Устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ПАТИМТУ (и)890994 (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 240675 (21) 2147427118-24 (23) Приоритет - (32) 22п 774 (31) Р 2435245. 2 (33) ФРГ (51) М. Кл.

G 11 С 11/14

Гввударетввнный квнвтвт сеср вв двлам нзвбрвтвннв н вткритий

Опубликовано 15.12Я1. Бюллетень Ж 46

Дата опубликований описания 15.1281

P3) УДК 681 ° 327 . 66 (088. 8) Иностранец

Франц Навратил (ФРГ) 1

t (72) Автор изобретения!

Иностранная фирма

"Сименс АГ" (ФРГ) (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО

ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известно устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля, содержащее ортогональные катушки Гельмгольца, включенные в резонансные контуры j1 3 N

Недостатком этого устройства является сложность осуществления стартстопного режима работы.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является 1Ü устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля, которое содержит как и предложенное генератор тактовых импульсов, ортогональные катушки Гельмгольца, включен- 20 ные в резонансные контуры, каждый иэ которых последовательно соединен с элементом задержки, регулируемым источником напряжения и ключевым элементом (23. 25

Недостатком известного устройства является низкая надежность в стартстопном режиме работы.

Цель изобретения - повышение надежности устройства для формирования высокочастотного вращающегося магнит" ного поля. Поставленная цель достигается путем того, что устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля содержит переключатели и блок задания программы, соединенный с генератором тактовых импульсов, причем выходы блока задания программы через соответствующие. переключатели соединены со входами ключевых элементов.

Первый и второй переключатели содержат п-р-п-транзистор, коллектор которого через первую RC-цепочку .подключен к базе р-п-р-транзистора, база и-р-и-транзистора через первый резистор соединена со входом переключателя и через второй резистор - с шиной нулевого потенциала, а эмиттер прп-тран994

3 890 зистора соединен с шиной нулевого потенциала.

Третий переключатель содержит два п-р-п-транзистора, эмиттеры которых соединены с отрицательной клеммой источника напряжения и через третий резистор, вторую RC-цепочку и диодысо входом переключателя.

На фиг. l изображена принципиальная схема устройства в целом; на фиг. 2 принципиальная схема переключателей1 на фиг. 3 — временная диаграмма работы устройства.

Уст рой ст во для фор миро вания высокочастотного вращающегося магнитного поля (см. фиг. 1) содержит генератор тактовых импульсов 1, соединенный с блоком задания программы 2, выходы которого через переключатели 3„-3 соединены со входами ключевых элементов 4, включенных последовательно с резонансным контуром 5, элементом задержки 6 и регулируемым источником напряжения 7.

Резонансный контур 5 состоит из параллельно включенного конденсатора 8

H катушки индуктивности 9, в качестве которой может быть использована одна из катушек Гельмгольца. К другим выхо" дам блока задания программы 2 подключена другая часть устройства,-полностью идентичная вышеописанной (на фиг. 1 не показана). Переключатели

3„и 3 содержат каждый и-р-и-транзистор 10, коллектор которого через первую RC-цепочку 11 подключен к базе р-и-р-транзистора l2, база и-р-итранэистора 10 соединена через пер вый резистор 13 со входом переключателя и через второй резистор 1.4 - с шиной нулевого потенциала. Переключатель 3 содержит два и-р-и-транзистора 15 и 16, эмиттеры которых соединены с отрицательной клеммой источника напряжения 17 и через третий резистор 18, вторую RC-цепочку 19 и ° диоды 20 - со входом переключателя.

Предложенное устройство функционирует следующим образом.

