Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Союз Советсиии

Социалистических

Республик >711637

Д у ъ, Р

Яр <„„ (61) Дополнительное к авт. свид-sy (22) Заявлено 08.06.77 (21) 2495207/18 21 с присоединением заявки М (23 } Приоритет (51)М. Кл.

Н 01 С 7/00

Гееудирствеииьй коиитет

СССР

Ia лелем изобретений и итерытий

Опубликовано 25.01,80. Бюллетень М 8 (53) УДК 621.396.,.69-181.5

{088.8) 1

Дата опубликования описания 28 01 80 (72) Авторы изобретения

A. С. Никадамбаев, H. A. Коваленко, А. P. Набиева, 5, С. Сиражитдинова и С. H. Аминов (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к производству непроволочных резисторов, изготовляемых на основе лакосажевых композиций, содержаших в качестве ингредиентов полимерные

5 лаки, наполнители и органические отвердители.

Известен резистивный материал, содержаший сажу, эпоксидный лак и органический отвердитель, в качестве которого использовано диэтиленгликольуретан (11.

Недостатком данного материала является неустойчивость к влаге и перемене температур, недостаточно низкие коэффициент напряжения и температурный коэффициент сопротивления, а также токсичность отвердителя.

Известен резнстивный материал, содержаший сажу, эпоксидный lIBK H нетоксичный органический отвердитель (алкил- фосфоновую кислоту) (2).

Недостаток известного материала состоит в. недостаточно низких значениях температурного коэффициента сопротивления ТКС в области температур от

-60 до +20 С (280 10 61/град) и коэффициента влагостойкости (0,2%) и относительно низком коэффициенте цикличности.

Белью изобретения является уменьшение температурного коэффициента сопротивления в области температур от -60 до +20 С, увеличение влагостойкости и стабильности материала при резкой смене температур.

Бель достигается тем, что резистивный материал, содержаший эпоксидный лак, сажу и органический отвердитель, содержит в качестве органического отвердителя сополимер малеинового ангидрида с гексеном-1 при следунхцем количественном соотношении компонентов (в вес.%):

".ажа З-8

Сополимер малеинового ангидрида с гексеном-1 4-10

Эпоксидный лак Остальное

711637

Сополимер малеинового ангидрида с гексеном -1(или фракциями, -олефинов) формулы.

К

° .. СН-GH -СН-CH-..

0= С С=,Q

° / 7

О где% сьн > л сей, и и сьн„ -с 4н

1О условно названный ГП-6 получают сополимеризацией гексена-1 (или фракций

®-олефинов) с малеиновым ангидридом в присутствии растворителя и радикальных инициаторов (перекисных или азосое-, динений) .

ГП-6 представляет собой белый порошок с желтоватым оттенком. Растворим в ацетоне и нерастворим в воде. Молекулярный вес (28-35) 10 Строение

ГП-6 подтверждено данными элементного го анализа, ИК-спектрами и химическими превращениями.

Резистивную композицию получают следующим образом. Рассчитанное количество растворителя, смесь толуола и бутилового эфира уксусной кислоты бутилацетата (3".7) и сажи ДГ-100, прокалено ной при 1300 С, перемешивают в атриторе 2«2,5, ч. Затем туда же добавляют определенное количество лака ЭФ-537 с отвердителем ГП-6 и суспензию переме-, шивают еще 3,5-4 ч

Пр им ер 1. 5 гсажиДГ-100, прокаленной при 1300 С, перемешивают в атриторе с 115 мл смеси растворителей (толуол и бутилацетат 3:7) в течеНие 2 ч. Затем, после добавления 4п

91 r лака ЭФ-537 и ГП-6 4 г, суспензию перемешивают еще 3,5-4ч. При, готовленную таким образом суспензию, после установления соответствующей вязкости, наносят на керамические основа- 45 ния цилиндрической формы и подвергают термообработке: выдерживают при 250 С в течение часа в термостате с последуюо щей .термотренировкой при 200 С в течение 48 ч. $0.

Резистор с токопроводящей пленкой из такой с спензии имеет характеристики:

Коэффициент напряжения,% 3,0

Коэффициент цикличности,% 0,54

Температурный коэффициент сопротивления (ТКС 10, 1/град) +700 (при +20+

+125 С)

83 (при -60 +

+20 С)

Влагосч ойкость,% 0 2

Прим ер 2. 5 гсажиДГ-100, прокаленной при 1300 С, перемешивают в атриторе с 115 мл смеси растворителей (толуол-бутилацетат 3:7) в течение 2 ч. Затем, после добавления

88 г лака ЭФ-537 и 7 г отвердителя

ГП-6, суспензию перемешивают как описано в примере 1.

Характеристика токопроводящей пленки следующая:

Коэффициент напряжения, % 2,0

Коэффициент цикличности,% 0,5

Температурный коэффициент: сопротивления (ТКС. 10, 1/град) +350 (при +20+

+125 С)

-56 (при-60++

20 С)

Влагостойкость, %: 0,09

Пример 3. 5 г сажи йГ-100, Ю прокаленной при 1300 С, перемешивают с 115 мл смеси растворителей (толуолбутилацетат 3:7) в течение 2 ч. и после добавления 85 r лака ЭФ-537 и

10 r отвердителя ГП-6 перемешивают как описано в примере l.

Токопроводящая пленка имеет следующие характеристики:

Коэффициент напряжения,% 4,0

Коэффициент цикличности,% 0,35

Температурный коэффициент сопротивления (ТКС 10 6, 1/град

+350(при +20 . + 125 С)

-75(при -60+ +20 С) Влагосто йкость,% 1,0

В таблице представлены для сравнения парамццры .резисторов,.изготовленных из данной композиции (с отвердителем ГП6) и известной композиции (с отвердителем АФК-алкилфосфоново и кислото й) .

711637

ые композиции с отвердителями

1. Отвердитель, вес.%

2. Сажа ДГ-100, вес.%

3. Лак ЭФ-537, вес.%

4. Коэффициент напряжения,%

5. Коэффициент цикличности,%

7,0

5,0

90,88

2,0

1,0

0,5

6. Температурный коэффициент сопротивления ТКС 10 j

1/град, в области

+20-: +125 С-60+ +20 С

280

7. Влагоусто йчивость,%

8. Сопротивление, КОм

0,09

0,2

360

350

Составитель B. Солодова

Редактор Н. Веселкина Техред Л. Алферова Корректор О. Ковинская

Заказ 9023/40 Тираж 844 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-З5,- Раушская наб.; д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Из таблицы видно, что по таким параметрам, как ТКС в области температур от 60 до+2 С С, коэффициент цикличности . коэффициент влагоустойчивости, резистивная композиция с отвердителем ГП-6 значительно превосходит известную резистивную композицию. Объясняется это наличием в структуре ГП-6 длинной гидро30 фобной пепи (С 4Н,Добуславливаюшей высокоустойчивость композиции к климатическим воздействиям.

Формула изобретения

Резистивный материал, содержаший эпоксидный лак, сажу и органический отвердитель, о т л и ч а ю ш и и с я 4р тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления в области температур от -60 до +20"С, увеличения влагостойкости и стабильности материала при резкой смене температур, он содержит в качестве органического отвердителя сополимер малеинового ангидрида с гексеном -1 при следуюшем количественном соотношении компонентов (в вес.%):

Сажа 3-8

Сополимер малеинового ангидрида с гексеном -1 4-10

Эпоксидный лак Остальное.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. УТО 467. 9.117.ТК-6-03-267, 197Î.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке ¹ 2499007/18-21, кл. Н 01 С 7/00, 25.05.77.

Резистивный материал Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Резистор // 651420

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх