Криостат

 

Изобретение относится к области криогенной техники, а Т1менно к криостатам для хранения жидкого гелия Не-11 и позволяет уменьшить испарение последнего путем снижения теплопритоков в криостат. В сосуд 3 через патрубок 6 заливают жидкий гелий, после чего через патрубок 7 производят откачку паров гелия из сосуда 3 для. понижения температуры гелия. После перевода гелия в сверхтекучее (Л с

СОЮЗ СОВЕТСИИХ

СОЩИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 Р 25 D 3/10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3934071/28-13 (22) 19 ° 06.85 (46) 30.04.87. Вюл. У 16 (72) В.А.Шапошников, В.Д.Коваленко, И.И.Михайлов и А.В.Кортиков (53) 62 1.59(088.8) (56) Справочник по физико-техническим основам криогенетики./Под ред.

Малкова М.П. М.: Энергия, 1973, с. 339.

Криогенное оборудование. Каталог, И.: ЦИНТИхимнефтемаш, 1975, с. 52.

BU 1307180..-- -А4 (54) КРИОСТАТ (57) Изобретение относится к области криогенной техники, а именно к криостатам для хранения жидкого гелия

Не-II и позволяет уменьшить испарение последнего путем снижения теплопритоков в криостат. В сосуд 3 через патрубок 6 заливают жидкий гелий, после чего через патрубок 7 производят откачку паров гелия из сосуда 3 для.понижения температуры гелия. После перевода гелия в сверхтекучее

13 состояние (He-II) на стенках сосуда 3 и его горловины 4 образуется пленка

Не-II. В случае, когда внутренняя поверхность сосуда 3 и горловины 4 покрыты слоем диэлектрика 5, толщина гелиевой пленки и высота ее подъема значительно меньше, чем в отсутствии покрытия, при этом участок горловины 4 сосуда 3 между местом ее контакта с корпусом 1 и уровнем подъема гелиевой пленки увеличивается, и в

07180 результате эффективная величина термосопротивления горловины 4 повышается. Это приводит к снижению количества испаряющегося гелия и, следовательно, к увеличению продолжительности его хранения, При одинаковой скорости откачивания образовавшихся паров предлагаемый криостат позволяет достичь более низкой температуры гелия по сравнению с прототипом. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

1. Криостат, содержащий корпус с высоковакуумной изоляцией и размещенный в нем металлический сосуд для

Не-II, отличающийся тем, что, с целью уменьшения испарения

Не-II путем снижения теплопритоков, на внутреннюю поверхность сосуда нанесено покрытие из диэлектрического материала.

2. Криостат по и. 1, о т л ич а ю шийся тем, что покрытие выполнено из фторопласта.

3. Криостат по п. 1, о т л ич а ю шийся тем, что покрытие выполнено иэ бакелита.

4. Криостат по п. 1, о т л ич а ю шийся тем, что покрытие выполнено иэ эпоксидной смолы.

Тираж 476

Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к криогенной технике, а именно к криостатам для хранения жидкого гелия Не-II.

Цель изобретения — уменьшение испарения Не-II путем снижения тепло- 5 притоков в криостат.

На чертеже схематически изображен предлагаемый криостат, разрез.

Криостат содержит корпус 1 с высоковакуумной изоляцией 2, сосуд метал-1О лический 3 для жидкого гелия с горловиной 4, покрытые слоем 5 из диэлектрического материала, преимущественно из фторопласта бакелита или эпоксидной смолы, входной патрубок 6 для жидкого гелия и выходной патрубок 7 для откачивания гелиевых паров.

Принцип действия предлагаемого устройства заключается в следующем.

В сосуд 3 через патрубок 6 заливают жидкий гелий, после чего через патру. бок 7 производят откачку паров гелия иэ сосуда 3 для понижения температуры гелия. После перевода гелия в сверхтекучее состояние (Не-II) на стенках сосуда 3 и его горловины 4 образуется пленка Не-II. В случае, когда внутренняя поверхность сосуда 3 и горловина 4 IIoKpbfTbI слоем диэлектрика 5, толщина гелиевой пленки и высота ее подъема значительно меньше, чем в отсутствии покрытия, при этом участок горловины 4 сосуда 3 между местом ее контакта с корпусом 1 и уровнем подъема гелиевой пленки уве- 35 личивается, и в результате эффективная величина термосопротивления горловины 4 повышается. Различие в толBHHHIIH Заказ 1615/35 шине гелиевой пленки на поверхности стали и диэлектрика определяет коэффициент Ван-дер-Ваальсовых сил, имеющий большее значение при взаимодействии Не-II с проводником по сравнению с взаимодействием Не-II с диэлектриком.

Снижение теплопритока по горловине 4 приводит к уменьшению количества испаряющегося гелия и, следова" тельно, к увеличению продолжитель" ности его хранения в. криостате. При одинаковой скорости откачивания образовавшихся паров предлагаемый крио стат позволяет достичь температуры. гелия более низкой по сравнению с прототипом. формула и э о б р е т е н и я