Генератор тактовых импульсов 1 выдает последовательность коротких импульсов (см. фиг, За) в блок задания программы 2. Эта последовательность импульсов имеет четырехкратную частоту по сравнению с частотой рабочих импульсов (см. фиг. 3б, в), с помощью которых осуществляется управление переключателями 3„-3>. Включение и отключение вращающегося магнитного поля производится с помощью зо

25 зо

4 сдвинутых по фазе (см. фиг. Зг, д) старт- и стоп-импульсов. Блок задания программы 2 выполнен таким образом, что на выходах х или у выдается единственный старт-импульс, а после отключения выдается на этих же выходах стоп-и мпул ь с бол ьшой длительности. Рабочие импульсы, выдаваемые на выходах х и у блока задания программы 2, параллельно со старти стоп-импульсами, открывают транзисторы переключателя 3g. В результате напряжение И1 источника напряжения

° 23 подается на базу транзистора ключевого элемента 4 с частотой рабочих импульсов. С помощью источника напряжения 17 на старт-, стоп- и рабочие импульсы накладывается постоянное напряжение Оц противоположной полярности (см. фиr. Зе, ж), что способствует быстрому отсосу носителей зарядов с участков база-эмиттер транзистора ключевого элемента 4. При отсутствии импульсов на выходах блока 2 переключатели 3 1 и 34 заперты. Под воздействием старт-, стоп- и рабочих импульсов и-р-и-транзисторы 10 открываются, что обеспечивает прохождение импульсов с крутым фронтом через RC-цепочки 11 к базам р-и-р-транзисторов 12. Последние при этом открываются таким образом, что амплитуды импульсов усиливаются соответственно значениям напряжений источников напряжения 23 и 24. Ре-зисторы 25 содействуют быстрому отсосу зарядов с участков база-эмиттер транзисторов 12 за время пауз между импульсами, что обеспечивает переключение высокочастотных последовательностей импульсов. При открывании переключателей 3 и 3 переключатель 3 заперт. При этом импульсы с крутым фронтом поступают на базу транзистора

15 и открывают его, а источник напряжения 17 отключается запертым транзистором 16. При отсутствии старт-, стоп- или рабочих импульсов транзистор 15 заперт, а транзистор 16 открыт.

При этом к месту соединения резисторов 21 и 22 прикладывается напряжение Uo источника 17. При этом резистор 25 и напряжение источника 17 определяют ток базы открытого транзистора 16.

В предложенном устройстве в отличие от известного устройства можно генерировать импульсы и последовательности импульсов любой продолжительности, при этом блок задания про5 809994 6 т включаться и отключаться второй переключатели содержат и-р-и -раммы может вклю извне и управляться по вн по внешней про- транзистор, коллектор которого через, первую RC-цепочку подключен к базе грамме. р-п-р-транзистора, база п-р"и-тран" зистора через первый резистор соеди" ðмула изобретения 4ена со входом переключателя и через второй резистор " с шиной нулевого

1. Устройство для формирования вы" потенциала, а эмиттер A-ð-и-транзис" сокочастотного вращающегося магнитно- тора соеди нен с шиной нулевого потено поля содержащее генератор такто- 1В циала. вых импульсов, ортогональные катушки 3. Устроиство по пп.

1и2 от

Г льмгольца, включенные в резонанс- е е с я тем, что третий ные контуры, каждыи из которых после- переключатель содержит два и-р-и-трандовательно соединен с элементом за- зистор а эмитте ы которых соединены р е жки егулируемым источником напря- з с отрицательной клеммой источника нажения и ключевым элементом, о т л и - пряжения и через р " р ч а ю щ е е с я тем, что, с ц елью рую яС-цепочку и диоды со входом пеповышения надежности устройства, оно рекяечателя. со е жит переключатели и блок задания Источники информации, программы, соединенный с генератором в принятые во внимание р ие и и экспертизе тактовых импульсов, причем и ичем выходы бло- ° 1. Логические и запоминающие усТ ка задания программы через с ез соответст- ройства на магнитных кристаллах, ру" вующие переключа атели соединены со вхо- ды Института электронных управляющих н вып. 21 И., 1973, с. 69. дами ключевых элементов. машин, вып,, 9, с.

2. Устройство по и. 1, о т л и - 2, Патент ФРГ М 2417874, тем что первый и кл. 21 ct 1, опублик. 1977 (прототип). чающее ся тем, чтопервый и

890994

О+ iZOV

0+ +И

Фи8.Я а

Составитель Ю. Розенталь

Редактор В. Бобков Техред Л. Пекарь Корректор H. Стец а

Заказ 11051/89 Тираж 648 Подпи сное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР, по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Рауаская наб., д. 4/5

Ю филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля Устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля Устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля Устройство для формирования высокочастотного вращающегося магнитного поля 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх