Способ получения тетраиндида рубидия
1. Способ получения тетраиндида рубидия путем нагревания в вакууме смеси рубидия и индия до температуры, превышающей температуры ликвидуса, с последующей кристаллизацией охлаждением, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов, рубидий и индий в смеси берут в мольном соотношении 0,15 - 0,02 : 0,85 - 0,98, охлаждение ведут со скоростью 20 - 40 град/час, а полученный продукт помещают в жидкий галлий, находящийся под слоем трансформаторного масла, извлекают кристаллы и очищают их от расплава.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кристаллы очищают с помощью резиновых пластин и пластилина.
Похожие патенты:
Патент 421875 // 421875
Патент 392971 // 392971
Способ выращивания монокристаллов // 136057
Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей
Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п
Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата)
Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе
Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)
Кремнегерманиевый кристалл // 2206643
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации
Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации
Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов
Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов, используемых в лазерной технике, в частности в преобразователях частоты лазерного излучения, и может быть использовано для получения нелинейно-оптического монокристалла трибората лития LiB3 О5 (LBO)
Подложка для эпитаксии (варианты) // 2312176
Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств
Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники