Материал для терморезисторов

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

О тт И С А Н И Е < 938321

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Соввтсннк

Соцналнс тически к

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к акт. свил-ву (51)М. Кл.

Н 01 С 7/00 (2 ) Заявлено 29. 05. 80 (21) 2933362/18-21 с присоединением заявки №(23) Приоритет

Опубликовано 23. 06. 82. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 23. 06.82

3bcyaspclsuN4 кемнтет

СССР по делам юаеретеккй и открытий (53) УДК 621. 316. .8(088.8) (72) Автор изобреъения

А.ф.Карташева

1

- . и !.

° .

Всесоюзный заочный политехнический институт (7l ) Заявитель (54) ИАТЕРИАЛ ДВЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ!

Изобретение относится к радиоэлект ронике и может быть использовано для изготовления терморезисторов.

Известны материалы для терморе-. зисторов на основе титана бария с различными добавками 13.

Такие термореэисторы характеризуются аномально высоким положитель-ным температурным коэффициентом сопротивления. При их изготовлении необходима температура 1350-1400 С.

Цель изобретения - упрощение технологии изготовления терморезисторов и снижение температуры отжига на

100-200о

1$

Эта цель достигается применением известного керамического конденсаторного материала состава, вес. 4:

Титан бария 91 7 - 98,9

Окисел редко- 20 земельного элемента 0,1 " 1,3

Двуокись кремния 1,0 - 7,0 для изготовления терморезистооа.

2 .В таблице приведены параметры термореэисторов при максимальном, минимальном и среднем содержании титана бария в предлагаемом материале.

На чертеже .изображено изменение удельного сопротивления в зависимос- ти от температуры и состава термореэистора.

Использование предложенного керамического материала для изготовления терморезисторов имеет то преимущество, что при нанесении омического и неомического электродов на одном материале возможно получить термо, резистор и конденсатор, Применение керамического конденса-, торного материала в качестве материала для термореэисторов обеспечивает снижение температуры спекания на

100-200оС и применение недорогих и недифицитных добавок, что тюэволяет удешивить приготовление терморезисторов и снизить их стоимость на 10-f53.

938321

Примерное положение температурного интервала

ПТКС,ОС

g,0è м при 20оС

Состав

35 115-.130

125-145

35 (Gda03,), 140-160

35

2о в качестве материала для терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления.

Истчоники информации, принятые во внимание при экспертизе

Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М,, "Энергия"

1976, с. 260.

80 0 N N юо И1 1Þ mo Ю ZoO

ВНИИПИ Заказ 4473/75 Тираж 761 Подписное филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 (ВаТ10 ) сщ (S102) (Qd Q fg „ (BaTi0>)g > (S10 )+ (G,ОЗ)0з (Ват1ОЗ) дМ (Ь! О,д), формула изобретения Применение керамического конденсаторного материала состава, вес.3:

Титан бария 91,7 - 98,9

Окисел редкоземельного металла O,1Двуокись кремния 1,0 - 7,0

Величина максимального ТКС, о С (не менее)

Материал для терморезисторов Материал для терморезисторов 

 

Похожие патенты:

Позистор // 894805

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх