Запоминающее устройство

 

ОП ИСАНИЕ< 911618

И3ОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советсиин

Социапистичесиин

Реснубпии

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. с вид-ву (22) Заявлено 070380 (21) 2893393/18-24 (5l)M. Кл. с присоединением заявки №

G 11 С 11/14

1ееударетееНный кеиитет

СССР ао делам изобретений н открытий (23}Приоритет

Опубликовано 070382 Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 070382 (53) УДK б81. 327. .66(088.8) (72) Автор изобретения

С.Н. Смирнов

Институт электронных управляющих м (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке накопителя информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для внешней памяти ЭВМ

Известно запоминающее устройство (ЗУ), содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения ЦМД, канал ввода-вывода ЦМД,магниторезисторные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения ЦМД, переключатели ЦМД и токопроводящая шина . Это ЗУ является помехоустойчивым, так как в нем осу -ществляется вывод информации в парафазном коде по двум выходным каналам, подключенным к двум магниторезистивным датчикам,1$.

Недостатком такого ЗУ с парафазным считыванием информации является

2 невысокая надежность из-за недостаточно надежной работы узла перераспределения ЦМД-информации в парафазную ЦМД-информацию. Кроме того, построение такого ЗУ осложняется дополнительной токопроводящей шиной и дополнительной электроникой.. Наиболее близким к изобретению

Ю является ЗУ, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения

ЦМД из ферромагнитных аппликаций, 35 канал ввода-вывода ЦМД, магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения

ЦМД, переключатели ЦМД, связанные с каналом ввода-вывода ЦМД, и токо.проводящая шина, магнитосвязанная с каналом ввода-вывода ЦМД. Операция парафазного перераспределения инфор-. мации в этом ЗУ совмещена с операциями считывания информации и для

3 911 их обеспечения необходима одна токопроводящая шина (23.

Недостаткам известного ЗУ является его относительная сложность из"за наличия дополнительных устройств стирания ЦМД в основных замкнутых каналах продвижения ЦМД и вспомогательной электроники.

Цель изобретения — упрощение ЗУ;

Поставленная цель достигается путем того, что в ЗУ переключатели

ЦМД магнитосвязаны с дополнительны-! ми каналами продвижения ЦМД посредством токопроводящей шины, расположенной под переключателями ЦМД и соответствующими аппликациями первого дополнительного канала продвижения

ЦМД.

Первый дополнительный канал продвижения ЦМД выполнен из К-образных ферромагнитных аппликаций, а второй— из, серпообразных ферромагнитных аппликаций, причем К-образные ферромагнитные аппликации магнитосвязаны

Друг с другом концами двух наклонных перемычек, а каждая из серпообразных ферромагнитных аппликаций магнитосвязана одним концом с двумя смежными К-образными ферромагнитными аппликациями первого дополнительного канала продвижения ЦМД, а другим концом — с внешней стороной смежной серпообразной аппликации. На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого ЗУ.

ЗУ содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 3 шевронной, С-образной и У-об-. разной формы, образующие основные замкнутые каналы 4 продвижения ЦМД, имеющие переключатели 5 ЦМД с выступами 6-8, первый дополнительный канал 9 продвижения ЦМД с аппликациями

10 К-образной формы, имеющими наклон-. ную перемычку 11 с концом 12, наклонную перемычку 13 с концом 14, сторону 15 с концами 16 и 17, второй дополнительный канал 18 продвижения

ЦМД с аппликациями 19 серпообразной формы, имеющими первые 20 и вторые

21 концы и внешние 22 стороны аппликаций, образующие узел 23 магнитной связи, канал 24 ввода-вывода ЦМД с аппликациями 25, аппликации 26 и 27, связывающие канал 24 с каналами 4, магниторезистивные датчики 28 и 29, подключенные к каналам 9.и 18, токопроводящая шина 30, расположенная

618 4

При осуществлении режима записи

ЦМД-информации (в каналы 4) от генератора 35 в канал, 24 поступает информация в виде наличия (единица) или отсутствия ЦМД {нуль). При положении В вектора управляющего поля

Н ЦМД оказываются в позициях 12 и

14 аппликаций 10. В этот момент по шине 30 с областями 31-33 и выводами 34 подают импульс тока длитель. ностью, равной половине периода поля

Ну . В положении А вектора Н в позициях 12 и 14 оказываются отталкивающие полюса и ЦМД переходят вдоль участков шины 30 в позиций 7 аппликаций 5 каналов 4, т.е. осуществляется запись ЦМД-информации в каналы 4.

Режим стирания информации из ка-.

1алов 4 осуществляется одновременно

35 областями 31 под перемычками 11 и 13

К-образных аппликаций 10, областями

32 и 33, соответственно, под выступа- ми 6 и 8 переключателей 5 каналов

4 и имеющая выводы 34. Устройство содержит генератор 35 записи информации, генератор 36 записи единиц и ограждение 37, выполненное из аппликаций 3.

