Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа

 

М 100124

Класс !2с, 2

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

П. Г. Поздняков

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И КРИСТАЛЛИЗАТОР

ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ЭТОГО СПОСОБА

Заявлено 15 марта 1952 г, за М Л-1383/449418 в Министерство промнннленностн средств связи

Известны способы выр;пциваиия кристаллов из растворов в условиях пополиеция истощаемого в процессе кристаллизации раствора кри тал,:;:;ческим веществом. При этом для выращивания кристаллов используется двухкамерный кристаллизатор, в од-!!ой камере которого происходит рост кристаллов, а в другой растворение кристаллизуемого вещества.

Предлагаемый способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для его выполнения позволяют повысить производительность и увеличить размеры выращпвяемых ITpltсталлов.

C1loco6 cocTotlT lз To) I, ITQ TBcP Ioc кристаллическое вещество пепрерывI1o пли периодически ьводят пепосредствепно в «ристалли;атор, поддерживая пеизмепнымп условиями роста кристаллов — — температуру, объем, состав, концентря!сию и перееьпцение раствора

В кристаллпзаторе, выполнсппом B видс сосуда с. нагревателем, уста IoBленным иа паружпой нижне)г! части днища, для введения в раствор твердого кристаллического вещестза предусмотрена трубка, пропущенная через крышку кристаллизатора.

На чертеже представлен схематический разрез кристяллпзяторя, прсдставляющего собой рсзсрьуар 1, закрытый крышкой. Ко))уснос днище кристаллизатора закан 11!B»BTc» отростком 2, с)гяружlt которого расположен электрический нагреватель о, нагреваюший раствор в отростк, до температуры, превышающей тсмпср»туру раствора в кристяллизаторе. С помощью электропягреватс.;)я и терморегулиру1оп!его устройств» (It;I чертеже Itc 1)оказ 1!1/ достигается ll поддерживается 1!уж)гая тсмперятупа) раствора I! криста„)лпзаторс Через кры!пку 1 1)п T» l, !язв!торс! Г1роходит ось 5 крист»ллопосця, которая имеет постояисюс илп рсвсрспвпос вр;пцснпс. Кристаллизуемос вс)цестВо вводится в крпсталлизатор Icpc» трубку б, проходящую сквозь крыш-!

Су.

Вводимые в криста. I»BI!Top г»стп-! th! кристаллизусмого всгцсств!1, п:1дая íà дгппще, скатываются 1!î его коппчсской повсрхпостп вниз и l!oIII!,1,àþò в отросток, I;lc происходит 1гх растворение, Оппсапный способ вbtp! I!!IIII»)I»5! к1)иста. I;IoB !I 1ср11сталл11»втор дг15 с. Г|) выпо 1псшгя устраняют ря! BIITI!! паразитических кристаллов и обеспечивают возможпость повышения ро;тя криста:tëoB зя счет увс t tt tc11115! степспи пересыщепия раствор» путсм го 1Я12-1

Отв. редактор И. В, Макаров

1106690 от 25/VII l955 г. Отакдартгиз,. Объем 0,125 .п. и. Тираж 400. Цена 25 коп.

Типография изд-ва «Московская правда», Потаповскн|1 пер., д. 3. Зак. 3431, доведения ее до критической, определяемой — . метастабпльной границей, выше которой наступает самопроизвольная кристаллизация.

Предмет изобретения

1. Способ выращивания кристаллов из растворов в условиях пополнения истошаемого в процессе кристаллизации раствора кристаллическим веществом, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения производительности и увеличения размеров выращпваемых кристаллов, твердое кристаллическое ьещество лепрерывно или периодически вводят непосредственно в кристаллизатор, поддерживая неизменными условия роста кристаллов — температуру, объем, состав, концентрацьпо и пересыщение раствора.

2. Кристаллизатор для осуществления способа по п. 1, выполненный в виде сосуда с нагревателем, установленным па наружной нижней части днища, о тл и ч а ю щи йс я тем, что через крышку кристаллизатора пропущена трубка для введения твердого кристаллического вещества в раствор.

Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к скоростному выращиваниюнию водорастворимых кристаллов, например, типа KH2PO4 (КДР)

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР
Наверх