Высокомолекулярные соединения, разлагающиеся под действием света, например позитивные электронные резисты (G03F7/039)
G03F7 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей (использующие фоторезистные структуры для специальных процессов см. соответствующие подклассы, например B44C,H01L, а также рубрики, например H01L21,H05K)
(566) G03F7/039 Высокомолекулярные соединения, разлагающиеся под действием света, например позитивные электронные резисты ( G03F7/075 имеет преимущество; полихинондиазиды G03F7/023)(12) 
Изобретение относится к области микро- и нанотехнологии, в частности к применению полисахарида хитозана и его соединений в качестве резистов для электронно-лучевой литографии и фотолитографии для изготовления микро- и нано- электронных и оптических компонентов.

Изобретение относится к фоторезистивным композициям и может быть использовано в электроннолучевой литографии, в рентгеновской литографии при производстве интегральных схем с субмикронными размерами элементов.

Изобретение относится к области флексографии и касается светочувствительного слоистого пластика, предназначенного для изготовления флексографических печатных плат. Пластик состоит из опорного слоя, слоя светочувствительной смолы, инфракрасного абляционного слоя и защитной пленки.

Изобретение относится к области записи изображений. Способ заключается в том, что на стеклянной подложке формируют светочувствительный слой пленки из однослойных углеродных нанотрубок, содержащих инкапсулированные наночастицы железа.

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям, изменяющим показатель преломления, позволяющим получить новую модель распределения показателя преломления, в частности оптический материал, используемый в области оптоэлектроники и устройствах отображения информации.

Изобретение относится к радиационно-чувствительной фоторезистной композиции. .

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10).

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике. .

Изобретение относится к позитивным электронорезистам, которые используются в электроннолучевой литографии, а также в качестве рентгенорезистов в микроэлектронике при получении структур с субмикронными размерами элементов.