В основе работы предлагаемого ЗУ лежат известные методы управления перемещением ЦМД с помощью ферромагнитных аппликаций и вращающегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющего магнитного поля, а также с помощью магнитных полей,создаваемых токопроводящими шинами при пропускании по ним импульсов тока.

Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные полюса А, Б, В, Г, . взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних.

Работа двух групп основных замкнутых каналов, двух групп выходных каналов, двух групп датчиков, генераторов и т.д. отличается друг от друга только тем, что все операции и режимы происходят со сдвигов по времени друг относительно друга на

180 . Поэтому рассмотрим работу только одних из этих групп.

3У на ЦМД работает следующим образомм.

Перед началом работы ЗУ из генератора 36 записи единиц поступают

ЦМД 2 в канал 9. Рассмотрим основные режимы работы ЗУ на ЦМД с парафазным считыванием информации.

5 911 с режимом записи информации в моменI ты. В-А вектора поля Н . В момент В вектора Н> ЦМД находятся под концами аппликаций 5. При положении Гвектора Н> ЦМД каналов 4 находятся в позициях 6. При положении A вектора Н< ЦМД переходят из позиций 6 каналов 4 вдоль участков шины 30 под аппликации 26 и далее, продвигаясь под аппликациями 26 и 27, поступают в канал 24, вызывая тем самым стирание информации в каналах 4.

При осуществлении режима считывания информации, находящейся в каналах 4, в момент положения вектора

Н> между векторами A и В подают импульс тока длительностью, равной три четверти периода. В случае, если считывается единица,.то в этот момент ЦМД находятся в позициях 8 аппликаций 5. При подаче импульса тока в каждой из аппликаций 5 происходит деление ЦМД на два домена, а при положении В вектора Н е позициях 7 аппликаций 5 возникают отталкивающие полюса, и одни из разделенных ЦМД переходят вдоль участков шины 30 в позиции 12 и 14, а другие остаются в каналах 4; В этот же момент за счет протекания тока по:участкам 31 шины

30 происходит растяжение ЦМД в позициях 12 и 14 канала 24 и осуществляется взаимодействие с ЦМД канала 9.

В результате этого взаимодействия

ЦМД канала 9 из-под концов 20 перехо- 35 дят вдоль аппликаций 19 под их средние части 22 и далее, продвигаясь по каналу 18, считываются датчиком 29.

В случае, если считываются нули, то описанных деления и переключения 4О

ЦМД не происходит и ЦМД канала 9 беспрепятственно проходят узел 23 магнитной связи и считываются датчиком 28, вызывая на выходе устройства сигналы активных нулей противопо- 45 ложных по отношению к сигналам единиц полярности.

Предлагаемое ЗУ на ЦМД с парафазным считыванием информации обладает следующими преимуществами: упрощается построение ЗУ с парафазным считыг ванием информации путем исключения дополнительных устройств стирания

ЦМД, уменьшения количества выводов и появления удобств, связанных с односторонним обращением к основным замкнутым каналам.

618 6

Формула изобретения

1. Запоминающее устройство, содер- жащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижения цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, канал ввода-вывода цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижения цилиндрических магнитных доменов,переключатели цилиндрических магнитных доменов, связанные с каналом вводавывода цилиндрических магнитных доменов, и токопроводящая шина, магнитосвязанная с каналом ввода-вывода цилиндрических магнитных доменов, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, переключатели цилиндрических магнитных доменов магнитосвязаны с дополнительными каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов посредством ,токопроводящей шины, расположенной под переключателями цилиндрических магнитных доменов и соответствующими аппликациями первого дополнительного ,канала продвижения цилиндрических магнитных доменов.

2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что первый дополнительный канал продвижения цилиндрических магнитных доменов выполнен из К-образных ферромагнитных аппликаций, а второй — из серпообразных ферромагнитных аппликаций, причем К=образные ферромагнитные аппликации магнитосвязаны друг с другам концами двух наклонных перемычек, а каждая из серпообразных ферромагнитных аппликаций магнитосвязана одним концом с двумя смежными К-образными ферромагнитными аппликациями первого дополнительного канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, а другим концом - с внешней стороной смежной серпообразной аппликации.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1,. Авторское свидетельство СССР

И 526017, кл. G.11 С 11/ 14, 1976.

2. Авторское свидетельство СССР

N 691924, кл, G 11 С 11/14, 1977 прототип).

Заказ 1138/45. Тираж 624

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, I-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Ьилиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель Ю. Розенталь

Редактор С. Тараненко Техред Л.Пекарь. Корректор Г.Огар

Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство Запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх