Разложением или восстановлением газообразных или испаряемых соединений кремния, кроме диоксида кремния или материала, содержащего диоксид кремния (C01B33/027)
C Химия; металлургия(326262)
C01 Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B35; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P3; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)
(20787)
C01B Неметаллические элементы; их соединения(11548)
C01B33 Кремний; его соединения (C01B21,C01B23 имеют преимущество; персиликаты C01B15/14; карбиды C01B31/36)
(1706)
C01B33/027 Разложением или восстановлением газообразных или испаряемых соединений кремния, кроме диоксида кремния или материала, содержащего диоксид кремния(15)
Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов.
Изобретение относится к области металлургии кремния и может быть использовано для получения поликристаллического кремния для фотогальваники. Способ включает восстановление кремния из паров соединений кремния с хлором или кремния с хлором и водородом при смешении этих паров с парами низших хлоридов алюминия при температуре 1000-1250°C в токе транспортирующего газа, в качестве которого используют смесь водорода с аргоном или смесь водорода с гелием, содержащую от 2 до 20 мольных частей водорода на одну мольную часть паров соединений кремния, при этом получение низших хлоридов алюминия требуемой чистоты производят из металлического алюминия чистоты 99,0-99,8% и газообразного трихлорида алюминия или хлористого водорода или хлора путем многократного повторения процесса возгонки и разложения образующихся низших хлоридов алюминия, причем осажденные кристаллы кремния подвергают термической обработке при температуре выше 577°C и ниже 1400°C, а затем обрабатывают соляной кислотой и подвергают рафинирующему переплаву.
Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы // 2499081
Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру.
Способ получения кремния высокой чистоты // 2497753
Изобретение относится к производству высокочистого кремния в виде наноразмерного порошка, который может быть использован в полупроводниковой электронике и в нанотехнологиях. Способ включает синтез газообразного монооксида кремния реакцией диоксида кремния с кремнием и последующее восстановление монооксида кремния до свободного кремния, при этом синтез газообразного монооксида кремния проводят при температуре ниже точки плавления кремния, газообразный монооксид кремния конденсируют при температуре 400-600°C, а восстановление монооксида кремния до свободного кремния проводят путем отжига при температуре 950-1200°C в течение 2-3 часов с последующим выделением наночастиц кремния.
Повышение производительности осаждения поликремния в реакторе химического осаждения из паровой фазы // 2442844
Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы. .
Изобретение относится к получению поликристаллического кремния газофазным осаждением на нагретые подложки и может быть использовано для производства полупроводниковых материалов, солнечных элементов и в микроэлектронике.
Изобретение относится к реактору высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния, который содержит трубу реактора, оболочку реактора, окружающую трубу реактора, внутреннюю зону, образованную внутри трубы реактора, и внешнюю зону, образованную между оболочкой реактора и трубой реактора.
Способ получения кремния // 2368568
Изобретение относится к области получения кремния и может быть использовано в производстве кремния полупроводниковой или электронной чистоты. .
Изобретение относится к химической и электронной промышленности и может использоваться при получении кремния высокой чистоты. .
Способ получения кремния высокой чистоты // 2327639
Изобретение относится к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов. .
Способ получения кремния // 2116963
Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. .
