Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

 

Союз Соевтскмх

Соцмапмстмческмх

Рвс убими

О П И С А Н И Е („)890437

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6! ) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 280480 (2! ) 291950//18-24 с присоединением заявки .% (23) Приоритет (5I)M. Кл.

G 11 С 11/14

3Ьвударстоенный коинтет

ФСТР иа йолом изобретений и открытнй

Опубликовано 151281. Бюллетень 3%46

Дата опубликования описания 15. 281 (53) У@К 681 ° 327 ° .. 66 (088. 8) (72) Авторы изобретения

В.А.Скиданов и Г.К.Чиркин (7!) Заявитель у.т (54) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен канал для продвижения

ЦМД, состоящий из последовательно расположенных несимметричных пермаллоевых элементов управления, например типа "полудиск",нанесенных на поверх 1 ность доменосодержащего слоя с зазо10 ром между элементами, составляющим примерно половину рабочего диаметра

ЦМД С13.

Известен также канал для продви15 жения ЦМД, состоящий из такой же последовательности "полудисков" с увеличенным зазором между аппликациями, под которыми проложена токовая шина таким образом, чтобы концы аппликаций совмещались с краем шины.

ЦМД преодолевает зазор в таком канале при подаче в шину импульса тока определенной длительности и амплитуды создающего потенциальную яму для

ЦМД на краю шины (2).

Недостатком известного устройства является необходимость очень точного совмещения токопроводящей шины и пер,маллоевых аппликаций.

Цель изобретения — упрощение канала для продвижения ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что в канале для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой расположены несимметричные пермаллоевые управляющйе аппликации и токопроводящая шина, последняя размещена под последовательно расположенными несимметричными пермаллоевыми управляющими аппликациями и выполнена шириной, превышающей ширину зоны их размещения на 1/4 диаметра ЦМД.

При этом токопроводящая шина выполнена из материала, создающего магнитострикционный эффект в магнитоодноосной пленке.

890

В предложенном канале для продвижения ЦМД преодоление зазора межд аппликациями происходит не эа счет подачи s шину импульса тока, а благодаря образованию потенциальной ямы для ЦМД в эпитаксиальной пленке вблизи края металлической шины из-за на личия неоднородного механического напряжения в пленке, вызванного раз" ными коэффициентами линейного расширения феррит-граната и материала шины. Такое неоднородное напряжение вследствие отчетливых магнитострикционных cBovlcT$ магнитоодноосной пленки приводит к уменьшению энергии доменной границы ЦМД вблизи края металлической шины с внутренней ее стороны и облегчает преодоление доменом за- зора между аппликациями.

На фиг ° 1 изображена конструкция предложенного канала для продвижения

ЦМД; на Фиг. 2 - области работоспособности каналов с различными зазоl рами между пермаллоеаыми аппликациями (область I - зазор 2 мкм, область

11 - зазор 4 мкм, область 111 - зазор 6 мкм, область 1Ч - зазор 8 мкм, область Ч - для канала с зазором

2 йкм без использования металлической шины).

Предложенный канал для продвижения

ЦМД (фиг. 1) содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены несимметричные пермаллоеаые управляющие аппликации 2 и токопроаодящая ши. на 3, Продвижение ЦМД в предложенном канале осуществляется только с помо.— щью вращающегося поля управления Н„„„

Как следует из фиг. 2, нижние границы областей работоспособности практически совпадают..При нормальном зазоре между аппликациями область работоспособности а присутствии шины расширяется (фиг. 2). Неточность

437

Ч совмещения пермаллоевых аппликаций с шиной в пределах размера ЦМД не сильно влияет на продвижение доменов, если концы пермаллоевых аппликаций остаются под шиной, что существенно упрощает изготовление канала для продвижения ЦМД.

Области работоспособности, измеренные с временным промежутком в пол В года, оказываются .совершенно одинаковыми, что говорит о несущественности усталостных процессов старения устройства.

15 Формула изобретения

l. Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены несимметричные пермаллоевые управляющие аппликации и токопроводящая шина, о т л и ч а а шийся тем, что,с целью упрощения канала для продвижения цилиндрических магд нитных доменов, токопроводящая шина размещена под последовательно расположенными несимметричными пермаллоевыми управляющим аппликациями и выполнена шириной, превышающей ширину зоны их размещения на 1/4 диаметра цилиндрического магнитного домена.

2. Канал по и. 1, о т л и ч а ю— шийся тем, что токопроводящая шина выполнена из материала, создающего магнитострикционный эффект в маг35 нитоодноосной пленке.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент CQA У 4014009, кл. 340-174, опублик. 1979.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке 11 2814!82/18-24, кл. G 11 С 11/14, 1979 (прототип).

890437

12д

Составитель Ю.Розенталь

Техред Т. Иаточка Корректор А.Ференц

Редактор И.Дылын

Филиал ППП "Патент"., г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 11014/81 Тираж 648 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. д. 4/5

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх