Способ получения покрытия из фоторезиста

 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на фотолитографических операциях . Цель изобретения - улучшение равномерности покрытия. Фоторезист. (Ф) наносится и сушится на кремниевых подложках (П) методом центрифугирования. HoBbw в способе является то, что нанесение Ф проводят при переменной скорости вращения П, а сушку Ф провидят при скорости вращения П в 5...50 раз меньшей, чем при нанесении дозы Ф. Использование предложенных скоростей вращения П позволяет исключить лучевую разнотолщинность. 2 табл. (Л С со со 4: СО 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (5l)5 Н 0 L 2 312

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А8 ГОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР пО делАм иЗОБРетений и ОтнРытЮ

i (46) 23.10.90. Бюл, Ф 39 (21) 3861454/24-21 (22) 21.02.85 (72) И.Ю.Базанова, Н.Г,Белоус, В.М.Мацкевич, Н.С.Попова и В.А.Ярандин (53) 621.382.002(088.8) (56) Sol. State Science and Technology. 1982, чо1. i29, И 1, р,173-179. . Авторское свидетельство СССР

У 876001, кл. Н 01 L 21/312, 1980. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРУГИЯ ИЗ

ФОТОРЕЗИСТА

1 (57) Изобретение относится к области микроэлектроники и моает быть исполь»

„„5U„„1329498 А1 зовано на фотолитографических операциях. Цель изобретения — улучшение равномерности покрытия. Фоторезист.

{Ф) наносится и сушится на хремниевых подломках (П) методом центрифугирования. HoBbIM в способе является то, что нанесение Ф проводят при переменной скорости вращения П, à cymку Ф проводят при скорости вращения

П в 5...50 раэ меньшей, чем при нанесении дозы Ф. Использование предложенных скоростей вращения П позволяет исключить "лучевую" раэнотолщинность. 2 табл. °

132 ЧА .»8

Продолжение табл.2 г

Растека»»ие

0 0

350

Наименование этапа техноло

Угловое Время„с ускорение, рад/с гического про цесса

Доэирование

Подложка неподвижна

0,8

0,05

10000

Ускорение

2500

0,03

Ускорение

250

Замедление до полной остан ов-.

Наименование

> этапа техноВремя,с товая

>рость

/ми!» логического процесса

Разгон центрифуги

3500

3500

0,8

Дозирование

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть исполь-. зовано на фотолитографических операциях при изготовлении полупроводни- ковых, приборов .и интегральных микросхем.

Целью изобретения является улучшение равномерности покрытия за счет исключения лучевой радиотолщинности.

П ри м е р. Проводилось нанесение покрытия иэ фоторезиста ФП-383 на кремниевые пластиныметодом центрифугирования.Эксперимент выполнялся HB.кремниевых пластинах КДБ 20 (100) диаметром 100 мм. Перед нанесением фотореэиста пластины окислялись до толщины окисного слоя 0,75 мкм.

На первую группу пластин фотореэист»»аносш»ся согласно известному способу (прототипу) на установке нанесения фотореэиста линии "Лада (см. табл.1». г Таблица 1

На вторую группу пла» тин фоторезист наносился способом согласно изобретению. Нанесение выполнялось»a установке линии "Лада по следующим режимам (см.табл.2.).

Т а б л и ц а 2

10 Толщина фоторезистивного покрытия на пластинах составляла 1,2 мкм.

Сформированные покрытия подверга»л»»сь контролю, в процессе которого определялись внешний вид фоторезистивного покрытия на пластине, просматриваемый при косом подсвете от источника с»»аправле»»»»ым световым пучком и локальная разнотолщинность (лучистость} покрытия при контроле

20 под металлографическим микроскопом в режиме интерференционного фазового контраста по Номарски.

Визуально»»аблюдаемая радиальная

1! tl Ф лучевая разнотолщинность присуща фоторезистивным по»ср»»тия»». Нанесение фоторезиста в соответствии с изобретением обеспечивает практически зеркальную поверхность фоторезистивного покрытия без лучевой разнотолщин ности.

Микроскопический контроль показывает, что лучевая" разнотолщинность связана с образованием валиков на поверхности слоя резиста веретено55 образной формы с протяженностью (по радиусу пластин} 10-30 мм. В случае нанесения фоторезиста согласно изобретению валики отсутствуют. Заметна незначительная "рябь на поверхности фоторезиста с шагом 10-30 мкм, име»»»щая малый перепад ло высоте (объект слабоконтрастен).

Диапазон скоростей вращения при

85 су»»»ке фотореэ ис гив но го покрытия определен а основе диапазонов вязкости и наиболее исполь".уемых толщип покрытий из фоторезистов. Выход эа пределы, указанные в формуле, сказывается

»а конечной толщине формируемого по50 т крытия и привод .т к повышению лучевой разнотолщи.»»»ости.

Ф о р м у л;.:-» з о б р е г е н и я

Способ голуч ния покрытия иэ фоторезиста,включаюп»ий нанесение на поверхность подложк»» дозы фоторезиста, формирования слоя пу."ем вращения

1329498

Составитель А,Хохлов

ТехредИ.Попович Корректор Г.Решетник

Редактор Т.Юрчикова

Заказ 4356

Тираж 463 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений.и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная,4 подложки с переменной скоростью и сушку полученного слоя, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью улучшения равномерности покрытия за счет

11 исключения лучевой" разнотолщинности, нанесение дозы фоторезиста осушествляют. в процессе вращения подложки с переменной скоростью, причем сушку полученного покрытия проводят

5 при скорости вращения в 5-50 раз меньшей,, чем при нанесении дозы фоторезиста.