С использованием неионизирующего электромагнитного излучения, например оптического излучения (G01R31/308)
G01R31/308 С использованием неионизирующего электромагнитного излучения, например оптического излучения(12)
Использование: в области электротехники. Технический результат – повышение чувствительности и точности идентификации в режиме холостого хода неисправности в виде обрыва фазы системы пускового/резервного трансформатора, что повышает надежность работы системы пускового/резервного трансформатора на электростанции.
Изобретение относится к области электромагнитных испытаний для оценки соответствия крупногабаритных объектов, имеющих в своем составе протяженные кабельные линии, заданным требованиям по стойкости к воздействию электромагнитного импульса (ЭМИ) субнаносекундного временного диапазона.
Cпособ относится к области исследований радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники, в частности интегральных схем, к воздействию ионизирующих излучений. Способ оценки радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц, основанный на локальном лазерном облучении, включает сканирование кристалла микросхемы пучком лазерного излучения диаметром в пределах от 30 до 100 мкм в плоскости приборного слоя кристалла, выявление наиболее чувствительных к одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) областей, в которых определяют наиболее чувствительные узлы и снимают зависимость пороговой энергии лазерного излучения возникновения ОРЭ от диаметра пятна.
Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства (КП). В способе оценки стойкости элементов цифровой электроники к эффектам сбоев от воздействия единичных частиц КП определяется минимальное значение потока частиц, соответствующее отличному от нулевого значения сечению сбоев в области малых значений линейной передачи энергии (LET).
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей, в частности солнечных элементов. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано при контроле качества изготовления сложных электронных блоков, преимущественно с печатным монтажом. .
Изобретение относится к контролю изделий электронной техники, в частности может быть использовано для выявления микросхем (МС) со скрытыми дефектами. .
Изобретение относится к микрозондовой технике. .
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано в электровакуумной промышленности, например, при изготовлении электронно-оптических систем (ЭОС) цветных кинескопов. .