Разложением моносилана (C01B33/029)

Отслеживание патентов класса C01B33/029

Способ и установка для разложения моносилана // 2688763
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Поток газа, содержащего моносилан, подают в реактор и приводят внутри реактора в контакт с поверхностью, нагретой до температуры, превышающей 800°С.

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике // 2646070
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам.

Способ получения порошков из наночастиц карбида кремния, покрытых углеродной оболочкой // 2609160
Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу получения наноразмерных порошков карбида кремния, покрытых углеродной оболочкой.

Способ получения наноразмерных структур кремния // 2547016
Изобретение относится к технологии получения чистого наноструктурированного кремния и может быть использовано в разных областях полупроводниковой техники.

Способ и устройство для получения ультрачистого кремния // 2540644
Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов.

Способ и система для получения чистого кремния // 2503616
Изобретение может быть использовано в химической промышленности для получения высокочистого кремния. Способ включает этапы: получения трихлорсилана, получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана и термического разложения моносилана.
Способ получения кремния // 2445257
Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния.

Устройство и способ термического разложения летучих соединений элемента, выбранного из группы, включающей кремний, германий, углерод, титан, цирконий и их смеси // 2377065
Изобретение относится к термическому разложению летучих соединений, более конкретно к устройству и способу термического разложения летучих соединений элемента, выбранного из группы, включающей кремний, германий, углерод, титан, цирконий и их смеси.

Способ получения моносилана и поликристаллического кремния высокой чистоты // 2329196
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (электроника, солнечная энергетика).
 
.
Наверх