Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа

 

№ 96229

Класс 12с, 2

21а, 10

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРОВ

И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ЭТОГО

СПОСОБА

Заявлеио 25 ссптября (95! г. за ¹ ."(-825, !46097 в Л)((иистерсгво

ПРО)(ЬШ)ЛЕIIII<)CTll Cf)C!ICTB СВЯЗИ

Г)публи«оваио в «Б)оллетеис Ii !o5ðåòc«)!5» .м ! за (958 г.

Иск\ сс1 Всп I IOc Вь! РH 1ц! IВа(I (I(. KРIIСi ас!ЛОВ, 00

I(ccTB) у KoTophlx ))ас1 ВО))имость II cc

3

СОЗДH I I I I 5(I I CO() XO, (И <)10(O 1;I H POC TH кристаллов псрссыщепия раствора

За C ICÒ Л!< ;!,!IC! 1 ПОГО Bhl lie! Pll BH I!!151

P H CT130P l I1 C.Il 51 .

1-(е.(OCT 11 OK BTOfо спо(0(3)l 3яК 110 1 ICTC5(В I ОЛ(, ITO ПО:)! СРС ПСПЯ))СИПЯ

P H C ÒÂ 0 P! I Ñ fl 5I 0 О h(- . М P H C(B O P H М С l I I >-!

Ияетс)I, II процесс Выг(ярпвяния приХолитСЯ ПРСКР)(я(<1 и Ра(п>Г, ЧЕМ

KPII(Tcl;I, !Ь! ДОСТГ(ГИ Т jOCTHTOЧПЫХ 3 !BЛ(())OI!,

Сог f;ic! Io изоорстсп и ю, указанный

I I(, \Оста Ок ) ст))я пястся тем, ITo пср(сыщепие раствора подг(ер)кивяется

И УT(. Г

ЭТО ОСЛ П(СГЛI 13!(5!С 1 (5i lil! II I!0 .!()Ill II

)<с!роЙствя, 0 0, )cllliocп кото!я)«)

:3ЯКЛ(0

IcOIIÄC!!СИТО))ОМ ПHPOB Р<1< TBOP!IÒ<., i5l (<) 0 )3 П И КО > I ГК И Д К 0 Г 0 I(O < I, (С I I C <1 T <, и котО))!>! Й !с))сЗ B>xiÎII!Лl PoB

Л(il!151 ПРЕ, (3! <1ГЯС )(ОГО СГ!ОООО(1.

Кри< 1 c!ЛЛI.ЗHI! I!Oli II hié OH !ОK << с

Г(>)3 Л!Е(Ii)! CÑKO)l К)31>пико(! Р C I I H!))KCll

3,>Ph((П (! чс))тс)кс !I(110K!!зяпь! ) . lc ð!. 3 Kp(flll!

<Л -3 г(pOXO;IIIT 13p;i fl(<1(оп(ПИС5! К()П(1 <1,1.10, (С PiKHTC,! Ь > (!!, П::!(1:i clЛ КЯ, (, I5I Гl(P! XIClll ll B<> ИП5< )3<1СТBOPH 1) СЛ,— 1HC П(ПО)(ВП)KI!OI О PciC(1000)К(! Il!! к))пст;(г(,10!3, .

1 рыли((l! ()я (к"

<3!>СМЕП f<0 KOI I (C! >C(, TO!30)! Па ПОП Р ЯСТ130OllТС, Я,;(;! Я !(ГО ()

1303 I) Illllhli1

¹ 9G229 стойник б — служит для задержания частиц нерастворешюго кристаллизусмого вещества. Вмонтированные в крыш а воронки 7 и 8 предназначены для ввода 13 ко:1дснслт твердого кристаллизуе)3!Ого вещества и р icrворптсля. (.Огласно изоорстсl!и!О, искусcTвсниое выращивание кристаллов пз рлстьоря кристяллпзуемого вещества

ОСУ!ПССТВЛЯСТСЯ ПРИ ПОМОЩИ OHIICB!Iного устройства следующим обраB0:3f.

Испаряясь из раствора, заполняющего кристаллпзяциош!ый бачок 1, рс)ст!3013итс;!ь конденси1эуQTc51 llcl ВнмrpefiIIcII поверхности крьшп(и 2 и стекл(т в кольцевой сборник б, куда через Воронку 7 вводят крпсталлизуемос вещество в твердом виде, яство))я101цесся затем В копдснс!!тс растворителя. Иенасьпцспный раствор из сборника б стскает в отстойник 6 и оттуда и бачек I, где, смешиваясь с псресыще!шым растВором, восголпяет убыль кристаллизуемого ве)цсствл по мере ростл кристаллов.

Тс!к!!м путс3(создасTc51 постоянная циркуляц!!я растворителя ьпутри кристяллизационпого устройства и поддержание пос Оя!!с В i составл раствора.

Введспис В f(plfcTcfллизсl 1 op ТВсрдого всщсствл может осуществлят.ся нспрерывно нли периодически по соответствуюецему графику.

Предлагаемый способ позволяет

Вырлщивать крупные кристаллы из малого объема раствора при постоянной тсмпсрятурс и пеизме!шом объеме и I.c ðñcûùåíèè раствора.

Предмет изобретения

1 . СПОСОО 13bip Bile f1 BI! IIH51 KpIICTB JI

l0l3 из Рл TBoPQB 0 т л и ч а 10 щ 11 Йс я тем, что, с целью обеспечения

Возможности выращивлния крупных кристаллов пз малого объема раствора, пересьпцение раствора поддср)кивают !!спзм IIIII III путем растВО!) Ill!51 BHOJ! ИМОГО В КРИСТИ IJIИЗЯTOP !

13pffo т13срдого кристлллизуемого

l3 C f f,Ð C T I 3 If В I(0 f f JI C I I C I! P O B H I I I f O M P B C ТВоритслс, пепрсрывпо циркулирующем пяд объемом раствора.

2. Устройство для осуществления спо обл по и. 1, представляющее собой кристлллизяционный бачок с гсрмети )сскп закрывающейся крышкой ll Вращающимся кристаллодери!TCЛЕМ ПЛИ МСПШЛКOII ДЛЯ ПЕРСМС)пив!1)lия рястВОря, О т л и il я ющ е е с я тем, что, с целью обеспечепия Возмож!!ОСТ1! кондспсирования испаряющегoc51 из раствора рлствоР!!Т(;!Я ll 13В(Д(.1! ПЯ В КОП ICI!CRT ИЗВНС !!3("рдого кристаллнзуемого вещества, крышка спабжс!ш охладителем и воронкой, а внутри бачка над пои" »xff0cть10 рлстворл укреплены! конl!pllTpll lifo один над другим сборник !

: Отci(3 ;f!!,к кон;1спслт(! раствори i СЛ51.

Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов
Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля

 // 353469

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике
Наверх