Способ активировки вторично-электронныхэмиттеров из сплавов ha ochobe меди

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ («)824338 (61) Дополнительное к авт. саид-ву I (22) ЗаЯвлено 130479 (21) 2752257/18-25 (51)м К, 3

H 01 J 9/12

1 с присоединением заявки И9 (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 230481 Бюллетень М 15

Дата опубликования описания 230481 (53) УДК 621. 383. .81(088.8) (72) Автор изобретения

И.lI.Ìàñëåíêoâ (54) СПОСОБ АКТИВИРОВКИ ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННЫХ

ЭМИТТЕРОВ ИЗ СПЛАВОВ НА ОСНОВЕ МЕДИ

Изобретение относится к технологии изготовления фотоэлектронных приборов, содержащих. диоды из сплавных эмиттеров на основе меди.

Известен способ согласно которому эмиттеры прогревают в колбах с последующим окислением. Чередование прогрева и окисления проводят несколько раз. После монтажа в прибор эмиттеры подвергают прогреву и окислению El) .

Недостатком .такого способа является длительное вхождение приборов в режим, нестабильность анодного тока, нелинейность световой характеристики. 15

Известен также способ активировки вторично — электронных эмиттеров из сплавов на основе меди, содержащий предварительную вакуумную обработку, включающую операцию прогрева 9 в диапазоне температур 200-500 С и о финишную обработку эмиттеров, включающую операции прогрева и окисления (2) .

Недостатком этого. способа являет- 25 ся низкая стабильность коэффициента вторичной эмиссии.

Цель изобретения - повышение стабильности коэффициента вториЧной эмиссии. указанная цель достигается тем, что в способе активиравки вторичноэлектронных эмиттеров из сплавов на основе меди, содержащем предварительную вакуумную обработку эмиттеров, включающую прогрев в диапазоне температур 200-500 С и финишную обо работку эмиттеров,включающую прогрев и окисление, прогрев на стадии предварительной обработки проводят многоступенчато, при этом на каждой ступени значение произведения величины давления в конце прогрева на время прогрева находится в пределах — — Па/с, гле N — число ступеней прогрева. С целью упрощения технологии на этапе предварительной обработки эмиттеры прогревают при температуре 190-210 С при давлении в конце прогрева в диапазоне 2 10

7"10 Па в течение не менее 50- 0мин повышают температуру до 290-310 С и проводят прогрев при давлении в конце

-4 прогрева в диапазоне 8 10

2,5- 10 Па в течение не менее 5060 мин, повышают температуру до 390410 С и проводят прогрев при давления в конце прогрева в диапазоне

8 10 — 2,5 ° 10 Па в течение не менее 50-60 .мин, повышают температуру

824338

Формула изобретения

Составитель В.Белоконь

Редактор Л.Кеви ТехредН.Граб Корректор М. Коста

Заказ 2137/78 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб °,,д.4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 до 490-510 С и проводят прогрев при давлении в конце прогрева в диапазоне 2 ° 10 — 7 ° 10 Па в течение не менее 80-90 мин.

В результате использования способа на поверхности эмиттера образуется тонкая пленка окиси активного компонента сплава, препятствующая испарению компонента из эмиттера.

Превышение общей суммы произведений величин давления в конце прогрева и времени прогрева на каждой ступени связано с глубокими окислениями, в результате которого образуются толстые диэлектрические пленки, приводящие к изменению условий движения, рассеяния и выхода, вторичных электронов, а также обуславливают полевую эмиссию. Уменьшение этого значения приводит к невозможности достижения достаточного коэффициента вторичной эмиссии. 20

Способ реализуется следующим образом. 0

Опускаемый вакуумный объем с эмиттерами иэ сплава СцА1Мд откачивается до давления 9-10 Па. Далее следует 5 прогрев со ступенчатым повышением температуры: эмиттеры прогревают при температуре 200 C в течение 60 мин

-2 при давлении в конце прогрева 6 10 Па, затем повышают температуру до 300 С и прогревают эмиттеры 60 мин при давлении в конце прогрева 2- 1 0 Па, повышают температуру до 400 С и выдерживают эмиттеры в течение 60 мин нри давлении в конце прогрева 2 10 Па.

Затем поднимают температуру до 500 С и прогревают эьиттеры 90 мин при давлении в конце прогрева 7 10 Па.

Затем объем с эмиттерами охлаждают до комнатной температуры. Не стадии финишной обработки диодную систему 40 монтируют в оболочку прибора, нагревают систему до 450-520ОС, выдерживают при этой температуре до давления (3-6)- 10 + TIa в течение 1,5 ч, окисляют эмиттеры при давлении 1,3- 45

13 Па .в течение 5-,10 мин, откачивают кислород, нагревают динодную систему до 450-520 С.и выдерживают при этой температуре в течение 50-60 мин.

Предварительная обработка осуществляется в оболочке прибора. Монтаж происходит как на воздухе, так и в вакуумном манипуляторе.

В результате использования способа созданы высокостабильные приборы для фотометрии. Кроме того, значительно сокращается время активировки: при использовании известных способов предварительная обработка составляет 14 ч, при использовании данного способа — 5 ч.

1. Способ,активировки вторичноэлектронных эмиттеров из сплавов на основе меди, содержащий предварительную вакуумную обработку эмиттеров, включающую прогрев в диапазоне температур 200-500 С и финишную обработку эмиттеров, включающую прогрев и окисление, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности коэффициента вторичной эмиссии, прогрев на стадии предварительной обработки проводят много ступенчато, при этом на каждой ступени значение произведения величины давления в конце прогрева .на время прогрева находится в пределах

Па/с, где N — число ступеней прогрева.

2. Способ по и. 1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упрощения технологии, на стадии предварительной обработки эмиттеры прогревают при температуре 190-210 С при давлении в конце прогрева в диапазоне 2 10 —

7 10 Ла в течение не менее 50-60 мин, повышают температуру до 290-310 С и проводят прогрев при давлении в

4 конце прогрева в диапазоне 8 10

5 10. Па в течение не менее. 50-60мин, повышают температуру до 390-410 С и проводят прогрев при давлении в — 4 конце прогрева в диапазоне 8 10

5 ° 10 Па в течение не менее 50-60мин, повышают температуру .до 490-510 С и проводят прогрев при давлении в конце прогрева в диапазоне 2 10 4—

7 -10 Па в течение не менее 80-90мин.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Соболева Н.A. и Меламид A.Е.

Фотоэлектронные приборы. М., Высшая школа, 1974, с. 216, 219.

2. Авторское свидетельство СССР

9 611263, кл, Н 01 V 39/06, 23.05.76 (прототип)