Запоминающая матрица

 

ц 752475

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз 6DBBTCKHX

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.09.78 (21) 2667055/18-24 (51) M. К,.е

G 11С 11/22 с присоединением заявки ¹

Гасударственный комитет (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.07.80. Бюллетень № 28 (53) УДК 681.327 (088.8) н открытий (45) Дата опубликования описания 30.07.80 (72) Авторы изобретения К. Г. Самофалов, Я. В. Мартынюк, С. И. Сидоренко, Ю. И. Шпак, Л. П. Гермаш и E. И. Кудренко

Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Изобретение относится к запоминающим устройствам и может быть использовано для хранения и неразрушающего считывания двоичной информации.

Известны запоминающие матрицы (1, 2).

Одна из известных матриц содержит две керамические пластины: пластину возбуждения и запоминающую пластину с системами шин, соединенные между собой и с подложкой, и дополнительные электроды компенсации на каждый разряд (1).

Недостатками этой матрицы являются низкая технологичность изготовления и малый эффективный объем памяти вследствие применения двух керамических пластин.

Из известных матриц наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающая матрица, содержащая подложку и сегнетопьезоэлектрическую пластину, на двух противоположных гранях которой расположены управляющие и компенсирующие электроды (2) .

К недостаткам этой матрицы относятся низкая технологичность вследствие необходимости изготавливать сегнетоэлектрическую пластину и подложку переменной толщины с целью их соединения и уменьшение эффективного объема памяти матрицы изза применения электродов компенсации.

Цель изобретения — увеличение емкости запоминающей матрицы и повышение технологичности ее изготовления.

Поставленная цель достигается тем, что матрица содержит металлические проклад5 ки, расположенные между сегнетоэлектрической пластиной и подложкой и прикрепленные к ним. При этом целесообразно толщину металлических прокладок выполнять либо больше толщины электродов, обра)О щенных к подложке, либо равной толщине этих электродов и при этом на металлические прокладки наносить дпффузпонноактпвные, а на электроды — дпффузпоннопассивные по отношеншо и подложке плен15 ки.

На чертеже изображена запоминающая матрица.

Запоминающая матрпца содержит сегнетопьезоэлектрическую пластину 1, подлож20 ку 2, металлические прокладки 3, 4, 5, управляющие электроды 6 — 9, компенсирующие электроды 10 — 13, которые образуют запоминающие элементы 14 и элементы 15 компенсации. Устройство также содержит

25 управляющие шины 16 — 19, компенсирующие шины 20 и 21.

Металлические прокладки 3, расположенные под контактными площадками шин 18 и 19, служат выводамп электродов 8, 9, 12

30 и 13. Управляющие электроды 6 и " объе752475 динены шинами 16 и 17, управляющие электроды 8, 9 и компенсирующие электроды 12, 13 — шинами 18 и 19, а компенсирующие электроды 10 и 11 — шинами 20 и 21.

В результате спекания пластина 1 механически жестко соединена с подложкой 2 за счет приварки металлических прокладок

3, 4, 5 к подложке.

Устройство работает следующим ооразом.

Сегнетопьезоэлектрическая пластина 1 под управляющими электродами 6 и 8 заполяризовапа постоянно, а под управляющими электродами 7 и 9 поляризация пластины может изменяться в зависимости от записываемой информации.

Запись информации осуществляется подачей импульсного напряжения поляризации соотвстствующей полярности и длительности на управляющие шины, например шину 19. Шина 17 подключается к общей точке матрицы. На все остальные шины в режиме записи подаются напряжения, исключающие ложную запись в невыбранных элементах.

При считывании информации напряжение считывания поступает в управляющую шину 16, одновременно с ним в компенсирующую шину 20 подается такое же по форме, но противоположное по знаку напряжение, Шины 17 и 21 подключены к общей точке устройства. В результате двойного преобразования энергии: электрической в механическую и механической в электрическую, на выходных шинах 19 появляются импульсы напряжения с полярностью, зависящей от записанной информации. При такой системе считывания выходной электрод 9 и электрод 13 компенсации подключают к одной управляющей шине 19, Каждый компенсирующий электрод, например 13 (см. чертеж), по форме представляет периметр управляюшего электрода. Такая форма компенсирующего электрода позволяет, с одной стороны, практически свести к нулю на выходной шине 19 помеху в режиме считывания информации за счет остаточной поляризации элемента компенсации, задаваемой напряжениями помехи при записи информации, так как площадь электрода компенсации много меньше площади управляющего электрода, а с другой стороны, сохранить одинаковые емкостные связи для запоминающих и компенсирующих элементов и при этом устра5

1О

55 нить помехи, передаваемые с входа заломинающего элемента на выход через емкостные связи, так как в режиме считывания на управляющую 16 и компенсирующую 20 шины подают противофазные напряжения считывания одинаковой амплитуды, т, е. на выходной шине 19 наводятся помехи, обусловленные емкостными связями, одинаковые по амплитуде и противопо-. ложные по знаку, которые компенсируют друг друга.

Технико-экономические преимущества предлагаемого устройства заключаются в том, что предлагаемая конструкция дает возможность существенно уменьшить размеры матрицы, например до 5,2)(4,6 мм прп емкости 256 бит, что значительно больше емкости серийно выпускаемой матрицы, имеющей емкость памяти 8 бит при размерах 2)(3,5 мм. Кроме того, такая конструкция позволяет исключить операцию точного совмещения сегнетопьезоэлектрической пластины с подложкой и применять групповую интегральную технологию изготовления таких запоминающих матриц.

Формула изобр тсния

1. Запоминающая матрица, содержащая подложку и сегнетопьезоэлектрическую пластину, на двух противоположных гранях которой расположены управляющие и компенсирующие электроды, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью увеличения емкости запоминающей матрицы, она содержит металлические прокладки, расположенные между сегнетоэлектрической пластиной и подложкой и прикрепленные к ним.

2. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что толщина металлических прокладок больше толщины электродов, обращенных к подложке.

3. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что толщина металлических прокладок равна толщине электродов, обращенных к подложке, причем на металлические прокладки нанесены диффузионноактивные, а на электроды — диффузионнопассивные по отношению к подложке пленки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство по заявке № 2179197/18-24, кл, G 11С 11/22, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР № 488257, кл. G 11С 11/22, 1973 (прототип).

752475

71

Редактор И. Грузова

Заказ 1454/10 Изд. № 393 Тираж 673 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель В. Гордонова

Техред А. Камышникова

Корректоры: Л. Слепая и О. Иоанесян