Способ выращивания монокристаллов

 

Класс 40

l2 „

ЬНЪ йище

ОПИСАНИК ИЗОЬРКТКНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

17ослгисна» гргггггггс Л 161

T. Г. Петров

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Заявлено 9 июня 1960 г. за ¹ 669507122 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллстсис изобрстсни1Ь> № 4 за 1961 г.

Существующие методы выращивания монокристаллов имеют ряд недостатков, одним из которых является то, что форма движения кристалла (вращение или покачивание кристалл1!затора) не обеспечивает надежную гермитизацию и не позволяст выращивать кристаллы в ускоренном режиме в формах.

Для обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образования монокристалла предлагается способ, в котором монокристальной затравке придают возвратно-поступательное движение относительно поверхности жидкой среды, пз которой выращивают кристалл. При этом все части кристалла движутся равномерно относительно среды и скорость их движения не меняется по мере увеличения его размеров.

Предлагаемый способ применим для выращивания кристаллов из растворов, из растворов в расплавах и из расплавов и газовой фазы Он позволяет выращивать кристаллы с большими скоростями в виде пластин, линз, стержней, трубок и др. формы.

С помощью предложенного способа были выращены бездефектныс монокристаллы солей минеральных кислот весом от 10 до 500 г

Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллов, например солей минерал.ных кислот, отличающийся тем, что, с целью обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образования монокристалла, монокристальной затравке придают возвратно-поступательное движение относительно поверхности жидкой среды, из которой выращивают крист алл.

Способ выращивания монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п

Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата)

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов
Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов
Наверх