Способ изготовления фазовых рэндомизирующих масок

 

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советски«

СОциалиетичаеиий рек ублки

1,703513 ф

Аъ

P,-(5t)h%. Кл.

С 03 С 15/00 (6! ) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 03. 10. 77 (21) 2532028/29-33 с присоединением заявки М—

В«уд«рст«апет кеи«пт

CCCI ае а««ам «зебрете««« N Вант«« (23) Приоритет;

Опубликовано 15. 12,7 9, Бюллетень М 46 (53) УДК666.1.05 (088. 8) Дата опубликования описания 19.12.79 1

Э. В. Щитова, H. А. Генкина; H. Н. Крюкова, А. A. Вербовецкий и В. Б. Федоров (72) Авторы изобретения

Горьковский исследовательский физикогехннческий институт прн Горьковском Государственном университете им. Н. Г. Лобачевского (7l) Заявитель (54) COOCOB ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФАЗОВЫХ

РЭНЙОМИЗИРУЮШИХ МАСОК!

Изобретение относится к области галогрвфии и может бйть использовано в . оптико-механических устройствах с целью повышения качества и плотности эадисн

:информации.

Hseeciea способ получения фазовых . рендомизируюших масок в фоточувствитепьпом слое; нанесенном на стеклянную пластинку, путем засвечиванйя и проявления выполняют рельеф, представ ляющий собой совокуйность равнобедрен ных треугольников с равными высотами,. основания треугольников, располагаются по случайному закону в одной и той же горизонтальной плоскости.

Недостатком этого способа является то, что слой фотоэмульсии облалает, большой поглощвтельной способностью по сравнению со стеклянным споем той же толщины. Из-за поглощения света s фотоэмупьсни интенсивность света с- фа

o.: зовым сдвигом в 180 уменьшается ао сравнению с интенсивностью света с фа- зой 0 почти на 30% tl).

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ изготовления фазовых рэндомизирующих

: масок. Способ заключается в следующем f2).:

На стеклянные пластинки методом

О испарения осаждают слой серебра тошпиной 2000 А . На слой серебра наносят о спой фоторезиств, на котором контактным способом. осуществляют отпечаток изобра10 женин. При появлелии в восстановителе

Фврмера пленка фоторезиста удаляется с неэкспонированных участков. Травление стекла осуществляют в растворе, в которых входят 10 см,45%,НГ н 200см дистиллированной воды, После чего оставшийся спой фотореэиста удаляют.

Недостатком,этого способа является то, что при использовании травителя указанного состава из-за присутствия в стекле окислов с различной скоростью травления на поверхности стекла появляется матовый налет, существенно изменяющий прозрачность маски. Пропусквние масок, полученных описанным спо13 . 4

Пример 2. Попучение масок пу тем использования травнльного раствора, включающего, вес %:

Ht l9 4" 19

НаО 62

Поспедовательность н содержание операций вйлоть до травления идентичны изпо женным в первом примере. Травление дпится бопее продопжитепьйое время,- так»ак умень шается скорость травлениястекла. в тра- витепе этого состава она имеет значение 0,023 мкм/час. Попучейные маски быпи-проэра4йыми, точность воспроизведения гпубиньт сосгавпяла 0,03 мкм.

Пропускание масок 90%, выход готовых . масок 8%.

Пример 3. Травпение и растворе, включающем, вес.%:

32

ЙЙ4 32

НеО 36

Операции, предшествующие травпению, те же, что изпожены в примере 1. Скорость гравпения - 0,32 мкм/час. Точйость воспроизведения гпубины репьефа

+ 0,03 мкм. Пропускание масок 90%, вы ход-готовых масок 8%.

Таким образом, фазовые маски, подученные описываемым способом, имеют пропусканйе на 25-30% вьппе, чем Маски, выпопненные с помощью известного спо-. соба. Bblxog годных образцов, ro есть масок с глубиной репьефв, отли« чаюшейся от заданной на 0,03 мкм, . увепичйвается при использовании способа ,в 2-2,5 разе.

4 ормула изобретения ,Способ изготовпения фвэовьФ рендо- мизирующих масок, вкпючающий очистку . поверхности стекпа, нанесение cnos фото»реэиста попучение"на нем контура репьефа, травпение в растворе, н удапение сдоя фоторезиста, o r n и ч а ю шийся ЮЙ,"что, с цепью повышения качества масок, травпение Йроводят и растворе, со держащем спедующие компоненты, вес.%:

19-32

NH4.Å 1 9-32

Н р Ocraëüíoe, (Источники информации,. принятые во в@имение прй экспертизе . 1. Патент США ¹ 3829193, кл. 350-35, опубпик. 13.08.74.

2.А РОМ OptlGS, Ч 9, № 3, 1970.

"Оье of Rau8om Рйаее МавМ %ог Юж

ЩсогдЬд оХ ЕооНег Ni.aus|огт НоВоргаав о1 Зла leases".

Тираж 556 Подписйое род, ул. Проектная, 4

3 7035 собом, копебпется в предепах or 53 до

65%. Кроме гого, процесс травления ." "трудно "управляем, так "что увепичивается процейт брака, то есть количество масок, nporpaalleHHblx HB lay any, orïè÷aloщуюся от заданной. Выход готовых образцов составляет 4-5%, Цепью изобретения является повышение качества масок.

Это достигается тем, что способ вкМЙчае»т "очистку поверхности стекла, нанесение споя фоторезиста, попучение на нем контура репьефа, травпение в растворе содержвшем спедуюшие компоненты, вес.%:

HF (35%) 19-32

NH4F 1 32

Н5,0 .. Остальное . и удаление сцоя фоторезнста. с

Пример 1. Попучение фазовых рэндомйзирующи» масок путем создания репьефа в топще стекла. В качестве материала испопьэуют стекпо марки K-9, в состав которого входят S1O<-68,9%, 3g Оу» 1 1, 1%,) )< О - 2, 8%, Ис я0- 1 0,4% p / 25

К 0-6,8%. Перед нанесением резистаnроводят тщатепьную»имическую очистку поверхности стекпянных ппастин (кипячение в ronyone, ацетоне и деионизированной воде по 5 мин). 30

Нанесение споя фоторезиста на образец осуществпяют на центрифуге с чиспом оборотов 2000 мнн.. B резупь-1 тате на стекпянной подножке формируетcs спой фотореэиста топщиной Ю l мК. >55

Сушку фотосиоя проводят в термостате при 90оС в течение 30 мин. Осушествп пот экспонирование ппастины через фотошабпон. Проявление рисунка проводят в 2%»ном растворе тринатрнйфоГфата,:4О затем ппенку фотореэиста задубпивают при 130оС в течение 30 мин. Травйение сМкПа с попученным защитным репьеформ, проводят химическим путем. Дйя травпе-" ния испопьзуют травипьный раствор, вкпю-45 чающий, вес. %:

HF 26

NH47 26

НдО 48

Скорость травления стекла 0,081 мк/мин5О

1.

Звключйтельную операцию — удапение фото. резиста производят в горячей концентрированной серной кислоте.

Значения пропускания масок были в интер вале 88-9 5%. Выход готовых образцов составлял 8-10%. Отступление от заданной глубины рельефа составляет более 0,03 мкм, БНИИПИ Заказ 7752/25 филиал -ППП Патент, i . Ужго