Способ изготовления биполярногоэлектрофотографического носителяизображения

 

О П И С А Н И Е () 828I59

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Соцналнстнческнх

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 14.02.79 (21) 2727525/28-12 (51) М.Кл.з С 03 С 5/082 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— Государственный комитет

СССР (43) Опубликовано 07.05.81. Бюллетень № 17 (53) УДК 772.93 (088.8) по делам изобретений и открытнй (45) Дата опубликования описания 22.05.81 (72) Автор изобретения

В. А. Ислямов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО

ЭЛ ЕКТРОФОТОГРАФИЧ ЕСКОГО НОСИТЕЛЯ

ИЗОБРАЖЕНИЯ

Изобретен не относится к электрофотографии, а именно к технологическому процессу изготовлен ия электрофотопрафических слоев методом испарения селена в вакууме.

Известен способ изготовления биполяр.ных электрофотографичесиих слоев путем испарения селена в вакууме на подложку с температурой 25 — 30 С, затем слой вместе с подложкой тармообрабатывается ia атмосфере воздуха прн температу1ре 85 С в течеяие 30 — 60 мин и быстро (за 1—

1,5 мин) охлаждается до 20 — 30 С (1).

Недостатком этого способа является то, что выход электрофотографических,слоев с высокой светочувств ительностью не очень высок. Это объясняется тем, что при таких условиях термообработ юи кристаллизация селена начинается с поверхностей оеленового слоя, т. е. с контактов селен-воздух и селен подложка. Это п1р|иводит к тому, что в получи|вшемся после вакуумного;напыле.ния аморфном селеновом слое IB результате термообработии наибольшее число кристаллических вкраплений скапливается в приконтактных областях, а в объеме слоя . селен аморфный. С одной стороны, большая концентрация кристаллической фазы селена на контакте селен-подложка пр|иводит к инжекции дырок из подложки в слой, в .результате чего последний перестает заряжаться отрицательным потенциалом (слой становится монополярным) . Для уменьшения этого нежелательного эффекта .предусматривается быстрое охлаждение слоя

- после термообработки. С другой стороны, объем слоя имеет малый процент кристаллических вкраплений. Он состоит в основном, нз двух аморфных форм селена с различного рода дефектам1и структуры. В таком слое содержится большая концентрация глубоких уровней захвата носителей.

Это приводит к значительному уменьшению светочувствительности, так ка к фототенер и15,рованные .носители,:при своем дрейфе через слой на этих уровнях захватываются и перестают участвовать:в разрядке слоя.

Целью изобретения является повышение светочувствительности электрофотографи20 ческого биполярного носителя.

Это достигается тем, что в процессе яаlIIbIJIeHlHH осаждающийся слой селена дополн ительно нагревают.

Таким образом, основное отличие предлагаеетого способа состоит в том, что нагреву подвергается не подложка;или готовый слой вместе с подложкой, а сам слой и процессе осаждения. Это позволяет регулировать содержание кристаллических вкраплений .в объеме слоя и, при опреде828159

Ф о ip м у л а и з о бip е т е и и я

Составитель Л. Врублевская

Техред И. Заболотнова Корректор И. Осиновская

1 едактор Т. Клюкина

Заказ 572/511 Изд. № 370 Тираж 530 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент ленных условиях (80 — 90 С), слой получается свободным от уровней захвата, т. е. обладает, наибольшей светочувств ительностью. В то же вовремя, так как температура подложки не превьвшает 75 С,,на границе с .ней,не образуется сплошной,подслой кристаллического селена, .и контакт остается,запорным. Из-за небольшой теплопроводности аморфного селена (0,123—

0,137 Вт/м град прои 25 С) дальнейший,нагрев подложки в процессе напыления селена происходит;сла бо. Первые же осевшие на подложку атомы экра ни руют ее от нагревателей.,Можно;производить напыление и,на охлажденную подложку (ниже 20 С), но это приводит лишь к усложнению конструкции. Поэтому предпочтительная темпеpaTyipa леж ит в,пределах 20 — 75 С.

Нагрев непооредствен но самого слоя селена в процессе осажден ия, .например, с помощью излучательных нагревателей," позволяет уже в процессе напыленйя,регулировать его элекпрофотографические napaMpTlpû, так как становится возможным управлять структурой слоя по глубине. Благода ря этому удается значительно уменьш ить,разброс па раметров готовых слоев.

П р и м е.р. Селен ГОСТ б738-71 испаряется:в вакууме 1 10 4. Торр на дю ралюминиевую подложку толщиной 2 мм со окоростью 3 мкм/мин. Напрев подложки и осаждающегося селенового с.тоя осуществляется с помощью вольфрамовой ленты, расположенной со стороны осаждения слоя па расстоянии 70 мм от подложки, Контроль температуры, подложки и слоя осуществляется двумя териопарами, .расположенным и IIo обеим cTotpoHavr подложки. Темпе ратуру слоя селена показывает термо па,ра, расположенная:на:подложке со стороны осаждения,селена, так как на нее также осаждается селен.

Операции произ водятся в следующем порядке. После достижения необходимо го вакуума (1 10 Торр) включается .нагреватель (вольфрамовая лента) и темпе.рату ра подложки доводится до 70 С (это констатируется тер мопарой, .расположенной с тыльной стороны подложии). Через 1—

2 мин после начала испарения на подложке (и термопаре, расположенной co cToipoны осаждения слоя) осаждается слой селена, толщиной 2 — 5 мкм. К этому времени температура слоя (с помощью нагревателя) доводится до 80 — 90 С iH поддерживается в этих пределах до ко нца,испарения. Тем5 перату ра подложки к концу .испарения поднимается до 75 С. Время испарен ия

25 мин, толщина полученного слоя 70 мкм.

К роме того, был и изготовлены слои при температуре подложечки 20 — 25 С и 50—

l0 53 С (при л рочих равных условиях). У трех слоев измерены при обеих полярностях за рядки рабочая напряженность поля, т. е. отношение поверхностного потенциала к толщине слоя, и светочувствительность, 15 измеренная по критерию (V — Vi) /V, где V — начальный потенциал слоя, Vi — потенциал, оставшийся на слое после экспозиции 30 лк с.

Напряженность поля у всех трех образ20 но в составила зри положительной зарядке

30 — 35 В/мкм, при отрицательной зарядке

25 В/мкм. С веточувствительность при положительной зарядке 0,83 — 0,87; при отрицательной зарядке 0,8 — 0,83. Светочувст25 в ительность электрофотопрафических слоев, полученных из вестным способом прои положительной за рядке составляла 0,5; iIIpH отрицательной зарядке — 0,7.

При использовании предлагаемого спо30 соба изготовления биполярных электрофотопрафических слоев методом термическоbio испарения селена в вакууме выход биополярных электрофотопраф ичесиих слоев с высокой светочувствительностью увеличи35 вается в 1,5 — 2 раза.

Способ изготовления биполярного элект40 рофотограф ического носителя, изображения, включающий нагревание подложки,,напыление на .нее слоя селена в вакууме,и термообработку, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения светочувств итель45 ности носителя, в процессе,на пыления осаждающийся слой селена дополнительно нагревают.

Источник, информации, принятый во внимание,при экспертизе:

1. Авторское свидетельство № 239037, кл. G 03 G, 13/02, 19б5.