Накопитель для запоминающего устройства

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

„,> 875457 (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (51)М. Кл. (22) Заявлено 180280 (21) 2884927/18-24 с присоединением заявки 49 (23) Приоритет

G 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий

Опубликовано 2310 81, Бюллетень 4о 39

Дата опубликования описания 23.10.81 (53) УДК 681. 327.

66 (oss.8) Г овец (72) Авторы изобретения

Н.Л.Прохоров, В.К Раев, Ю.В.Федотов и С.В.За

Институт электронных управляющих машин (71) Заявитель (54 ) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычисли-. тельной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ), в которых носителями информации е являются цилиндрические магнитные домены (ЦМЛ).

Известен накопитель для ЗУ содержащий две группы кольцевых регистров хранения, в каждую из которых записаны соответственно нечетные и четные биты всех слов, хранящихся в чипе.

Регистры хранения каждой группы магнитосвязаны с двумя каналами связи, . по одному из которых осуществляется запись информации в регистры хранения, а по другому — считывание информации из накопителя 11 .

Однако в известном накопителе с увеличением степени интеграции чипа рропорционально уменьшается пермал--О лоевый элемент переключения-репликации ЦМД, а вместе с ним и ширина токовых шин управления переключением и репликацией ЦМД, что существенно снижает потенциальную емкость накопителя, поскольку расстояние между прямолинейными участками регистров хранения при этом увеличивается.

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является накопи- ЗО тель для ЗУ, который содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены два канала запиби-считывания информации и размещенные между ними регистры хранения информации из ферромагнитных аппликаций, причем регистры хранения нечетных разрядов информации магнитосвязаны с одним каналом записи-считывания информации, а регистры хранения четных разрядов— с другим.

В известном накопителе два смежных регистра-хранения информации объединяются в один "свернутый" регистр.

Расстояние (по каналу связи) между такими регистрами не изменяется (составляет два периода схемы продвижения), а используемые пермаллоевые элементы переключения-репликации имеют в два раза большие линейные размеры, чем в накопительной части чипа, и соответственно в два раза более широкие шины управления tn .

Однако объединение смежных регистров хранения в один длинный регистр в два раза увеличивает время поиска необходимой информации в накопителе< в два раза уменьшает длину информационной последовательности

Ц3Щ, записываемой (считываемой) в на87545 7 копитель,в два раэ а уменьшает количество резервных регистров хранения, вводимых в накопитель.

Цель изобретения — увеличение быстродействия известного накопителя для ЗУ.

Поставленная цель достигается путем того, что в нем регистры хранения нечетных и четных разрядов расположены попеременно и выполнены

Г-образной формы, причем их горизонтальные участки направлены навстречу друг другу и магнитосвязаны с соответствующими каналами записисчитывания информации.

На чертеже изображена принципиальная схема предложенного накопителя !5 для ЗУ.

Накопитель для ЗУ содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены регистры хранения нечетных 1 и четных 2 разрядов, магнитосвязан- . Щ ные с каналами 3 и 4 записи-считывания информации, с помощью репликаторов-переключателей ЦМД 5 и б, генераторы ЦМД нечетных 7 и четных 8 разрядов и датчики считывания нечетных 9 и четных 10 разрядов.

Накопитель для ЗУ работает следующим образом.

Генератор 7 ЦМД формирует нечетные, а генератор 8 ЦМД вЂ” четные разряды записываемой в накопитель информационной последовательности ЦМД.

Через определенное количество тактов управляющего магнитного поля (равное в периодах управления половине длины регистра хранения) эта информация переключается с помощью репликаторовпереключателей 5 и 6 в регистры 1 и

2 хранения. В режиме считывания необходимая информационная последовательность ЦМД переключается (разрушающее 40 считывание) или реплицируется (нераэрушающее считывание) в каналы записисчитывания 3 и 4 и проходит к датчикам 9 и 10 считывающего устройства.

По сравнению с известным предложенный накопитель в два раза увеличивает быстродействие накопителя, в два раза увеличивает длину информационной последовательности ЦМД, записываемой (считываемой) в чип; в два раза увеличивает количество резервных регистров хранения; увеличивает процент выхода годных за счет уменьшенной в два раза длины регистров хранения.

Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены два канала записи-считывания информации и размещенные между ними регистры хранения информации иэ ферромагнитйых аппликаций, причем регистры хранения нечетных разрядов информации магнитосвязаны с одним каналом записи-считывания информации, а регистры хранения четных разрядов — с другим, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия накопителя, регистры хранения нечетных и четных разрядов расположены по. переменные и выполнены Г-образной формы, причем их горизонтальные. участки направлены навстречу друг другу и магнитосвязаны с соответствующими каналами записи-считывания информации.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент CttlA Р 4075611, кл. 340-174,опублик. 1978.

2. IЕЕЕ Trans. Magn. V.MAG - 15, 9 б, 1979, р. 1692 (прототип).

875457

Составитель Ю. Роэенталь

Редактор Т. Киселева Техред Ж.Кастелевич Корректор В. Бутяга

Закаэ 9356/78 Тираж 648 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх