Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосной пленке
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЩЦ) . Целью изобретения является расширение области применения способа путем регулирования температурного диапазона статической устойчивости решетки ЦМД и плотности ее упаковки. В соответствии с предложенным способом формирование решетки ЩЦ в магнитордноосной пленке осуществляют следующим обра-, зом. Воздействуют на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения, направленными коллинеарно оси легкого намагничивания пленки, причем воздействие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем осуществляют при температуре 20 С при постоянном магнитном поле смещения,равном (0-0,5) Н, где HK - поле коллапса 3 ил., ЦМД в магнитоодноосной пленке, i табл. О) оэ 4 OS 00
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU„„1 41681 А1
t5D 4 6 11 .С 11/14
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4066126/24-24 (22) 05. 05. 86 (46) 30.09.87. Бюл. К- 36 (71) Донецкий государственный университет (72) Ю.А.Мамалуй, Ю.А.Сирюк и Г.С,Ярош (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент США У 4028685, кл. 340-174, опублик. 1979 г.
Phil. Mag., ч,27, 1973, р.586. (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕШЕТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ В МАГНИТООДНООСНОЙ ПЛЕНКЕ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминаю- щих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) . Целью иэобретения является расширение области применения способа путем регулирования температурного диапазона статической устойчивости решетки ЦМД и плотности ее упаковки. В соответствии с предложенным способом формирование решетки ЦМД в магнитоодноосной пленке осуществляют следующим обра-. зом. Воздействуют на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения, направленными коллинеарно оси легкого намагничивания пленки, причем воз-! действие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем осуществляют при температуре 20 С при постоянном магнитном поле смещения,равном (0-0,5) Н„, где Н„ — поле коллапса ЦМД в магнитоодноосной пленке, 3 ил., 1 табл.
1341681
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), Цель изобретения — расширение области применения способа путем регу:лирования температурного диапазона статической устойчивости решетки ЦМЦ 10 и плотности ее упаковки, На фиг.1 представлена полевая за.— висимость параметров решетки ЦМД." периода а и диаметра домена d пленки состава (YSmLuCa) (FeGe) 0,, сформи- )5 о рованной при 20 С импульсным магнитным полем с последующим наложением поля смещения; на фиг, 2 — то же, для решетки, сформированной при совместном воздействии поля смещения, разно- 2g го по величине, и импульсного поля; на фиг, 3 — температурно †полев ди— аграмма устойчивости решетки ДЩ в пленке того же состава.
Кривая 1 — это температурная зави- 25 симость поля коллапса Ц Щ, т,е. перехода пленки в однородно намагниченное состояние, кривые 2 и 3 — зависимости температуры распада решетки от величины ноля смещения, Кривая 2 иллюст- 30 рирует случай, когда решетка сформирована импульсным магнитным полем при
Н, = О с последующим воздействием на нее полем смещения; кривая 3 — решетка формируется суперпозицией полей смещения и импульсного.
В таблице приведены параметры и температурные интервалы устойчивости РЦЦ при формировании решетки указанньми ноздейстниями. 40
В соответствии с предложенным способом формирование решетки. ЦМД н магнитоодноосной пленке осуществляют следующим образом.
Воздействуют на магнитоодноосную 45 пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения, напранленными коллинеарно оси легкого намагничивания пленки, причем воздействие на магнитоодноосную пленку им- 5р пульсным магнитным полем осуществляо ют при 20 С при постоянном магнитном поле смещения, равном (О-О,Я Н„, где Н „ — поле коллапса Ц1Я в магнитоодноосной пленке, 55
Физическая сущность предложенного способа состоит в следующем, Векторы напряженности импульсного магнитного поля Н „ „ и магнитного поля смещения Н, коллинеарны оси легкого намагничивания магнитоодноосного материала. Если вектор Н,ч антипараллелен вектору намагниченности насыщения внутри ЦМД, то поле смещения считается положительным, если параллелен — отрицательным. Показатель плотности упаковки решетки ЦМДпараметр у = d/à (где d — диаметр домена, а — постоянная решетки), Для идеально плотноупакованной гексагональной решетки d/a - 1, т,е. предел плотности упаковки 1ООХ, В зависимости от условий формирования решетки ЦМД, т,е, последовательности приложения поля смешения, его величины и знака„ получаются решетки с разными свойствами, статически устойчивые на разных температурных интервалах, Следует строго разграничивать формирование решетки импульсным магнитным полем при Н„„ =
= О с последующим воздействием на сформированную РПД полем смещения, и формирование решетки импульсным магнитным полем н поле смещения.
Как видно из фиг. ., с ростом поло— жительного.поля смещения диаметр домена d уменьшается,,с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличивается ° Период решетки а от поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки от поля смещения показана кривой 2 на фиг.3. При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать; плотность увеличивается при Н, „ 0Ä уменьшается при Н,„ > О (фиг,!, таблица), На фиг,2 показано влияние поля смещения на. параметры решетки ЦМД пленки (УБпймба) > (Ребе) О,, сформированной при воздействии суйерйоэиции полей, С ростом величины приложенного при формировании решетки положительного поля смещения диаметр домена d уменьшается, период решетки а растет, Такая решетка без поля смещения существовать не может, С ростом величины приложенного при формировании решетки отрицательного поля смещения диаметр домена и период ре—
IHeTKH увеличиваются, а плотность остается постоянной и равной у при
Н„, = О. Эта решетка сохраняется и после снятия отрицательного псля смещения, 134! б81
Влияние поля смещения на температурный интервал устойчивости таких решеток пленки (YSmLuCa) (FeGe) 0, показано на диаграмме фиг.3. Эависимость температуры распада решетки от поля смещения представлена кривой 3. Каждый раз решетку формируют при одной и той же температуре 20 С, затем пленку нагревают. Если решетка 10 формируется импульсным полем при
Н, = О, то при нагревании пленки решетка ЦИД устойчива в температурном интервале Т = Т, — Т2. При Т
100 С решетка распадается на раз- 15 деленные страйпами блоки новой решетки. При предложенном способе формирования решетки ЦИД воздействием суперпозиции полей смещения и импульсного температурный интервал ста- 20 тической устойчивости решеток с ростом величины положительного поля смещения сначала уменьшается (кривая 3 фиг.3 и таблица), затем при Н „
= 50 Э, равном приблизительно половине поля коллапса ЦИД, температурный интервал статической устойчивости решетки максимален и достигает о
hT = 155 С. Плотность упаковки у решеток, сформированных в положитель- 30 ном поле смещения, меньше, чем у решеток, сформированных при Н = О.
Такие решетки могут существовать только в поле смещения и при снятии поля разрушаются. Так, если при Н о
= О у = 0,74 и аТ = 80 С, то при
Н,„ = + 30 Э у = 0 54 и ьТ = 54 С, приН = 50 Э у=0,45 ийТ
158 С. При формировании решетки в отрицательном поле смещения ее плот- 40 ность у такая же, как и в нулевом поле смещения, т.е. у = 0,74, и не изменяется в отрицательном поле смещения. Такая решетка ЦМД сохраняется и при выключении поля смещения. 45
Температурный интервал устойчивости решетки, сформированной в отрицательном поле смещения, растет с ростом этого поля при сохранении постоянной плотности решетки. Так, для решетки, 50 сформированной при Н щ = — 10 Э, у = 0,74 и температурный интервал устойчивости hT = 100 С, при Н„„
20 Э, соответствующем 0,2 Н, у = 0,74, а решетка устойчива практически на всем температурном интервале до температуры Кюри.
Как видно из таблицы и фиг.3 при.предложенном способе формирования решетки температурный интервал устойчивости решетки ЦМД изменяется от 0,3 до 0,92 рабочего температурного интервала пленки, а плотность решетки у — от 0,3 до 0,9.
Оптимальный интервал полей смеще— ния, используемых для воздействия на решетку, составляет 0-0,5 Н .
При дальнейшем увеличении поля происходит значительное уменьшение температурного интервала устойчивости.
Использование предложенного способа формирования решетки ЦИД позволяет регулировать температурный интервал устойчивости решетки и ее плотность, при этом решетку можно формировать при любой обусловленной необходимостью температуре, меньшей температуры Кюри Ц Щ-содержащего материала. Это позволяет с достаточной точностью задать оптимальные условия сохранения записи информации в запоминающем устройстве на ЦИД.
Формула изобретения
Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов в магнитоодноосной пленке, основанный на воздействии на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем и постоянным магнитным полем смещения, направленными коллинеарно оси легкого намагничивания магнитоодноосной пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа путем регулирования температурного диапазона статической устойчивости решетки цилиндрических магнитных доменов и плотности ее упаковки, воздействие на магнитоодноосную пленку импульсным магнитным полем о осуществляют при 20 С при постоянном магнитном поле смещения, равном (О—
0,5) Н„, где Н„ — поле коллапса цилиндрического магнитного домена в магнитоодноосной пленке, 1 341 681
Воздействие Н „, + Н нИ
Воздействие Н„„„. Т;
« дт ьТ, ЬТ„ ьТ, y=d/a
У = а
5Т
0,74
0,45
0,74 80 0,45
0,69 80 0,45
0,67 82 0,46
0,63 84 0,47
0,59 95 0,58
0,68
0,39
+ 10
0,69
0,34
+ 20
0,54
0,3
+ 30
0,49
0,3
+ 40
0,45
0,89
158
158 0,89
0,56
+ 50
0,83
148
0,44
0,52 148 0,83
+ 60
140 0,79
107 0,6
90 0,51
70 0,39
1 40
0,41
0,79
0,48
+ 70
0,6
0,38
107
0,44
+ 80
0,36
0 51
0,4
+ 90
0,39
0,32
0,34
+ 100
0,78 83 0,47
0,56
100
0,74
164
0,74
164 0,92
164 0,92
158 0,89
148 0„83 — 20
0,92
0,81
0,92
l 64.
0,74
0,85 — 30
0,89
0,74
158 — 40
0,87
0,83
148
0,74 — 50
0,9
0,78
0,74 138 0„78
138 — 60
0,92
О
П р и и е ч а н и е, Т„ = 178 С вЂ” рабочий температурный интервал пленки, 1341681
1341681
ФФО
Тгг T"Ñ
l т
-90
Составитель 10.Розенталь
Техред Л.Сердюкова Корректор А.Зимокосов
Редактор Л,Пчолинская
Заказ 4441/55
Тираж 589 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д,4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г,ужгород, ул,Проектная, 4
