Устройство для измерения электропоглощения и электроотражения света (его варианты)

 

1. Устройство для измерения электропоглощения и злектроотражения света, содержащее источник света, источник модулирующего напряжения, последовательно соединенные блоки измерения и регистрации прошедшего и отраженного от образца света, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности. дополнительно содержит формирователь импульсов модулирующего напряжения, включенный между источником модулирующего напряжения и образцом, состоящий из последовательно соединенных фотоэлемента , делителя частоты и усилителя, поворотное полупрозрачное зеркало и.модулятор интенсивности света выполненный в виде диска, имеющего концентрический ряд отверстий , расположенный между источником света и поворотным полупрозрачным зеркалом , причем поворотное полупрозрачное зеркало оптически связано с образцом и фотоэлементом формирователя импульсов модулирующего напряжения, блоки измерения содержат избирательные узкополосные усилителм. настроенные на разностную частоту и. - о)- - а)2, где ал-частота импульсов света на выходе модулятора света: 0)2 частота импульсов на выходе Формирователя иг.-пульсов модулирующего напряжения . 2. Устройство по п. 1, содержащее источник света, источник модулирующего напряжения , последовательно соединенные блоки измерения и регистрации проше,цшего и отряженного от образца света, о т л и чающееся тег-/., что, с целью повышения (Л чувств..чости, дополнительно содерс жит второй источник света, формирователь импульсов модулирующего напряжения, включенный между источником модулирующего напряжения и образц.м, состоящий из последовательно соединенных фотоэлеменю ю та, делителя частоты и усилителя, модулятор интенсивности света, выполненный Б виде СА диска с двумя концентрическими рядами VI отверстий, расположенный между первым XI источ,чиком света и образцом., приче.м фотоЬ элемент формирователя импульсов модулирующего напряжения оптически связан с вторым источником света через отверстия диска модулятора интенсивности света, блоки измерения содержат избирательные узкополосные усилители, настроенные на разностную частоту Q о/ч - С02.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

FÅÑÏÓÁËÈÊ (я)с Н 01 L 21/66

ГОСУДАРСТВЕ ННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ пРи гкнт сссР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3298296/25 (22) 02.06.81 (23) 12.09.80 (46) 07.11.91. Бюл. N. 41 (71) Институт радиотехники и электроники

АН СССР (72) А.Л.Александров, А.С.Веденеев, А.Г.Ждан, Ю.В,Маркин, Н.Е.Никитин и B,Ã.TåñòoB (53) 621.382(088,8) (56) Труды 1Х международной конференции по физике гюлупроводников. Ы.: 1968, Л.:

Наука, 1969, Т,1, с. 398, Б.Лэкс Экспериментальные исследования структуры энергетических зон в твердых телах, УФ Н, 70, I l I, I 960. (54) YСТPОЙСTBО ДЛЯ ИЭME P EH Èß

ЭЛЕКТРОПОГЛОЩЕНИЯ И ЭЛЕКТРООТРАЖЕНИЯ СВЕТА (ЕГО ВАРИАНТЫ) (57) 1. Устройство для измерения элек ропоглощения и электроотражения света, содержащее источник света, ис — î÷íèê модулируюшего напряжения. последовательно соединенные блоки измерения и регистрации прошедшего и отраженного от образцасвета,отличающееся тем, чTQ, с целью повышения чувствительности, дополнительно содержит формирователь импульсов модулирующего напряжения, включенный между источником модулирующего напряжения и образцом, состоящий из последовательно соединенных фотоэлемента, делителя частоты и усилителя, поворотное полупрозрачное зеркало и модулятор интенсивности света выполненный в виде, диска, имеющего концентрический ряд отверстий, расположенный между источником

„„. Ц „„993774 Al света и поворотным полупрозрачным зеркалом. причем поворотное полупрозрачное зеркало оптически связано с образцом и фотоэлементом формирователя импульсов модулируюшего напряжения. блоки измерения содержат избирательные узкополосные усилителië, настроенные на разностную частоту U=в1 — oa. (де ol; — частота импульсов света на выходе модулятора света; в — частота импульсов на выходе Формирователя и;-.:.Пульсов модулирующего напряжения.

2. Устройство по и. 1, -îäåðæàùåå :источник света, источник модулирующего напряжения, последовательно соединенные блоки измерения и регистрации прошедшего и отраженного ст образца света, о т л ич а ю щ е е с я тем, ч о, с целью повышения чувств. .те",ü.ности, дополнительно содержит второй источник света, формирователь импульсов модулирующего напряжения, вкл оченный между 1сточн ком модулирующего чапряжения и образц:iM, состоящий из последовательно соединенных фотоэлемента, делителя частоты и усилителя, модулятор интенсивности света, выполненный B виде диска с. двумя концентрическими рядами отверстий, расположенный между первым источником света и обоазцом, причем фотоэлемент формирователя импульсов модулирующего напряжения оптически связан с вторым источником света через отверстия диска модулятора интенсивности света, блоки измерения содержат избирательные узкополосные усилител «, настроенные на разностную частоту С= - = ь1 — а2.

1!! Г (ТДГ1() и г11

Т iИ(1;.- l,,-1, Г(()ЛО(Т) О, .:

1, .. .! 1, !

° "! (. i.:,. " и;

i!!

ТТ,".: ТЛ.

Гl 1:;, Ь

Т

1 Т 1

1"1,1 . Г i, !!.; r I !)

r . 1-"

1;ОГ111(т!.! 1, 1!1:1-.: .. !т1; ... ° и

I i Д)1((5 !.! 1, (,1 (,1,1;т .;,;; т 1: !1 „ (РОТ!1 т1 1 I rl Q 11!1111 ) 11,; .. 11 ",1 -, Т! I ! 0 BQA."ттi Q ". 1! С: 1, "I i г

MОГ1,)Лi11)1)1(. - 1С i Г ! 16 Г1 "1;-i Q,И Е 1) );, . 1-, ",; :...;;1 (т;;(!1))иi г!1 11;, .! -т1.. 3C.ТС Т . = (()i — (993774

f3

-7Ф

-+ >!

Редактор О. !Оркова

Техред M.Moðãåíòýë

Корректоp T. Малец

Заказ 4637 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул,Гагарина, 101 нию к падающему свету. Измеряя измене-"е отражения или поглощения света Л (/I на частоте Q =м1 — и (йн — а2i <<ж1, ш2, определяют физические характеристики, в частности зонную структуру, 5

Для типичных значений несгабильностей — W,1 — 10А, - -10-100 Флуктуадв1 да2 N1 и ции разнОстей чаСтОты д G Я=дВ/В1=

0,1 — 17, Нестабильность разностной частоты определяется соотношение д Q =

=д(а — cX) =д I (— — 1)со2! = и ln — ki

k оog, т.е. д Q 0 = д ар/ю2

Устройство обеспечивает повышенную чувствительность и мощность при измерении злектропоглощения и электроотражения света благодаря регистрации сигнала на разностной частоте, что позволяет избавиться от помех в виде наводок и нестабильности частоты,

Устройство для измерения электропоглощения и электроотражения света (его варианты) Устройство для измерения электропоглощения и электроотражения света (его варианты) Устройство для измерения электропоглощения и электроотражения света (его варианты) 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх