Способ определения теплового сопротивления диодов ганна

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 705390

Союз Советских. Социалистических

Республик е „ ф ЯО (63) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено230678 (21) 2632838/18-25 (51)М. Кл.2

0 01 R 31/26 с присоединением заявки М

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано2 51 2.79. Бюллетень Но 47

Дата опубликования описания 25.1279 (53) УДК 621.382. . 2 {088. 8) (72) Авторы

С.Н. Полисадов, A.A. Смагин, Л.Г. Наповал изобретения и В.И. Юрченко (71) Заявитель

{54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ДИОДОВ ГАННА

1 .. 2

Изобретение касается контроля цель изобретения - уменьшение врепараметров полупроводниковых прн- мени измерения теплового сопротивлеборов. - ния дйодов Ганна.

Известен способ определения твп- 5 Поставленная цель достигается лового сопротивления полупроводни- . тем„ что определяют" импульсные вольтковых приборов, заключающийся в . амперные характеристики при внешнем разогреве их током и иэмерейии тем- подогреве диода и регистрируют температурно-зависимого параметра Йо - пературу, при которой импульсные повремени (1) . :". . ;.;:":. 1О роговое напряжение и ток. равны поро-; этот способ предполагает цредва- говому напряжению и току пфй посрительную градуировку температурно-. тоянном смещений. зависимого параметра. . :,......., . на чертеже йриведена функцйональИзвестен также способ определения . ная схема установки, которая осущетепловогЬ сопротивления диодов Ган- ствляет измерение температуры при на, заключакщийся в измерении темпе- которой импульсная вольт-амперная ратурно-зависимого параметра в интер- . характеристика совпадает с вольт-амвале температур и расчете теплового. перной характеристикой на постоянном сопротивления (2) . Он состоит также токе. В частности, проводится сраа- в предварительной градуировке по тем- нение точек прр.ими = snop.nocr пературе и измерениям величины при, и snop „„= дл „ост по величине рабочем разогреве в интервалы време- .температуры и мощности разогрева ни короче времени тепловой релаксации, диода на Постоянном токе, рассчитывают тепловое сопротивление,т.е.

Недостатками такого метода явля- 25 используется эквивалентность тепются сложность оборудования и изме- . ловых режимов при саморазогреве рарения при малых временах тепловой бочим током и внешним подогреве дирелаксации, а также низкая произно- ода до температуры активной области. дительность при технологическом Импульсная вольт-амперная характеконтроле больших партий диодов. . Ристика диода снимается с помощью

30 1 ч ъ -.. ф. » ф

705390

Формула изобретения серии импульсов малой длительности и большой скважности, имеющих линей но нарастающую амплитуду напряжения.

Установка включает в себя генератор 1 серии импульсов с пилообразно изменяющимся напряжением (скважность импульсов большая, а длительность меньше времени тепловой релаксации дйода, что обеспечивает нера-""вогревающий режим работы диода), приспособление для включения диода

2, термостат 3 с регулируемой температурой, индикатор 4 для сопоставления ИВАХ с BAX в виде двухкоординатного" самописца, источник йос=" тоянного тока 5, детектор импульсов б,.блок переключателей 7 для пере " ключеййя "из "импульсного режима в непрерывный.

В качестве температурно- эависй-- могъ париметра длй . определения эквивалентности тепловых" режймов можно 20 использовать измерение не всей "за=.. висимостй ИВАХ, а измерение лишь пор.имп или nîð.öùn для ойределе-йия температуры, при которой * - - .. = 7 25 пор.ммп зпор.псфт "пор.имп="mp.nîñä

Исключение необходимости предварительной градуировки температурно эа

4 вйсимого параметра каждого диода по температуре сокращает время измерения, а использование в качестве из-. меряемых .BeJIH H 3 пор.имп, U nop.имп существенно упрощает аппаратуру и процесс измерения теплового сопротивления.

Способ измерения теплового сопротивления диодов Ганна, заключающийся в контроле температурно-зависимого параметра в интервале температур и расчете теплового сопротивления, о т л и- ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения времени измерений, определяют импульсные вольт-амперные характеристики при внешнем подогреве диода и регистрируют температуру, йрй - которой импульсные пороговое "напряжение "и ток равны пороговому напряженИю и току при постоянном Смещении..

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 172373, кл. G 01 В 31/26, 1965.

2. NEREN .73, Res. Boston Mass

Part 3, New Уог)с 1973, р 134-142 (прототип).

Составитель Т. Дозоров

Редактор Т. Зубкова " Техред О.Андрейко Корректор М. Демчик

Заказ 8022/49 " Тйраж" 1073 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Рачшская наб. д. 4/5

I. L ш да . /.

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4