Разложением моносилана (C01B33/029)
C Химия; металлургия(326262)
C01 Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B35; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P3; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)
(20787)
C01B Неметаллические элементы; их соединения(11548)
C01B33 Кремний; его соединения (C01B21,C01B23 имеют преимущество; персиликаты C01B15/14; карбиды C01B31/36)
(1706)
C01B33/029 Разложением моносилана(7)
Изобретение относится к устройствам для реализации метода адиабатического сжатия газов и предназначено для получения нанопорошков кремния. Устройство для получения нанопорошков кремния методом адиабатического сжатия моносилана содержит цилиндрический корпус 4 с нагреваемым реакционным объемом 20, герметичной крышкой 18 и поршнем 14 реакционного объема 20 с возможностью возвратно-поступательного движения, а также каналами ввода реакционных смесей 15 и узлом подвода энергии в виде пневмоцилиндра с силовым поршнем 7, связанного штоком 28 с поршнем 14 реакционного объема 20, при этом устройство снабжено герметичным объемом 21 для сбора порошков и удаления газообразных продуктов реакции, а на силовом-разгонном пневматическом поршне 7 смонтирован внешний шток 2, позволяющий управлять скоростью и степенью сжатия реакционной смеси во время рабочего процесса.
Способ и установка для разложения моносилана // 2688763
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Поток газа, содержащего моносилан, подают в реактор и приводят внутри реактора в контакт с поверхностью, нагретой до температуры, превышающей 800°С.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам.
Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу получения наноразмерных порошков карбида кремния, покрытых углеродной оболочкой. Способ заключается в том, что смесь прекурсоров: моносилана, аргона и ацетилена, в которую ацетилен вводят в количестве 2,5-15 об.%, при начальном давлении Р0=0,105 МПа и начальной температуре Τ0=170°С подвергают термическому разложению в процессе адиабатического сжатия до образования целевого продукта.
Изобретение относится к технологии получения чистого наноструктурированного кремния и может быть использовано в разных областях полупроводниковой техники. Наноразмерные структуры кремния получают термическим разложением моносилана, которое проводят адиабатическим сжатием смеси 10 об.% моносилана в аргоне при начальном давлении 0,095 МПа и температуре 130°С.
Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов.
Изобретение может быть использовано в химической промышленности для получения высокочистого кремния. Способ включает этапы: получения трихлорсилана, получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана и термического разложения моносилана.
Способ получения кремния // 2445257
Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния. .
Изобретение относится к термическому разложению летучих соединений, более конкретно к устройству и способу термического разложения летучих соединений элемента, выбранного из группы, включающей кремний, германий, углерод, титан, цирконий и их смеси.
Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (электроника, солнечная энергетика).
