Контактирующее устройство для контроля динамических параметров микросхем

 

(72) Автори изобретении

B. А. Минченко и Н. И. Жинь (7I ) Заявитель (54) КОНТАКТИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ

ДИНАМИЧЕСКИХ rIAPAMETPOB МИКРОСХЕМ

Изобретение относится к области из= мерительной техники, а именно к зондовому измерительному оборудованию для контроля полупроводниковых приборов и интегральных схем, и, в частности, предназначено для подключения контактных площадок микросхем к измерительной аппаратуре для контроля динамических параметров микросхем в наносекундном ди пазоне.

Известно контактирующее устройство, содержащее основание, плоские пружины и зонды, выполненные с несколькими ко» леиообразными изгибами и расположенные иа плоских пружинах.

Недостатком указанного контактирующего устройства является большая погреш ность контроля динамических параметров, так как зонды представляют собой учась ки неоднородной электрической цепи длиной порядка 50 мм, что приводит к сильным искажениям импульсов с фронтами порядка единиц наносекунд при нрохождеМии их Ilo этим цвпям.

Известно контактирующее устройство, содержащее основание в виде металличеокой платы и консольио закрепленные одним из своих концов пластинчатые зонды, расположенные в углублениях основания и соединенные с основанием с помощью диэлектрических прокладок таким образом, что образуют относительно основания определенный импеданс.

Недостатком такого контактирующего устройства является искажение импульсных сигналов с фронтами порядка одной наносекунды вследствие изменения импеданса . контактирующих зондов за счет деформации их при контактнровании„ что приводит к снижению точности динамических измерений.

С целью повышения точности динамических Измерений в предлагаемом устройстве зонды выполнены в виде диэлектрйческих пластин, одна из боковых поверхностей которых содержит экран, а другая, цо меньшей мере, две печатные, полоски, хаждая из которых соединена с одной сто6861 роны с закре пле н ными в углубле н ии на пластине высокочастотными разъемами, а с другой - через металлизированные отверстия в пластинах с V -образным наконечником, закрепленным в углублении. вне

5 печатных полосок на одном иэ концов пластин.

На чертеже дано предлагаемое устройство и разрез по А-А.

Контактирующее устройство состоит из 10 основания 1, выполненного в виде диэлект рической панели, зондов 2, выполненных в виде диэлектрических пластин, экранных плоскостей 3 и активных печатных полосок 4 полосковых линий передачи, выса 15 кочастотных разъемов 5, V -образных кон.тактирующих наконечников 6, углублений

7 в пластинах зондов (для размещения

Y-образных наконечников), отверстия Q, в пластинах зондов 2 для соединения активных печатных полосок 4 полосковых линий с У-o6paausfM наконечником 6 зон. да 2, скобы 8 для соединения пластин зондов 2 с основанием 1, Устройство работает следующим образом.

Испытательный сигнал наносекундного диапазона от генератора через многоканальный высокочастотный коммутатор вхо»

1 дов (на чертеже не показаны}> один иэ высокочастотных разъемов 5 и одну из печатных полосок 4 полосковых линий зонда 2 поступает на наконечник 6 и соответственно на площадки микросхемы при контактировании. Через другую лечат» З5 ную поноску 4 полосковых линий и другой .высокочастотный разъем 5 наконечник 6 зонда 2 соединен коаксиальным кабелем с согласованным коммутатором нагрузок (кабель и коммутатор на чертеже не показаны).

Одновременно этот же испытательный сигнал подается на один из входов измерителя динамических параметров. Под действием поданного на вход испытательного 45 сигнала микросхема вырабатывает выходной сигнал, который через аналогичный второй зонд, установленный на выходе микросхемы, поступает на второй вход измерителя динамических параметров. На заданных уровнях напряжения входного испытательного сигнала и выходного сит нала микросхемы производится измерение. динамических параметров.

Так как каждый из зондов 2 контак>5 тирующего устройства выполнен в виде диэлектрической пластины> на которой нанесены экраны 3 и две печатные полос07 ки 4, а 7 -образные наконечники 6 соединены своими концами с печатными полосками 4 полосковых линий таким образом, что они вносят минимальные искаже ния (длина наконечника составляет 4-5 мм) в образуемую высокочастотную линию передачи, то на наконечник зонда (и соо ветственно на площадки микросхем при контактировании) подаются (или снимают ся с выходов микросхем) практически беэ искажений испытательные сигналы с широким спектром частот, что повышает точность динамических измерений. Кроме того, при измерении предлагаемым контактирующим устройством, отсутствует составляющая погрешности эа счет деформации зондов при контактировании, так как измерительные каналы зондов обладают постоянным импедансом, не изменяющимся при контактировании с площадками микросхемы.

В предлагаемом контактирующем уст ройстве длина зондов не ограничивается (до определеннЫх пределов) по соображениям вносимых искажений и точности измерений, что важно для выполнения контактирующего устройства, удобного в наладке (миниатюрные контактирующие ус ройства, как показала практика, неудобны в наладке и требуют частой переньладкн)

Кроме того, предлагаемое контактиру ющее устройство позволяет за одно контактирование измерять статические и-динамические параметры микросхем, что соответственно уменьшает время измере нияа

Предлагаемое контактирующее устройство внедряется в зондовых установках для контроля динамических параметров быстродействующих микросхем в диапазоне одной наносекунды и предполагает получение значительного экономического эффекта.

Формула изобретения

Контактирующее устройство для контроля динамических параметров микросхем, содержащее основание с углублениями, в которых расположены зонды, о т л и ч аю ш е е с я тем, что, с целью повыше ния точности измерения, зонды выполнены в виде диэлектрических пластин, одна из боковых поверхностей которых содержит экран, а другая, по меньшей мере, рез металлизированные отверстия с 7 образным наконечником, закрепленным в углублении вне печатных полосок на одном из концов пластин.

686107 лве печатные полоски, каждая нз которых соединена с одной стороны с закрепленными в углублении на пластине высокочастотными разъемами, и с другой - чеЦНИИПИ Заказ 5472/52 Тираж 92Э Подписное филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Контактирующее устройство для контроля динамических параметров микросхем Контактирующее устройство для контроля динамических параметров микросхем Контактирующее устройство для контроля динамических параметров микросхем 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к методам контроля микродефектов и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для контроля слоев прозрачных пленок

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх