Способ измерения температуры переходов

 

1»1 600481

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Ресотблин (61) Дополнительное к авт. свпд-ьу (22) Заявлено 29.01.75 (21) 2101405/18-25 (51) M. Кл, - G 01R 31, 26 с присоединением заявки №

Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (43) Опубликовано 30.03.78, Бюллетень № 12 (45) Дата опубликования описания 07.04.78 (72) Авторы изобретения

А. А. Березин, М. 3. Парпаров, А. В. Писарский, Г. А. Райхцаум и А. Н. Смирнов

Специальное конструкторское бюро Ордена Ленина физико-технического института им. А. Ф. Иоффе (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ р — и

ПЕРЕХОДОВ

ГосУдарственный комитет (23) Приор ите г

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для испытания тиристоров и измерения их тепловых характеристик в производственных и лабораторных условиях, например, для определения теплового сопротивления.

Известен способ измерения температуры путем предварительной термокалибровки и последующего измерения термочувствительного параметра.

Известен способ измерения температуры

p — n переходов путем пропускания измерительного тока и измерения термочувствительного параметра.

Однако, этот способ не обеспечивает достаточной чувствительности и точности, поскольку все измерения сводятся к измерению амплитуды импульсов. Кроме того, температурная зависимость напряжения не является достаточно резкой.

Целью изобретения является увеличение точности измерений.

Поставленная цель достигается тем, что прямой измерительный ток модулируют переменным и измеряют в качестве термочувствительного параметра дифференциальное сопротивление р — и перехода.

При измерении учитывается температурное изменение не только активных, но и реактивных характеристик управляющего перехода.

Кроме того, температурная зависимость производной вольтамперной характеристики управляющего перехода (т. е. наклона касательной в точке вольтамперной характеристики, 5 которая задается значением измерительного тока более резкая, чем температурная завиC1IAIOCTb L ð и.

На фпг. 1 представлена блок-схема устройства для осуществления предлагаемого спосо10 ба; на фиг. 2 — график изменения наклона касательной в заданной точке вольтамперной характеристики управляющего перехода с увеличением температуры от Т< до Т2 и соответствующего ему изменения разбаланса Мо15 ста от ур до у.

Источник измерительного тока 1 включен в цепь испытуемого управляющего перехода, например, тиристора 2. Управляющий переход включен в одно из плеч дифференциального

20 моста переменного тока, плечи которого составляют переменные резисторы 3 и емкость

4 и резисторы 5 и 6. В одну из диагоналей моста включен источник переменного тока 7.

Прп холодном испытуемом приборе мост ба25 лапспруется до величины разбаланса gp (см. фпг. 2). Активная составляющая дифференциального сопротивления балапспруется с помощью резпстора 3, а реактивная — с помощью емкости 4. Затем после предварительной термокалпбровкп измеряют температуру, которая

Щ0 81

Составитель В. Немцов

Корректоры: Л. Орлова и О. Тюрина

Редактор Н. Коляда

Тсхред Л. Гладкова

Заказ 368/10 Изд. № 335 Тираж 1122

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Типография, пр. Сапунова, 2 пропорциональна изменению дифференциального сопротивления управляющего перехода; величина у зависит от изменения активной и реактивной сол являющих.

Измерения, проведенные таким способом, показали чувствительность не менее 100 мкВ C.

Использование предлагаемого способа по сравнению с известными обеспечивает следующие преимущества. Высокая чувствительность позволяет измерять малые температуры разогрева структуры с большой точностью, что обеспечивает измерения малых величин тепловых сопротивлений тиристоров. Это дает новые возможности при лабораторных исследованиях.

Формула изобретения

Способ измерения температуры р — и переходов путем пропускания измерительного тока и измерения термочувствительного параметра, отл и ч а ю щи и с я тем, что с целью увеличе10 пия точности измерений, прямой измерительный ток модулируют переменным и измеряют в качестве термочувствительного параметра дифференциальное сопротивление р — и перехода.

Способ измерения температуры переходов Способ измерения температуры переходов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх