Способ обработки монокристаллов кубической симметрии

 

Изобретение относится к технологии обработки монокристаллов для нужд приборостроения и позволяет повысить выход изделий с однородными физико-химическими свойствами из монокристаллов , имеющих двойниковые дег фектыо Монокристаллы кубического класса симметрии, содержащие двойники, ориентируют и разрезают по кристаллографическим плоскостям сверхструктуры , занимающим одинаковое положение в матричной и двойниковой частях монокристаллЯо При резке кристаллов кремния, выра ценных вдоль направления С1 И , выход годных приборов увеличивается на 30%, 2 табл С S

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (lI1)S С 30 В 33/00

ОПИСАНИЕ ИЗОбРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4008064/31-26 (22) 06.01.86 (46) 15.08.90. Бюл. II - 30 (71) Объединенный институт ядерных исследований (72) Г.И.Доливо-Добровольская, В.Д.Коломенский> В.П.Перелыгин и С.Г.Стеценко (53) 548.55(088.8) (56) Лвторское свидетельетво СССР

Ф 281241, кл. В 28 D 5/00, 1968.

Бонд В.Л.-Технология кристаллов.

M.: Недра, 1980, с.lál †1. (54) СПОСОБ ОБРЛБОТКИ МОНОКРИСТЛПЛОВ IC> БИЧЕСКОЙ СИММЕТРИИ

Изобретение относится к техноло- гии обработки монокристаллов для нужд приборостроения и может быть использовано в областях науки и техники, в которых производится серийное изготовление из монокристаллов р-п-переходов, фильтров, магнитных головок, оптических линз и т.д.

Целью изобретения является повышение выхода изделий с однородными физико-химическими свойствами иэ монокристаллов, имеющих двойниковые дефекты.

Пример 1. Распиливают монокристаллы кремния, удлиненные (выращенные) вдоль оси, 111), В табл,1 приведены координаты плоскостей сверхструктуры для кристаллов кубической симметрии, ориентированных в направлении .111 >> а в табл.2координаты плоскостей сверхструктуры

„„SU„„1365756 А 1

2 (57) Изобретение относится к технологии обработки монокристаллов для нужд приборостроения и позволяет поВысить Выход изделий с однородными физико-химическими свойствами из монокристаллов, имеющих двойниковые де-. фекты, Ионокристаллы кубического класса симметрии, содержащие двойники, ориентируют и разрезают по кристаллографическим плоскостям сверхструкту ры, занимающим одинаковое положение н матричной и двойниковой частях монокристалла. При резке кристаллов кремния, выращенных вдоль направления (111 ), выход годных приборов увеличивается иа 30%, 2 табл. для кристаллов кубической симметрии, ориентированных в направлении (110).

Значения углов с!> и р отсчитываются от положения плоскости (Oll), перперпендикуляр к этой грани соответствует оси Х; осью Y является перпендикуляр к плоскости (211) ось Z совпадает либо с направлением (111)(табл.l) либо с направлением (011)(табл.2), . © !! эти направления соответствуют осям выращивания промышленных монокристал.— лов.Кристаглы устанавливают на станке для юстировки и резки (4) и юстируют по отражениям от гребней, боковую грань (011) совмещают с 0 на горизонтальном лимбе, Верх и них кристалла разрезают по плоскостям (211) с коррдинатами: долгота q = 90, широта О = 19o28>, боковые стороны раз3 !365756 4

Резают по плоскостям (011) с коорди- . тами: долгота q !99 28, широта натами; долгота у 66 00,:широта

1 о

90 00, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Аналогично отъюстировывают и раз- Способ обработки монокристалло

5 в резыот кристаллы, удлиненные по оси кубической симметрии, включающий рас(011), координаты плоскостей сверх- пиливание, отличающийся стуктуры берут из табл,2. тем, что, с целью повышения выхода

Пример 2. Исходный кристалл иэделий с однородными физико-химичесгермания выращен (удлинен) по QQa IO кими свойствами из монокристаллов, (OI1) Координаты для распиловки нод- имеющих двойниковые дефекты, распибирают из табл,2. Верх и низ заготов- ливание проводят по кристаллографически разрезают по плоскостям (211) с ким плоскостям сверхструктуры, заниО координатами: долгота (= 90 GO, ши- мающим одинаковое положение в матрич О ( рота 54 44, боковые грани раэре- 15 ном монокристалле и двойниковом деэают .по плоскостям (113) с координа- фекте, 1

Таблица !

Координаты плоскостей сверхструктуры для всех кристаллов кубического класса симметрии. Ориентация матрицы по. (!11) Координаты

Символы

Номер нлоскости долгота широта

Матрица Двойник!

1 011 011

000001

2 011 011

3 111 lll

4 211 211

5 110 110

6 101 101

7 121 121 . 8 !12 112

9 113 311

1О 131 31!!

11 311 113

12 311 113

13 131 113 !

4 113, 1Ъ

180 00

270О 00

90 00

30 00

I50 00 ! 9а06

160о54

210 00

330 00

120 00

60 00

330 00

210 00

90 00

90 00

70 )2 !

9 28

35 16

35 16

61 53

61 53

29 30

29о 30

58 3!

58 31

79 58

79 58

1365756

Т а б л и ц а 2

Координаты плоскостей сверхструктуры для всех кристаллов кубического класса симметрии. Ориентировка матрицы по <011 о

Номер Символы Координаты

Матрица Двойник долгота широта

00 00 90 00

011

90 00

35 !6

54 44

60 OG

60 00

О!1

1800 ОО

270оОО

90 00

54 44

211

125 16

25 14

154 46

101

12

l 12

144 44

35 16

311

3 l!

l!5 14

64 46

340 32

199 28

244о46

295 !4

I!3! l3

13 131!

1 31

l4 l l 3

15 311

16 311

131

131

П р и м е ч а н и е: Знак "-" в символе имеет принципиальное значение для идентификации конкретной кристаллографической плоскости: так, форма с тремя одинаковымн индексами )I11 составлена восемью гранями — 111, Ills 111» 111, 1 1 1, 1 1, 1 l l 1 1 1, а форма 112 — двадцатью четырьмя, т.к„ может быть

24 перестановками индексов и минусов. Форма (123 составлена 48 гранями, т.к. есть 48 .перестановок I 123) с минусами.

l Ol1

2 Oll

3 111

4 211

5 110 б 101

7 121

8 1!2

9 113

lO 131

I I 311

12 311

73 13

73 13

3l 29

3l 29

90 00

90 00

64 46

64 46

90 00 !

90 00