Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

(72) Авторы

«зобретеяия

Т.П. Поташникова, В.С, Пчелина, 3.3. Воложинская, В.П. Карлов и Т.Л. Попова (71) Заявятель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ ИАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении постоянных и переменных толстопленочнык резисторов и интегральных схем.

Известен резистивный материал на З основе рутения, в .частности на основе двуокиси рутения, в смеси с непроводящей фазой - стеклом или кера- микой (11., Недостатком таких композиций является высокий температурный коэффициент сопротивления (TKC) порядка (240-500) 10" 1/оС. Более прогрес" сивным является применение рутения в виде рутената Pb Ru O<.

Наиболее близким по технической сущности. к предлагаемому является резистивный материал, состоящий из токопроводящей фазы - рутената свин28 ца PQRu<0>, легированного добавками: оксидом.ванадия и сурьмы, и непроводящей фазы - свинцовоалюмо" боросиликатного стекла (2 .

Недостатками этого резистивного материала являются низкий диапазон номинальных значений сопротивления 42-952 Ом/o, высокий ТКС (от

-300 до +360)10 оград " .

Цель изобретения - расширение диапазона сопротивлений в сторону высокоомных значений и снижение ТКС, Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе рутената свинца РЬ,7 Ь О, легированного добавками в виде оксида ванадия ЧоО и оксида сурьмы Sb<0<, и стеклосвязующее в виде свинцовоалюмоборосиликатного стекла, дополнительно содержит в качестве легирующей добавки иодид свинца и оксид циркония при следующем соотношении компонентов, вес.Ф:

Рутенат свинца

PgRu<0< 34,58-40 95

Иодид свинца PbJy 0,76-2,1

Оксид циркония ZrOy 0,38-0,45

945908

1,9-2,25

0,38-0,45 ф

В таблице представлены смеси для получения резистивного материала предлагаемого состава.

Остальное

ТКС 10 град

Удельное поверхност ное сопротивление

R, Ом/О

РЬ йц .ОЬ 34 5

+40

220.000-100

PbJg 0,76

-470.000

0,38

Zr0

Свинцовоалюмоборосиликатное стекло Остальное

Pb+Ru +06 36, 96

+100

+50

2,1

PbJi

0,42

Zr0<

v<0<

2,1

0,42 Ь О

Свинцовоалюмоборосиликатное стекло Остальное

Pb06 37,38

+125

+30

PbJy 1,68

Zr0<

0,42

2, 1

Ч 05

0,42 Ь 05

Свинцовоалюмоборо; силикатное стекло Остальное

Оксид ванадия Н О

Оксид сурьмы Sb<0<

Свинцовоалюмоборосиликатное стекло

Состав композиции, вес. 3

Н О 1ь9

БЬ 05 Оф 38

68.000-100.000

68.000†1.000 при -60оС при +155оС

» «Ф

945908

ТКС 10 град-"

Состав композиции, вес.Ф

Удель ное поверхностное сопротивление

Р, Ом/о при -60 С при +155 С

Pb Ru<0„ 38,22

+80

+100

100,000-150.000

0,84

РЬ.1Ч

Кго 0,42

2,1

И,о

ЬЬЧО5 0,42

47.000+125

РЬЧКиЧО6 40,95

-68.000

0 9

0,45

2гОЧ

2,25

0,45 Ь О

Свинцовоалюмоборосиликатное стекло Остальное

Свинцовоалюмоборосиликатное стекло Остальное

Пример . Токопроводящий материал и стекло измельчают и перемешивают с временной органической связкой. Пасту наносят на керамическое основание методом сеткотрафаретной печати. Обжиг резистивных паст ведут на воздухе при 850-900оС.

Применение укаэанных составов дает возможность получить реэистивные слои с высоким удельным сопротивлением 47000 Ом/ц-470 000 Ом/а,: что по сравнению с известными позволяет повысить сопротивление в 100-500 раз.

Кроме того, приведенные составы снижают ТКС по сравнению с известными в 3 раза до значений (от -100 до +125) 10- Г/ С в температурном диапазоне от -60 до +1550С.

Продолжение таблицы формула изобретения

Резистивный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе рутената свинца Pb Ru<0, легированного добавками в виде оксида ванадия

ЧЧО и оксида сурьмы ЬЬЧО, и стеклосвязующее в виде свинцовоалюмоборосиликатного стекла, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью расширения диапазона сопротивления в сторону высокоомных значений и снижения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит в качестве легирующей добавки иодид свинца и оксид циркония при следующем количественном соотношении компонентов, вес.ь:

Остальное

Рутенат свинца

РЬ,,О, .Иодид свин ца Pb J g

Оксид циркония ЕгОв

Оксид ванадия V 0g

Оксид.cypbw Sb O

Свинцовоалюмоборо силикатное стекло

34,58-40,95

0,76-2,1

0,38-0,,45

1»9-2 25

0,3$-0,45

945908 8

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Великобритании И 1148926, кл. С 1 М, 1966.

2. Патент Великобритании М 1329358, кл. H 1 S, 1970 (прототип).

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. д. 4/5

Филиал Ilnfl "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, Составитель Е. Ковалева

Редактор Т. Кугрышева Техред П Пекарь Корректор Н.Король акаэ 53 0 70 Тираж 7 1 Подписное j

Резистивный материал Резистивный материал Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх