Сегнетоэлектрический керамический материал

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

< >935498 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 13. 11. 79 (21) 2838211/29-33 с присоединением заявки ¹(23) Приоритет

Опубликовано 1506.82. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 15.06. 82 р М g> з

С 04 В 35/46

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 666.655 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Н. Е. Заремба, В.И.Жуковский, Н.И.Пахомова, Г.П.Симо и Г.В.Чернышева (7! ) Заявитель (5 4 ) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЯ КЕРАМИЧЕСКИЙ

ИЛ 1 Е РИАЛ

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть иснользовано преимущественно для.изготовления монолитных керамических конденсаторов, которые явлжотся одной из наиболее перспективных разновидностей керамических кондансаторов.

В качестве материала для электродов в них используют, как правило, благородные металлы - платину и палладий

В конденсаторостроении все большее значение приобретает проблема экономии благородных металлов, при замене которых на неблагородные необходимо проводить вжигание электродов в восстановительной газовой среде.

Известны конденсаторные материалы на основе титанатов, цирконатов кальция, а в качестве материала для электродов используют молибден марганцевую пасту (1).

Однако эти материалы имеют или высокую температуру спекания, или не@>лысую величинУ диэлектрической проницаемости.

Наиболее близким к предлагаемому является сегнетоэлектрический кера.мический материал, в который входят

rпедующие исходные компоненты, маС.Ъ:

MgO 0,7-1,5

Саьоз 5,0-6,3

ВаТ1ОЗ Остальное

5 Данный водородоустойчивый материал имеет величину диэлектрической проницаемости Е=4080+4600, темпера,туру спекания в водороде T=1300+

+20 С, электроды на основе молибдена Г23 .

Этот материал обладает недостаточной диэлектрической проницаемостью и имеет высокую температуру спек ан и я.

Цель изобретения — снижение температуры спекания в водороде и повышение диэлектрической проницаемости.

Указанная цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторов с электродами из неблагородных металлов, включающий ВаТХОв, СсФЛгО, дополнительно содержит Ип при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ:

ВаТ10з 90, 30-91, 26

Са.7 ОЗ 8, 14-8,97

30 МпО 0,60-0.,67

935498

0,022+0,025

10 + 10

Формула изобретения

Составитель Н. Фельдман

Техред С. Мигунова Корректор В.Бутяга

Редактор A. Гулько

»»

Заказ 4150/29 Тираж 641 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул . Проектная, 4

Реальность предлагаемого соотношения ингридиентов подтверждается приведением следующих примеров по минимальному, максимальному и среднему значениям, sec.%!

Пример 1. По минимуму, В:

ВаТ10 91,26

Загружают в вибромельницу в виде порошков титанат бария н количестве

90,92%, затем. добавляют к нему цирконат кальция 8,11 В,и углекислый мар- l0 ганец 0,97%.

Характеристики материала следующие:

Диэлектрическая про- 15 ницаемость,Е 4800-5200

Тангенс угла диэ— лектрических потерь, дб

Удельное объемное сопротивленИе, Я, "Ом м

Температура спекания вН,1, Т, С

1250+30

Пример 2. По максимуму,Ъ:

BaTip 90,36; СТО, .8,97; Мпо 0,67.

Загружают в вибромельницу н виде порошков титаиат бария в количестве

89,98%, затем добавляют к нему цирконат кальции 8,93% и углекислый марганец 1,09%. 30

Характеристики материала следующие:, Е 5 00 0+55 00

tg6 0,022+0,025 35

S, Ом. м

10 +10

Т С 1250+30

Пример 3. По среднему. значению, %:, Ba Tip> 90, 81; Ca3t 0>l 8, 56;

МпО О, 63. 40

Загружают в вибромельницу в виде порошкон титанат бария н количестве

90,45 Ъ, затем добавляют к нему цирконат кальция 8,52 % и углекислый марганец 1,03 Ъ. 45

Характеристики материала следующие

Е 5000+5 800

tgb 0,007+0,015

p,Ом м +10 fO

1250 + 30

Сегнетокерамический нодородоустойчивый материал получают следующим образом.

Указанные н примерах 1-3 компоненты перемешивают в вибромельнице в течение 2-3 ч и в результате получают тонкоизмельченный порошок, к которому добавляют полининилоный спирт, а затем формуют образцы прес1 сованием дисков, на которые наносят электроды из молибдено- марганцевой пасты. Образцы обжигают в увлажненном водороде при Т=1250+ЗООС и получают дисковые заготовки конденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала.

Как видно из приведенных данных, температура спекания в водороде у предлагаемого материала на 75 ниже, а диэлектрическая проницаемость на

1200 выше, чем у известного.

Сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления монолитных керамических конденсаторон с электродами из неблагородных металлов, включающий ВаТ109, Carr O отличающийся тем, что, с целью снижения температуры спекания в водороде и повышения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит МпО при следующеь соотношении компонентов, мас.%:

BaTiOq 90,36-91,26

Садвал 8,14-8,97

МпО 0,60-0,67

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 621657, кл. С 04 В 35/46, 1975.

2. Ав*орское. свидетельство СССР

-Р 662532, кл. С 04 В 35/46, 1975.

Сегнетоэлектрический керамический материал Сегнетоэлектрический керамический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники
Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к составам и способам получения керамических резистивных материалов
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способу изготовления нагревательных терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Изобретение относится к области электроники, более конкретно к пироэлектрическим материалам для неохлаждаемых приемников инфракрасного излучения диапазона 8-14 мкм

Изобретение относится к низкотемпературным стеклокерамическим материалам и может быть использовано в электронной технике СВЧ
Наверх