Способ визуализации доменных стенок в ионно- имплантированном слое доменосодержащей пленки

 

СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОМ СЛОЕ ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКИ , основанный на воздействии иа доменосодержащуго пленку магнитным полем и поляризованным светом, отличающийся тем, что, с целью повьшения временного разрешения и точности визуализации доменньпс стенок, воздействие на доменосодержащую пленку магнитным полем осуществляют путемi .подачи импульсов магнитного поля перпендикулярно ее плоскости и через 5-100 не после подачи импульсов магнитного поля регистрируют микродомены, зарождающиеся под действием этого поля, по которым судят о наличии доменных стенок.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

151) 4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К АВТОРСКОМ У СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3753983/24-24 (22) 15,06.84 (46) 15.12.85. Бюл. У 46 (71) Институт общей физики

АН СССР (72) Н.Н.Куделькин и В.В.Рандошкин (53) .681.327.66(088.8) (56) I.Magn. and Magn Ma1;er. ч. 24, 1981, р, 328.

IEEE Trans. Magn., ч. MAG-15, В б, 1979, р. 1910. (54)(» ) СПОСОБ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В ИОННО-ИМПЛАНТИРО-.

ВАННОМ. СЛОЕ ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКИ, основанный на воздействии на

„.Я0„„1198568 А доменосодержащую пленку магнитным полем и поляризованным светом, отличающийся тем,что, с целью повышения временного разрешения и точности визуализации доменных стенок, воздействие на доменосодержащую пленку магнитным полем осуществляют путем,;подачи импульсов. магнитного поля перпендикулярно ее плоскости и через 5-100 нс после подачи импульсов магнитного поля регистрируют микродомены, зарождающиеся под действием этого поля, по которым судят о наличии доменных стенок.

11 98568

Составитель В.Рандошкин

Редактор Н,1двыдкая Техред С.Мигунова Корректор И,Муска

Заказ 7724/50 Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, %-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле продвижения заряженных стенок в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ) с ионноимйлантировацной структурой продвижения, а также при контроле состояний ЦМД в ионно-имплантированных доменосодержащих пленках.

Цель изобретенйя — повышение временного разрешения и точности визуализации доменных стенок за счет регистрации микродоменов с обратной намагниченностью, зарождающихся вблизи доменных стенок в ионно-имплантированном слое при импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки.

Способ осуществляется следующим образом.

На доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направленным перпендикулярно ее плоскости, постепенно увеличивая его температуру. Поскольку доменные стенки в ионно-имплантированном слое снижают локальное поле зародышеобразования при импульсном перемагничивании, то при некоторой критической амплитуде импульсного поля вблизи этих доменных стенок начинают зарождаться микро,домены в основном слое доменосодер- жащей пленки. Освещая пленку плоскополяризованным светом и регистрируя

16 через 5-100 нс после подачи импульса магнитного поля микродомены, виэуалиэируют доменные стенки в ионноимплантированном слое доменосодержа. щей пленки. Регистрацию микродоме15 нов, в частности, можно обеспечить с помощью эффекта Фарадея при освещении доменосодержащей пленки импульсами плоскополяризованного света длительностью 1-10 нс. Минимальное

20 время, через которое после приложения импульсов магнитного поля микродомены становятся наблюдаемыми, составляет 5 нс. Через 100 нс после его приложения область, занимаемая

25 доменами с обратной намагниченностью, становится широкой, и точность визуализации доменных стенок падает.