Разложением или восстановлением газообразных или испаряемых соединений кремния, кроме диоксида кремния или материала, содержащего диоксид кремния (C01B33/027)

Отслеживание патентов класса C01B33/027
C01B33/027                     Разложением или восстановлением газообразных или испаряемых соединений кремния, кроме диоксида кремния или материала, содержащего диоксид кремния(15)

Способ и устройство для получения ультрачистого кремния // 2540644
Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов.

Способ получения кремния с использованием субхлорида алюминия // 2519460
Изобретение относится к области металлургии кремния и может быть использовано для получения поликристаллического кремния для фотогальваники.

Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы // 2499081
Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру.

Способ получения кремния высокой чистоты // 2497753
Изобретение относится к производству высокочистого кремния в виде наноразмерного порошка, который может быть использован в полупроводниковой электронике и в нанотехнологиях.

Повышение производительности осаждения поликремния в реакторе химического осаждения из паровой фазы // 2442844
Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы.

Способ получения поликристаллического кремния // 2409518
Изобретение относится к получению поликристаллического кремния газофазным осаждением на нагретые подложки и может быть использовано для производства полупроводниковых материалов, солнечных элементов и в микроэлектронике.

Реактор высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния // 2397952
Изобретение относится к реактору высокого давления с псевдоожиженным слоем для получения гранулированного поликристаллического кремния, который содержит трубу реактора, оболочку реактора, окружающую трубу реактора, внутреннюю зону, образованную внутри трубы реактора, и внешнюю зону, образованную между оболочкой реактора и трубой реактора.
Способ получения поликристаллического кремния из силанов // 2357795
Изобретение относится к области получения кремния и может быть использовано в производстве кремния полупроводниковой или электронной чистоты.

Способ и устройство получения чистого кремния // 2337876
Изобретение относится к химической и электронной промышленности и может использоваться при получении кремния высокой чистоты.

Способ получения кремния высокой чистоты // 2327639
Изобретение относится к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов.

Способ получения моноизотопного кремния // 2137710
Изобретение относится к области металлургии. .

Способ получения кремния // 2116963
Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния.
 
2548335.
Наверх