Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия

714495

Союз Советсиик

Сон!ианистичесиик республик (6t ) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 29,09.77(23) 2530389/18-24 с присоединением заявки Рй (23) Приоритет

Опубликовано 05.02.80. Бюллетень М 5 (5l)M. Кл.

G 1l С 11/14 (53) УДК 681.327, .66 (088. 8) Дата опубликования описания 09.02.80. (72) Авторы изобретения

В. А. Арсентьев, М. С. Штельмахов и Л. Т. Лысый (71) Заявитель

/ (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАИШИХ

МАТРИЦ HA ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

ПЛЕНКАХ

1 2

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть исполь зовано при построении запоминаюших устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).

Известен способ изготовления запоминающих матриц на ИМП, состоящий в том, что на ткацком станке в качестве основы натягивают технологические струны, в ко10 торые последовательно вплетают обмотки, в процессе изготовления технологические

i струны перемешают, а сформоваиные обмотки отделяют от эоны плетения зажи-! мом-разделйтелем, после окончания пле3$ тения заливают обмотки компаундом, а затем извлекают технологические струны, растягивая их за противоположные концы до разрыва ° (13.

При таком способе формовки возникают значительные деформации и утоньшение формуемого проводника, обрыв его, нарушение изоляции и стягивание технологических струн по шагу.

Наиболее близким по технической сушности к предложенному изобретению является способ изготовления запоминаюших матриц на БМП, основанный HB натяжении технологических струн, образовании зева между ними, проКладывании 8 зев lIpoводника адресной обмотки под углом к технологическим струнам, закрывании зева, последовательном формовании струнами проводника, перемешении сформованноrî проводника к адресным обмоткам при закрытом зеве, перемешении технологических струн, отделении адресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн (2).

Положение проводника под углом к струнам в момент закрывания зева всеми струнами одновременно дает возможность последовательного формования проложенного в зев проводника. Однако с увеличением числа струн, уменьшением их диаметра и шага между ними уменьшается расстояние сближения последующих

7144 соседних струн с формуемым проводником,. что приводит к необходимости увеличения угла прокладок провода, а это приводит к увеличению длины проводника в зеве, что вызывает дополнительную дефор5 мацию сформованных полуволн при подбивке сформованного провода к адресным обмоТкам, увеличение толщины сплетенного полотна и нарушение шага между струнами. 10

При этом происходит также сжатие струнами полуволн этого прбвода и изменение их формы, что влияет" на амплитуду магнитного поля внутри волувитка; а следовательно, и на величину выходного сигнала, уровень помех и степень влияния адресных обмоток друг на друга.

Мель изобретения — повьппение технологичности изготовления запоминающих матриц. 20

Поставленная цель достигается путем того, что в известном способе располагают технологические струны с превышением по высоте друг относительно друга, ориентируют проводник адресной обмотки по 25 линии его формования относительно технологических струн и фиксируют его в заданном положении, закрывают зев пооче» редно каждой разведенной при образовании зева технологической струной и фор- ЗО муют каждый полувиток адресной обмотки, перемещают технологические струны в сторону свободного конца формуемого провода до полного закрывания зева, сохраняя при этом постоянные углы накло- з5 на технологических струн.

Сущность предложенного изобретения поясняется чертежами, где на фиг. 1а изображено устройство для изготовлейия запоминающих матриц íà 11МП в соответствии с предложенным способом; на фиг.

1б — разрез А-A фиг. la (расположение четных и нечетных технологических струн с превышением друг относительно друга по высоте); на фиг. 2а - разрез Б-Б фиг. 1 (расположение че тных и нечетных технологических струн в сечении зева, перпендикулярном плоскости нейтрального положения); на фиг. 2б — то же при смене положения четных и нечет- 50 ! ных струн в зеве; на фиг. За, б, в, r, g— последовательное закрывание зева и фор:мование проводника.

Устройство для изготовления матриц (фиг. 1а) содержит технологические стру- 55 ны 1, 2, 3, 4, 5, 6, натянутые на раму станка 7 в качестве основы, ремизки 8 и 9, для разведения струн 1-6 при образо95 4 ванин зева 10 между ними, ограничитель зева 11, челнок 12 для прокладывания проводника адресной обмотки 13 в зеве

1О, ориентатор-фиксатор 14 для фиксации проводника 13 по линии формования, ба» тан 15, адресные обмотки 16.

Изготовление заполняющих матриц осуществляют следующим образом.

Для образования зева 10 между струнами 1-6 перемешают ремизки 8 и 9.

Перемещением ремизок 8, например, вверх разводят нечетные струны 1, 3, 5, а перемещением ремизок 9 вниз разводят четные струны 2, 4, 6. В конце перемещения ремизок 8 и 9 нечетные струны

1, 3, 5 и четные 2, 4, 6 располагают с превышением друг относительно ° друга по высоте, начиная от первой струны к пятой и от второй к шестой. Разведенные струны 3, 3, 5 и 2, 4, 6 образуют по ширине зева 10 различные углы наклона * (фиг. 1б), а в сечении зева 10, перпен дикулярном плоскости нейтрального положения струн, образуют наклонные под острыми углами CL к этой плоскости ряды (фиг. 2а, б), Линии продолжения этих рядов сходятся в одной точке на нейтральной плоскости;о линии формования проводника адресной обмотки (фиг. 3) .

Линию формования располагают на заданном расстоянии от ограничителя зева

1 1 и фиксируют ее относительно струн, 1-6 в этом положении, например, гребенкой 14.

Прокладывают проводник 13 в зев 10 свободным концом его со стороны крайних струн с меньшим углом раскрытия зева между ними, ориентируют проводник

13 вдоль ориентира фиксатора 14 и фиксируют в этом положении на заданном расстоянии от ограничителя зева 11, после чего закрывают зев, перемещая ре-мизки 8 вниз, а ремизки 9 вверх.

Прп этом производят последовательное сближение струн 1-6 с проводником 13 до полного закрывания зева 10 поочередно каждой струной и одновременное формование из проводника 13 каждого полувитка адресной обмотки в отдельности, начиная со струн с меньшим .углом между ними (в начальном положении) в порядке следования струн: 6, 5, 4, 3, 2, 1, (фиг. За, б, в, r, g).

При этом сохраняют постоянными углы Д наклона рядов етрун в плоскости, перпендикулярной плоскости нейтрального положения струн, перемешают их в сторону свободного конца формуемого провода

5 7 144 до полного закрывания зева (фиг. За, б, в,г,д).

После формирования проводника ориента тор-фиксатор 14 выводят из плоскости проводника„ а полувиток обмотки сдвигают 5 батаном 15 при закрытом зеве к пакеру обмоток 16. Затем прижимы ограничителя зева 11 разводят,. перемешают стру- . ны 1 6 и отделяют адресные обмотки 16 от зоны плетения, о !

Затем прижимы ограничителя зева 11 сводят, производят очередное раскрытие зева 10, меняя направления разведения четных 2, 4, 6 и .нечетных 1, З, 5 струн 15 и направления наклонов их рядов (фиг. 2б} в плоскости, перпендикулярной плоскости нейтрального положения струн, проводник

13 прокладывают челноком 12 в.противоположном направлении, и все дальнеящие Ю операции формирования полувитка адресной обмотки из проводника 13 повторяютсаро получения адресной обмотки 16.

Использорание предложенного способа изготовлеяия запоминающих матриц на

БМП обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие пре-имущества: ,- повышение геометрической точности и идентичности размеров адресных обмоток, шага между разрядными обмотками и повышение однородности электрических и магнитных параметров адресных обмоток;

- стабилизацию натяжения проводников З5 адресных обмоток при плетении, снижение г, количества обрывов и нарушения изоляции проводнико℠— возможность автоматизации трудо40 емкого процесса плетения адресных обмо

95 6 (ток малогабаритных запоминающих матриц на БМП.

Формула изобретения

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных плен ках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокладывании в зев проводника адрес ной обмотки, перемещении сформованного проводника к адресйым обмоткам, перемещении технологических струн, отделении адресных обмоток от зоны плетения, заливке компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повьпиения технологичности. изготовления запоминающих матриц, располагают технологические струны с превьппением по высоте друг относительно друга, ориентйруют проводник адресной обмотки йо линии его формования относительно технологических струн и фиксируют его в задайном положении, закрывают зев поочередно каждой разведенной при образовании зеЬа технологической струной и формуют каждый полувиток адресной обмотки, перемешают технологические струны в сторону свободного конца формуемого провода до полного закрывания зева, сохраняя при этом постоянные углы наклона технологических струн.

Источники информации, I принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 282428, кл. G 11 С 11/14, 1971.

2. Авторское свидетельство СССР № 474842, кл. G 11 С 5102, 1975 (прот отип) . 714495

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Д. Зубов Техред O. Легеза Корректор С Шекмар

Заказ 9301/52 Тираж 662 2Подписное

HHHHFIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4