор 2 и резистор 3. При этом амплитуда формируемого импульса тока выбирается больше той, при которой необходимо произвести измерение. Накопительная емкость 5 за30 ряжается через замкнутые контакты переклю550600

Составитель Т. Дозоров

Техред И. Карандащова

Корректор Н. Аук

Редактор Л. Селищева

Заказ 624/17 Изд. ¹ 284 Тираж 1054 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, г,р. Сапунова, 2 чателя 4 и напряжение иа ней в любой момент времени равно падению напряжения на испытуемом приборе 2. По мере увеличения тока через испытуемый прибор 2 и резистор 3 напряжение на последнем также растет и в момент, когда ток в силовой цепи достигнет заданной величины, схема сравнения 7 вырабатывает сигнал, поступающий на переключатель 4, который переключает накопительную емкость от испытуемого прибора к регистрирующему устройству. Ток в силовой цепи может нарастать дальше, однако напряжение иа накопительной емкости будет равно напряжению на испытуемом приборе в момент прохождения через него тока заданной величины. Со второго выхода схемы сравнения сигнал поступает на схему задержки, которая задерживает сигнал запуска регистрирующего блока на время, необходимое для окончания переходного процесса коммутации в устройстве 6.

Формула изобретения

Устройство для контроля падения напряжения на тиристорах, содержащее генератор импульсов прямого тока, генератор импульсов управления с переключателем, соединенным с накопительной емкостью и регистрирующим устройством, отл и ч а ю щееся тем, что, с целью повышения точности измерений, вход схемы сравнения соединен с резистором в силовой цепи испытуемого тиристора, а ее выход — с элементом задержки, который подключен к регистрирующему блоку.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Лвт. свид. СССР № 438950, М. 1хл.

G 01R 31/26, 05.08,74.

2. Обзоры по электронной технике, вып.

15/84, 1969. Э. B. Шашкина «Измерение параметров вольтампериых характеристик и па20 раметров эквивалентной схемы туннельных диодов», с. 8 (прототип) .

Устройство для контроля падения напряжения на тиристорах Устройство для контроля падения напряжения на тиристорах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх