Способ изготовления экранов для источников света

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ

H А8ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ(ТЬЙ (21) 3338388/24-07 . (22) 10.09.81 (46) 15. 09. 83. Бюл, М 34 (72) В.В. Козик, В..А. Касаткин, Ю.В. Планкин н В.В. Серебренников (71) Томский ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного

Знамени государственный университет им. В.В. Куйбйшева (53) 621.327(088.8) (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭКРА"

HOB,ЦЛЯ ИСТОЧНИКА СВЕТА, согласно которому на прозрачную подложку пос; ледовательно наносят защитные покры1

„.Я0.„1042109 А

$(59 Н 01 К 1 32

/:.":. --.--.

1 1

/ тия из материала, инертного llo отно

ыенив к расположенному между ними покрытию, отражающему инФракрасное и пропускающему видимое излучение, и Формируют прозрачные участки в укаэанном отражающем покрытии, о тл и ч а ю шийся тем, что, с. целью упрощения технологии изготовления источников света, покрытие, отражающее инфракрасное и пропускающее видимое излучение, выполняют иэ керметного материала, à формирова.,ние прозрачных участков осуществляют вытравливанием его неметаллической части.

Ю

4ь

ЬЭ

1042109

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может найти применение при создании ламп накаливаний с покрытиями или экранами, отражающими ИК-излучение.

В производстве источников света для увеличения световой отдачи и экономии подводимой энергии используют ИК-излучение, отражающие экраны типа: защитное покрытие - отражающий металлический слой — защитное 10 покрытие. Способ изготовления таких экранов заключается в нанесении на прозрачную подложку защитного покрытия инертного к материалу следующего металлического покрытия, затем наносят верхнее защитное покрытие.

Однако так как в качестве ИК-,отражающего слоя используется сплош-, ное полупрозрачное покрытие, то эна чительная часть видимого излучения .(20-50%) не проходит, что снижает увеличение световой отдачи ламп.

Уменьшение толщины металла не обеспечивает достаточное отражение ИКизлучения, и зкономия подводимой энергии падает. Для увеличения светоотдачи ламп в 3-10 раэ необходимо создавать металлический слой в виде сетки с размером ячеек 0,1-1,5 мкм.

Известны способы изготовления экранов для источников света, согласно которым на прозрачную подложку последовательно наносят защитные покрытия иэ материала инертного по отношению к расположенному между ними покрытию, отражающему инфра". M красное и пропускающему видимое иэ" лучение, и формируют прозрачные участки в укаэанном отражающем покрытии.

Недостатком такого способа иэ- 4р готавления экранов является сложность технологии, так как формирование прозрачных участков осуществляют методом фотолитографии, который вклю. чает изготовление фотошаблонов, нанесение фоторезиста, его засветку, проявление и последующее удаление..

Кроме того, оборудование для фотоли- тографии сложное и дорогое. Такой способ реализуется на плоских подложках и практически невозможно создание экрана на сферических и цилинд рических колбах из-за значительного усложнения технологии.

Цель изобретения — упрощение технологии изготовления источников

55 света.

Для достижения поставленной цели согласно способу изготовления экранов для источников света на проэрач- . нув подложку последовательно наносят 60 защитные покрытия из материала, инертного по отношению к расположенному между ними покрытию, отражающему инфракрасное и пропускающему видимое излучение, и формируют проз« у рачные участки в укаэанном отражающем покрытии, покрытие, отражающее инфракрасное и пропускающее видимое излучение, выполняют из керметного материала, а формирование прозрачных участков осуществляют вытравливанием его неметаллической части .

В качестве керметного материала используют смесь металла и любого диэлектрического или полупроводникового материала, не взаимодействующего с металлом, входящим в состав кермета. Из металлов предпочтительнее брать металлы с высоким отражением в ИК-области и по возможности прозрачными в .видимой области спектра, например, Au, Ag, Cu, Cr, At, Os, Pt, gn, Rh . Соотношение диэлектрического..(или полупроводникового) материала и металла, входящего в кермет, берется таким, чтобы обеспечивалось пропускание 50-95% видимого излучений и отражалось 60-98% ИКИзлучения. В качестве защитного покрытия могут быть использованы оксиды, нитриды, сульфиды„ бориды, их комбинации..

Способ нанесения защитного и кврметного слоя - это общепринятые методы химического или физического формирования пленок, например, вакуумное напыление, нанесение из растворов. Способ травления диэлектрической или полупроводниковой составляющей кермета может быть мокрым— травление -в растворе электролита; или сухим — плаэмохимическое травле- ние.

Пример. На стеклянную подложку методом катодного распыления ,наносят слой оксида висмута или нитрнда алюминия толщиной 0,01-1 мкм, затем вакуумтермическим способом на-. пыляют керметный алой состава Au:NO > керметный состав 40% Аи г 60% ИО в виде спиртовой суспенэии наносят. на вольфрамовую спираль и испаряют.

Толшина керметного слоя составляет

0,01-0,5 мкм. Оксид вольфрама затем вытравливают в растворе щелочи КОН, и наносят катодным распылением верхний слой оксида висмута или нитрида алюминия толщиной 0,01-1 мкм.

Таким образом формируется сетчатый экран с диаметром ячеек 0,20,8 мкм. Причем расположение ячеек, как правило, имеет хаотический характеД. Допускается частичное перекрывание прозрачных ячеек. Предлагаемый способ легко осуществляется в цилиндрических и сферических колбах.

Технология в соответствии с изоб« ретением значительно упрощает метод получения сетчатого экрана, так как исключается трудоемкая технология фотолитографии и отжиг полученной структуры. Кроме того, данная технология дает воэможность нанесения

1042109

Составитель В. Горчанова

Редактор Т. Парфенона ТеяредТ,Фанта

««««

Закаэ 7139/54 Тирам 703 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытиИ

113035, Москва, й35, Раушская наб., д. 4/5

Корректор В. Вутяга

««««««а

«

Филиал ППП Патент, г. Узтород, ул. Проектная, 4 сетчатого Экрана на любую поверкность, водства ламп накаливания с сетчатым

Данное техническое решение способст- экраном для отражения инфракрасного нует более быстроыу освоению прона- иэЛучения.