Способ генерации цилиндрических магнитных доменов и устройство для его осуществления

 

17211

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 260580 (21) 2930364/18-24 с присоединением заявки МВ (23) Приоритет

11 С 11/14

Государственный номитет

СССР по делам изобретений и отнрытин

Опубликовано 300382 Бюллетень Мо12

Дата опубликования описания 300382

ДК 681. 327. .66(088.8) l

Е.Ф.Ходосов, В.И.Нецветов. и Ю:В Мелихов (. °

Донецкий физико-технический институт AH Украинск (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЦЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение относится к вычисли тельной технике и предназначено для применения в системах обработки дискретной информации, использунщих цилиндрические магнитные домены (ЦМД).

Известен способ генерации ЦМД и устройство для его реализации, основанные на подаче импульсов тока в петлевой проводник, расположенный на поверхности магнитоодноосной пленки t l l .

Недостатком этого способа является невозможность генерации ЦМД с простой блоховской стенкой.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изббретению является. способ генерации ЦИД основанный на репликации доменов при приложении магнитного поля в плоскости магнитной пленки. В доменосодержаЮей пленке. генерируют цилиндрический маг. нитный домен и управляют положением в нем вертикальных линий Блоха; растягивают указанный домен для получения домена, имеюцего форму полосы изменяют направление вектора намагничивания стенки вытянутого домена так, чтобы он принял направление-, перпендикулярное к стенке домена в месте разделения; разделяют вытянутый домен на два круговых цилиндрических домена, причем положение линий Блоха и топология стенок формируюцихся доменов зависят от направления магнитного поля в плоскости магнитной пленки в период разделения вытянутого домена на два ЦМД, при этом возможна генерация доменов не только л0 с парой линий Блоха, но и с болыаим числом этих линий, что достигается повторньвл расцеплением доменов нужное число раэ. Такие домены могут быть использованы для многоуровневого кодирования информации (23.

15 Недостатком предлагаетлого спосо ба является то, что он не обеспечива ет одноэтапного получения домена без вертикальных линий с простой блоковской стенкой с левытл или правым направлением вращения вектора намагничивания стенки домена, магнитное состояние которого значительно более устойчиво, чем у ЦИД с линиями Блоха.

Цель изобретения - генерация ЦМД с простой блоховской стенкой с заданным направлением вращения вектора намагниченности стенки.

Поставленная цель достигается тем, 30 что в способе ген рации цилннлрнчес91.7211 ких магнитных доменов, основанном на воздействии на магнитоодноосную пленку локальным магнитным полем, одновременно с воздействием локальным магнитным полем воздействуют на магнитоодноосную пленку импульсным вих ревЫм магнитным полем заданного направления.

Для генерации ЦНД предлагаемым способом может быть использовано уст.Ройство для генерации ЦИД, содержа- с0 цее немагнитную подложку с магнитоодноосной пленкой, на которой расположен петдевой проводник, которое содержит также расположенный над петлевым проводником изолирующий слой 15 и конденсатор, одна иэ круговых обкладок которого расположена на изолирующем слое, а другая — на обратной стороне немагнитной подложки, причем .<Руговые обкладки конденсатоРа Рас- 20, положены параллельно плоскости магнитоодноосной пленки, а центры круговых обкладок конденсатора и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной плоскости магнитоодноос д

:ной пленки. ta

На чертеже изображена конструк- ция устройства для генерации ЦМД, используемого для осуществления предлагаемого способа. 30 устройство для генерации ЦИД содержит немагнитную подложку 1, иа которой размещена эпитаксиально выращенная магиитоодноосная пленка 2, содержащая домены. На укаэанной плен-35 ке 2 расположен петлевой проводник 3 l любой известной конструкции, позволяющей генерировать цилиндрический магнитный домен в месте расположения петли, и изолирующий слой 4, на котором сформирована круговая обклад- ка 5 конденсатора. Вторая обкладка 6 конденсатора расположена на обратной стороне немагнитной подложки 1. Центры обкладок 5 и 6 конденсатора и петлевого проводника 3 лежат на одной оси, перпендикулярной плоскости пленки 2.

В соответствии с предлагаемым способом устяойство для генерации

ЦИД работает следующим образом.

На петлевой проводник 3 подают

;импульсы тока для зарождения цилиндрического магнитного домена в магнитоодноосиой пленке 2. Топология доменной стенки зарождающегося ЦМД в, данном случае,непредсказуема. С целью зарождения ЦИД с простой бло.ховской стенкой одновременно с подачей импульса тока в нуклеационный, проводник, на обкладки 5 и 6 конден- 60 сатора подают импульс напряжения треугольной формы, длительность от генератора импульсов напряжения переднего фронта которого равна длительности импульса тока генератора импульсов тока, а длительность заднего фронта импульса напряжения безразлична. При этом посредством конденсато,ра в пло"кости пленки 2 образуется вихревое магнитное поле, которое йредопределяет направление вектора на магничивания стенки зарождающегося цилиндрического домена. В зависимости от полярности импульсов напряжения на обкладках 5 и 6 конденсатора вихревое магнитное поле будет иметь левое или правое направление вращения, и зарождающийся домен будет соответственно иметь левое или правое направление вращения вектора намагниченности доменной стенки.

Предлагаемйй способ генерации ЦИД и устройство для его осуществления позволяют генерировать ЦИД с простой блоховской стенкой с заданным направлением вращения вектора намагничен- ности стенки.

Формула изобретения

1. Способ генера. ии цилиндрических магнитных доменов, ос нованный на воздействии на магнитоодноосную пленку локальным магнитным полем, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью генерации цилиндрических магнитных доменов с простой блоковской стенкой с заданным направлением вращения вектора намагниченности стенки, одновременно с воздействием локальным магнитным полем воздействуют иа магнитоодноосную пленку импульсным вихревым магнитным полем заданного направления.

2. устройство для генерации цилиндрических магнитных доменов, содержащее немагнитную подложку с маг1 нитоодноосной пленкой, на которой расположен петлевой проводник, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что оно со держит расположенный над нетлевым проводником изолирующий слой и конденсатор, одна из круговщс обкладок которого расположена на изолирующем слое, а другая - на обратной стороне немагнитной подложки, причем круговые обкладки конденсатора расположены параллельно плоскости магнитоодноосной плевки, а центры круговых обкладок конденсатора и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной плоскости магнитоодноосной пленки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент СИ Р 3996577 кл. 340-174, опублик. 1978.

2. Патент СЩ У 4001794, кл. 340-174, опублик. 1978 (прототип) .

917211

Генерапюру

un È

М tg lfF ." . МЭУСОставитель Ю.Розенталь

Редактор А.Власенко Техред M. Tenep Корректор В.Синицкая

Заказ 1894/70 е Тираж 624 Подписное

BHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Носква, Ж-Э5, Раушская наб, д. 4/5 i

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная. 4

Способ генерации цилиндрических магнитных доменов и устройство для его осуществления Способ генерации цилиндрических магнитных доменов и устройство для его осуществления Способ генерации цилиндрических магнитных доменов и устройство для его осуществления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх