Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов

 

О П -И"Е-Д Н „E

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<Ä>773536

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ . (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 220676 (21) 2374411/26-25 с присоединением заявки 8о (23) Приоритет—

Опубликовано 231080 Бюллетень Nо 39 (51)М. Кл.

G 01 R 31/26

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УД (621.382.2 (088.8) Дата опубликования описания 251080 (72) Автор изобретения

В. С. Хотько (71) Заявитель (54 } УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Изобретение относится к контролю параметров полупроводниковых диодов, преимущественно к одновременному контролю прямого,падения напряжения и обратного тока силовых полупроводниковых диодов.

Известно устройство для одновременного контроля прямого падения напряжения и обратного тока полупроводниковых диодов на переменном токе, включающее трансформатор со вторичными обмотками и измерители контролируемых параметров (1». Измерения средних значений контролируемых параметров производятся .со сдвигом но време- 15 ни на один полупериод переменного тока, питающего схему.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство для контроля параметров по-20 лупроводниковых диодов, содержащее трансформатор со вторичными обмотками, одна из которых через диод и измеритель обратного тока подсоединена к одному из выходных зажимов, диоды, резистор и измеритель прямого падения напряжения (2 .

Основным недостатком известных устройств является высокая потребляемая мощность, рассеиваемая на по- 30 следонательном сопротивлении при пропускании через контролируемый диод тока в прямом направлении., Цель изобретения — уменьшение потребляемой мощности при одновременном контроле прямого падения напряжения и обратного тока.

Поставленная цель достигается тем, что вторичные обмотки трансформатора выполнены н виде двух пар секций, каждая из пар состоит из последовательно соединенных низковольтной и высоковольтной обмоток, одноименные ныводы низковольтных об» моток соединены между собой и через первый резистор подключены ко второму выходному зажиму, точка соединения одной пары обмоток через последовательно соединенные тиристор и первый диод цодсоединена к первому выходному зажиму, точка соединения другой пары обмоток через второй диод подсоединена ко второму выходному зажиму, а свободный конец высоковольтной обмотки через третий диод и второй резистор подсоединен к точке соединения тиристора н первого диода.

На чертеже приведена принципиальная схема устройства.

773536

Устройство состоит из трансформатора То с первичной обмоткой 1 и с че» тырьмя вторичными обмотками 2-5, 3 и

4 из которых низковольтные, а 2 и 5 высоковольтные; диодов Д1-Д4, тиристора Т, резисторов R, измерителей обратного тока А и прямого падения напряжения V . Испытуемый диод подключается к выходным зажимам б и 7 так, что прямое направление тока соответствует направлению от зажима 6 к зажиму 7. При положительной полярности на началах обмоток (обозначенц точками) производится измерение прямого падения напряжения. В этот полупериод тиристор Т открыт, в результате создается цепь протекания прямого тока через испытуемый диоц — начало обмотки 3, тиристор Т, диод Д1, испытуемый диод, резистор R1, конец обмотки 3. Токи в остальных обмотках отсутствуют (обратными токами диодов 20

Д2, ДЗ, Д4 пренебрегаем). Прямое падение напряжения измеряется прибором Ч . При смене полярности на вторичных обмотках происходит измерение обратного тока. В данном случае, как и в схеме известного устройства, создаются две цепи тока. Первая цепь — это цепь, создаваемая низковольтной обмоткой 4 через диод Д2 и резистор R1, которая устраняет постоянную составляющую подмагничивания сердечника М трансформатора от прямого тока испытуемого диода (определяет симметричную работу трансформатора). Вторая цепь — цепь измерения обратного тока диода ИД. В эту полуволну напряжения 35 тиристор T закрыт. Напряжение с обмотки 5 через измеритель обратного тока

А, диод Д4, с одной стороны, поступает на анод и через резистор R1, с другой стороны,. — на катод испытуемого диода. Этим напряжением определяется ток циода, фиксируемый измерителем обратного тока А.

Для устранения ответвления измеряемого тока через диод Д1, который находится в проводящем положении для обратного напряжения в данный полупериод, служит цепь, состоящая из обмоток 2, 3, диода ДЗ и резистора R2.

Отрицательное напряжение с этих обмоток с амплитудой, равной обратному напряжению, через диод ДЗ и резистор

R2 подается на анод диода Д1 и запирает его.

Сравнительные испытания данного устройства. с известным показывают, что потребляемая устройством мощность снижается вследствие использования для формирования измерительных импульсов напряжения различных обмоток (низковольтной и высоковольтной) трансформатора более чем на порядок, Формула изобретения

Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов, содержащее трансформатор со вторичными обмотками, одна из которых через диод и измеритель обратного тока подсоединена к одному из выходных зажимов, диоды, резистор и измеритель прямого падения напряжения, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности при одновременном контроле прямого падения напряже ния и обратного тока, вторичные обмотки выполнены в виде двух пар секций, каждая иэ пар состоит из последовательно соединенных низковольтной. и высоковольтной обмоток, одноименные выводы низковольтных обмоток соединены между собой и через первый резистор подключены ко второму выходному зажиму, точка соединения одной пары обмоток через последовательно соединенные тиристор и первый диод подсоединена к первому выходному зажиму, точка соединения другой пары обмоток через второй диод подсоединена ко второму выходному зажиму, а свободный конец высоковольтной обмотки через третий диод и второй резистор подсоединена к точке соединения тиристора и первого диода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 114215, кл. G 01 R 31/26, 02.07 ° 57 °

2. Методы измерения электрических параметров полупроводниковых диодов и транзисторов íà AO 336.006 Отраслевой руководящий технический материал. Иэд-во Гос. комитета по электронной технике СССР, М., 1964 (прототип).

773536

Составитель А. Ожередов

Редактор T. Кугрыаева Техред Е.Гаврилешко Корректор С. Щомак

Закав 7494/57 Тираж 1019 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Momsa, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов Устройство для контроля параметров полупроводниковых диодов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх