Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках

 

М. С, Штельмахов, .Н. В. Косинов,/Л. В. Рабинович и ll. С. Гончарова (72) Авторы изобретения (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИБ ЗАПОМИНАЮШИХ

УСТРОЙСТВ НА БИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

ПЛЕНКАХ

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к технологии из готовления запоминающих устройств (ЗУ), и может быть использовано при изготовлении плетеных матриц ЗУ на цилиндрических магнитных пленках (БМП).

По основному авт. св. № 566267 известен способ изготовления матриц ЗУ на цМП, который основан так же, как и предложенный, на плетении обмоток матрицы на технологических струнах пу» тем введения в зев, образованный взаимным смешением струн, провода вместе с ограничительным стержнем, регулирования зева и извлечения стержня m технологических струн в сторону свободного конца провода 1 .

Недостаток этого способа заключает ся в неравномерной по глубине формовке вплетаемых проводов, величина которой убывает в сторону свободного конца провода, в направлении которого извлекается ограничительный стержень. Этот недостаток обусловлен тем, что учас2 ток струны, сходящий с конца стержня (при его удалении иэ струн), опускается на формуемый провод под углом к . нему (по типу ножниц). d результате этого участок формуемого провода смешается в сторону от опушки сплетенного полотна, а сила, формуюшего удара струн уменьшается, убывая по величине в сторону свободного конца провода.

При этом регулирование положения провода в зеве одновременно с удалением ограничительного стержня практически неосуществимо. Неравномерная по глубине формовка вплетаемого проводя и его недоформовка приводят к появлению

3$ растягиваюших усилий при подбивке вплетаемого провода к опушке, уменъше нию его сечения и обрыву.

Бель изобретения - повышение падеж ности изготовления матриц ЗУ на ЦМП, Поставленная цель достига ется тем, что согласно способу изготовления мат риц пропускают провод перед вводом его в зев через сквозное отверстие в

8643

15

30

40

45 ограничительном стержне по центру вдоль его оси, а после ввода его в зев вместе с ограничительным стержнем и регулирования зева одновременно извлекают стержень в сторону свободного конца провода и регулируют положение формуемого участка провода в зеве относительно опушки сплетенной матрицы.

На фиг. 1 схематически показана операция ввода ограчичительного стержня с продетым проводом, на фиг. 2» поло« жение в зеве стержня с проводом; на фиг, 3 - операция удаления ограничительного стержня.

Схема осуществления предлагаемого способа содержит технологические струны (фиг. 1),при взаимном смещении которых образуется прямой зев 2, подготовленный для формирования очередйого полувитка плетеной обмотки, в который вводится ограничительный стержень 3 вместе с проводом 4. Провод 4 пропущен через сквозное отверстие 5, выполненное в ограничительном стержне по центру вдоль его оси. После зажа— тия стержня 3 с проводом 4 технологические струны 1 перемешают, образуя обратный зев 6 (фиг. 2).

Способ ocy:иествляют следующим о6разом.

При изменении зева 2 на обратный

6 (при регулировании зева 2) струны

1 зажимают ограничительный стержень 3, оставляют йровод 4, проходящий внутри стержня, в свободном состоянии, При извлечении стержня 3 в сторону свободного конца провода 4 (фиг. 3) одновременно производят регулирование поло» женин в зеве освобождаемого участка провода относительно опушки сплетенной матрицы, при этом происходит фор,мование провода 4 струнами 1 сходящими с конца стержня 3 (фиг. 3), при чем формование осуществляют участком струны, расположенным в центре максимальной амплитуды зева, за счет

37 центрального положенгя провода, проходящего внутри стержня вдоль его оси, а регулирование положения освобождаемого участка чровода в зеве позволяет дополнительно регулировать амплитуду формовки вплетаемого между струн провода одновременно с извлечением стержня 3 из технологических струн, Требуемая величина формовки вцлетаемых отрезков провода обеспечивается геометрическими размерами и формой рабочей части ограничительного стержня, натяжением струн, степенью регулирования зева, а также положением в зеве освобождаемого (формуемого ) участка провода и конца ограничительного стержня, из которого выходит этот провод в момен; извлечения стержня из технологических струн.

Предложенный способ позволяет .значительно повысить качество формовки и технологическую надежность изготавливаемых матриц.

Формула изобретения !..

Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках по авт. св. № 56R267 отличающийся тем, что, с . целью повышения надел ности изготовления матриц, пропускают провод перед вводом в зев через сквозное отверстие в ограничительном стержне по центру вдоль его оси, а после ввода его в зев вместе с ограничительным стержнем и регулирования зева одновременно извлекают стержень в сторону свободного конца провода и регулируют положение формуемого участка провода в зеве относительно опушки сплетенной матрицы, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

¹ 566267, кл.4 11 С 11/14, 1975 (прототип).

864337

Фиг. Z

Составитель Ю. Розенталь

Редактор М. Бандура Техред Л.Пекарь

Корректор М. Пожо

Подписное

Заказ 7804/74 Тираж 648

ВНИИПИ Государс гвенного комитета СССР по делам изобретений и открытий

11ЗОЗЬ, Москва, ЖЗб, Раушсьая наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ума ород, ул. Проектная, 4

Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх