Устройство формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

 

УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером ч€ твертого транзистора , а базы транзисторов подключены к соответствующим щинам управления, отличающееся тем, что, с целью повыщения надежности устройства, в него введен блок согласования в виде двух трансформаторов, выходные обмотки которых подключены к соответствующим индуктивным обмоткам, первый вход первого трансформатора подключен к коллектору первого транзистора, второй вход - к коллектору второго транзистора , первый вход второго трансформатора подключен к коллетору третьего транзистора , второй вход - к коллектору четвертого транзистора, средние точки входных обмоток трансформаторов подключены к первой шине постоянного напряжения, а эмиттеры транзисторов - к второй щине постоянного напряжения. I к

„„Я0„„1119080

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК з(5и G 11 С 11/14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ /

/ ),, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ /

К АBTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Я1

С0

11 (21) 3623062/18-24 (22) 27.04.83 (46) 15.10.84. Бюл. № 38 (72) Ю. А. Степанишин и В. В. Солощенко (71) Симферопольский государственный университет им. М. В. Фрунзе (53) 681.327 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР № 858100, кл. G 11 С 11/14, 1981.

2. Патент Японии № 56-45232, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1981 (прототип). (54) (57) УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ВРАЩАЮЩЕГОСЯ МАГНИТНОГО

ПОЛЯ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные . на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, а базы транзисторов подключены к соответствующим шинам управления, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введен блок согласования в виде двух трансформаторов, выходные обмотки которых подключены к соответствующим индуктивным обмоткам, первый вход первого трансформатора подключен к коллектору первого транзистора, второй вход — к коллектору второго транзистора, первый вход второго трансформатора подключен к коллетору третьего транзистора, второй вход — к коллектору четвертого транзистора, средние точки входных обмоток трансформаторов подключены к первой шине постоянного напряжения, а эмиттеры транзисторов — к второй шине постоянного напряжения.!

119080

Составитель В. Костин

Текред И. Верес Корректор О, èãîp

Тираж 574 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам Изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор А. Долинич

Заказ 7462 39

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах.

Известно устройство формирования вра5 щающегося ма гнитного поля, содержа щее ортогональные катушки индуктивности, транзисторные ключи и блоки управления ключами (1) .

Недостатками этого устройства являются сложность конструкции и низкая надежность, связанная с большим количеством сильноточных ключевых элементов.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство, содержащее ортогональные катушки индуктивности, четыре транзисторных ключа и блок управления ключами (2).

Недостаток этого устройства — неудовлетворительная надежность.

Цель изобретения — повышение надежности устройства формирования вращающегося магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство формирования вращающегося 25 магнитного поля для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, содержащее источник переменного магнитного поля, состоящий из двух индуктивных обмоток с взаимно ортогональными витками в области их перекрытия, и четыре ключа, выполненные на транзисторах, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с эмиттером четвертого транзистора, а базы транзисторов подключены к соответствующим шинам

35 управления, введен блок согласования в виде двух трансформаторов, выходные обмотки которых подключены к соответствующим индуктивным обмоткам, первый вход первого трансформатора подключен к коллектору 40 первого транзистора, второй вход — к коллектору второго транзистора, первый вход второго трансформатора подключен к коллектору третьего транзистора, второй вход— к коллектору четвертого транзистора, сред45 ние точки входных обмоток трансформаторов подключены к первой шине постоянного напряжения а эмиттеры транзисторов — к второй шине постоянного напряжения.

На чертеже показано предлагаемое устройство.

Устройство содержит блок 1 управления, шины 2 — 5 управления, транзисторы 6 — 9, трансформаторы 10 — 1!, индуктивные обмотки 12 и 13.

Устройство работает следующим образом.

Логический сигнал от блока 1 по шинам

2 — 5 поступает на входы транзисторов 6 — 9.

Фазы логических сигналов на шинах управления сдвинуты на Π— 90 — 180 — 270 .

Сигнал шины 2 открывает транзистор 6, создавая при этом импульс тока в первой половине первичной обмотки трансформатора IO. На выходной обмотке трансформатора индуктируется напряжение, вызывающее ток в обмотке 12. Разряд запасенной в обмотке энергии происходит через вторичную обмотку трансформатора IO. В результате в обмотке 12 происходит формирование импульса тока треугольной формы.

Сигнал с шины 3 открывает транзисrap 7, создавая импульс тока во второй половине первичной обмотки трансформатора 10. На выходной обмотке трансформатора индуктируется напряжение, вызывающее в обмотке 12 ток обратного направления.

Когда оба транзистора закрыты, разряд запасенной в катушке энергии происходит через вторичную обмотку трансформатора в противоположном направлении, в результате чего в обмотке 12 формируется двунаправленный ток треугольной формы.

Аналогичные процессы происходят со сдвигом по фазе на 90 во второй части устройства с обмоткой 13.

Надежность устройства существенно повышается, так как индуктивные обмотки не имеют гальванической связи с выходами ключей и источником питания, что защищает обмотки от перегрузки в случае выхода из строя любого из ключей, и позволяет защищать запоминающее устройство от помех.