Устройство для отбраковки мощных транзисторов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик ()983596 (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 09Л3.81 (2"!),3258296/18-21 с присоединением. заявки ¹ (23) Приоритет

Р М К з

G 01 Р 31/26

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий

Опубликовано 23,1 82. Бюллетень ¹ 47 ($3} УДК 621. 382. .. 2(088.8) Дата опубликования описания 231282 (72) Авторы изобретения

В.A. Сергеев, A A. Широков и О.А. Дулов.. -. !

Г

Ульяновский политехнический инс2йчьу

"м;» ! ! !

f (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ OTBPAKOBKH ИОЩНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля качества изготовления мощных транзисторов и отбраковки потенциально не5 надежных приборов.

Известно устройство для выявления транзисторов с "горячими пятнами", содержащее источник коллекторного напряжения, стабилизатор эмиттерного тока и инфракрасный иикрорадиометр (1).

Недостатками указанного устройст-, ва являются его низкая производительность, большая стоимость и сложность настройки КК микроскопа и неприменимость для полностью готовых приборов °

Наиболее близким техническим решением к изобретению является устройство для контроля качества и отбраковки мощных транзисторов с

"горячими пятнами",, содержащее стабилизатор эмиттерного тока, источник линейно нарастающего коллекторного напряжения и осциллограф Г23 °

Недостатком устройства является его низкая эффективность из-за низкой точности определения напряжения на коллекторе, при котором происхо. дит образование "горячего пятна" 30 Целью изобретения яэляется повышение точности измерения и быстродействия устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клеьп..у для подключения коллектора испытуемого транзистора, соединенную с выходом генератора линейно нарастающего напряжения, клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока, и клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, введены дифференцирующая цепь, блок формирования импульсов и вольтметр, которые последовательно соединены, вход дифференцирующей цепи подключен к выходу стабилизатора тока, а измерительный вход вольтметра соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора.

На чертеже представлена структур ная схема предлагаемого устройства., Устройство содержит генератор 1 линейно нарастающего напряжения, стабилизатор 2 тока, дифференцирующую цепь 3, блок 4 формирования импульсов, вольтметр 5, работающий в

983596

Формула изобретения

Составитель Н. Чистякова

Редактор Н, Гунько Техред С.Мигунова Корректор Л. Дзятко

Заказ 9913/53 Тираж 717 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )(-35, Раушская наб., д. 4/5 .

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 режиме внешнего запуска, три клеммы

6-8 для поцключения испытуемого транзистора и клемму 9 "запуск".

Устройство работает следующим образом.

При появлении сигнала "Запуск" на клемме 9 (например, при нажатии кнопки) генератор 1 линейно нарастающего напряжения вырабатывает напряжение, поступающее на коллектор испытываемого транзистора, змиттерный ток которого стабилизируется стабилизатором 2 тока, а база соединес на с общей шиной.

Напряжение, снимаемое с змиттера, поступает на дифференцирующую цепь 15

3, на выходе которой при образовании

"горячего пятна" появляется короткий импульс, который -атем усилинается и формируется блоком 4 и поступает на запускающий вход вольтметра 5, 20 на измерительный вход которого пбступает коллекторчое напряжение испытываемого транзистора с KJ еммы 6, так что вольтметр 5 измеряет напряжение на коллекторе испытываемого транзис- 25 тора н момент образования "горячего пятна".

Технические характеристики блоков, входящих в состав устройства, определяются типом испытываемого транзистора и требуемой точностью. j3 частности нремя измерения измерительного вольтметра должно быть много меньше длительности импульса линейно нарастающего напряжения.

Производительность предлагаемого устройства составляет 300 шт./ч, погрешность измерения меньше 4* в отличие от известного устройства, погрешность которого составляет не менее 10%.

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее, клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, соединенную с выходом генератора линейно нарастающего напряжения, клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока, и клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерения и быстродействия, в него введены дифференцирующая цепь, блок формирования импульсов и вольтметр, которые последовательно соединены, вход дифференцирующей цепи подключен к выходу стабилизатора тока, а измерительный вход вольтметра соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Peich В., Hakim Е. В. Hotspot thermaI resistance in power

transistors. — IEEE Trans., V, tD16, 1969, Ф 2, р„ 166- 170.

2. Кнурт A.H, Миндлин Н.Л. Диагностический неразрушающий контроль мощных микросхем. — "Электронная техника"., Сер. 2, вып. 4, 1980, с. 74-79 (прототип).

Устройство для отбраковки мощных транзисторов Устройство для отбраковки мощных транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх