Устройство для нанесения слоя фоторезиста на подложки

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых иитегральньпс схем, микросборок, устройств на поверхностных акустических волнах и т.п. Устройство для нанесения слоя фоторезиста (ф) на подложки содержит сосуд (с) 1 с герметичной крышкой 2, на которой закреплен на вьщвгасном кронштейне 8 держатель 6 с подложками 7„ Часть объема С 1 заполнена растлором Ф до уровня, соответствующего начальной высоте столба Ф h, а объем С 1, расположен1шй вьпне уровня Ф образует камеру для паров растворителя и содержит менасьпценный пар 5 растворителя Ф, Ванна 9 с Ф 10 частично погружена в Ф и удерживается в нем с помощью выталкивающей силы Реверсивный бак I1 соединен с нижней частью С 1 трубопроводом (т)12 слива с вентилем 13 и Т 14 с клапаном J5, а Т 16 с клапаном 17 соединяет его с магистралью сжатого воздуха. Растворитель Ф находится в резервуаре 21. Изобретение повышает качество нанесенного слоя Ф за счет исключения испарения растворителя Ф в процессе нанесения Ф на подложку. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. с S (Л

СООЗ СОЕЕТСНИ)!

Со).!ИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

А1!!е и) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

i)O ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (46) 15. 12. 91 Бюл. Р 46 (21) 40336 98/21 (22) 24.01,86 (72) П.П.Иягконосов (53) 621.382.002 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В I !26139, кл. Н 01 L 2)/3)2, 1983, Фильтры на поверхностных акустических волнах. Расчет, технология и применение. Под ред, Г.Иэттьюза, И.: Радио и связь. 1981 с.167-168, (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ СЛОЯ

ФОТОРЕЗИСТА ИА ПОДЛОЖКИ (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых интегральных схем, микросборок, устройств на поверхностных акустических волнах и т.п. Устройство для нанесения слоя .фотореэиста (Ф) на подложки содержит сосуд (С) ) с герметичной крышкой 2, на которой закреплен на (51)5 Н Оl 1 21/3)2, В 05 C--5(00, G 03 С )/74, выдвижнои кронштейне 8 держатель 6 с подложками 7. Часть объема С 1 заполнена раствором Ф до уровня, соответствукяцего начальной высоте столба Ф

h а обьеи С ), расположенный выше уровня Ф, образует камеру для паров растворителя и содержит ненасыщенный пар 5 растворителя Ф. Ванна 9 с Ф 10 частично погружена в Ф и удерживается в нем с помощью выталкивающей силы.

Реверсивный бак !) соединен с нижней частью С 1 трубопроводом (Т))2 слива с вентилеи 13 и Т )4 с клапаном !5, а Т )6 с клапанои 17 соединяет его с магистралью сжатого воздуха. Растворитель Ф находится в резервуаре 21.

Изобретение повышает качество нанесенного слоя Ф эа счет искюпочения испарения растворителя Ф в процессе нанесения Ф на подложку. 2 э.п. ф-лы, 2 иле

Изобретение Относится к микрозлек тропике н может быть использовано при изготОвлении полупроводниковых интегральных схем ь«икросборок уст ройстп на поверхнОстных акустических

ВОЛНак И «дпе

Цель нзобГетения — IIQBMueHHe Каче1 Гва нанесе«п«01 0 слоя фоторезистар

11а фиг 1 и 2 изображено устрОйство в двух рабочих положениях.

Устройство содержит сосуд тично закрываемый крьппкой 2 посредствои уплотнений Зу Образующий узел вьРзедекия подлОжек из ванны. Часть . 35

Объема Осуда I запОлнена жидкостью (Например раствОрителем фОтореэиста)

4 JIQ уровня. QQGYBBYcтвующего начальной высотЯ столба жидкОсти Ьр а Объем сосуда р«споцоженн««й выще уровня 2О жядкости 4, Образует камеру для паpGB растБОрите«пя и ООдержит ненась«» ценный пар 5 растворителя фоторе- зиста. Держател." 6 с подложками 7

l закреплен на крышке 2 на выдвюпиом 25 крон«птей.«е 8, пооредсYBQN которого ,может регулироваться положение держа. телй 6 в сосуде 1, Наина 9 с фоторезистОм 10 частгчиО погружена в жид кость 4 н . :Дер1«а вается на поверхнос-,3О

YH выталкивающей силоЙ, 1 еверсивный бак 11 соединен с нижней частью со суда 1 посредством трубопровода 12

Слива снабженнОГО реГулирующнй плО» щадь и Форму сливного Отверстий веч" 35 тилем 13, а также посредством трубо-. провода 14 пода уи с клапан011

- руоо ро. - Од01 1 1 0 9

HtM клапаном 17 с магистралью сжатого Газа. и содержит также клапан 4О

1В сброса избыточного давления. Со1 суд i снабжен указателем 19 уровня жидкости 4 и экраном 20, исключающим попадание жидкости 4 в ванну 9 прн пОдаче жидкОсти В сОсуд 1

Устройство содержит также резер- вуар 21 с растворителем фОтОрезиста

22 и et o насыщеннъм чаром 23, coe-.

ptIItBнный с верхней частью сосуда трубопроводом 24 снабженным клапаЬ р

И ном 25.

Устройство работает следующим образом, Реверсивный бак 11 заполняют жид-..

EGc ью 4 » IРИЦерином кОторый Обла 55 даеq низхой ле«учестью Закрывают

13 9 кла13а «ы 159 179 э

HaIIHy 9 заполняют отфильтрованным от механических пОимесей фоторезистом l0 (например, марки ФП-383) на столько, чтобы уровень фоторезнста в ванне 9 превьппал высоту погружаемьгх в него подложек 7, но при этом бы исключалось вытеснение фоторезиста

10 из ванны 9 при помещении в ванну

9 держателя 6 с подложками 7. После этого ванну 9 устанавливают на экрж

20 в сосуд I. Держатель .6 с подложками 7 закрепляют посредством кронп3тейна 8 на крьппке 2, которую уста навливают на сосуд 1. Затеи открывают клапан 15 в трубопроводе 14 клапан 17 в трубопроводе 16 подачи сжатого газа и, создавая давление в реверсивном баке II (1,5-3,0) х 10 Па, подают в сосуд 1 жидкость 4,контролируя ее уровень IIG указателю 19 уровня. При подъеме уровня жидкости 4 в сосуде 1 нанна 9 с фоторезистом 1О также поднимается и при достижении заданного уровня жидкости 4 подложки

7 полностью погружаются в фоторезист

10, После этого закрывают клапаны

15 и 17, открывают клапан 18, устанавливая в реверсивном. баке 11 давление, равное атмосферному, и герметизируют сосуд 1 прижатием крьппки 2 к.уплотнению 3. Затеи открывают клапан 25 и через трубопровод 24 из резервуара 21 подают насьпценный пар 23 растворителя фоторезиста 22 в верхнюю часть сосуда 1, расположенную вьнпе уровня жидкости 4. 3.ак как давление насьпценного пара при изменении его объема не меняется, то над уровнем жидкости 4 в сосуде I также создается давление насыщенного пара растворителя фоторезиста. После этоI"o .открывают вентиль 13 в трубопроводе 12 слива, соединяя таким образом сосуд 1 с реверсивнь«м баком 11, и производят слив жидкости 4 путем ее истеченчя через регулируемое вентилем

13 сливное отверстие в реверсивный бак ll. При этом происходит понижение уровня жидкости 4 в сосуде

Опускание ванны 9 и выведение держателя 6 с подложками 7 из фоторезиста

10, причем скорость выведения подло- . жек 7 из фоторезиста 10 равна скорости изменения уровня жидкости 4 в сосуде I и определяется начальной высотой столба жидкости 4 в сосуде 1, а также площадью поперечного сечения и формой сливного отверстия, задаваемых вентилем 13. Скорость выведения подложек пропорциональна % и умеиь1385932

11 шается по мере уменьшения количества жидкости в сосуде.

После выведения поцложек 7 из фоторезиста 10, что определяется по указателю 19 уровня жидкости, закрывают вентиль 13 в трубопроводе 12 и клапан 25 в трубопроводе 2, откры! вают крышку 2, снимают держатель 6 с подложками 7 с кронштейна 8 и поме- 1п щают его в камеру термокомпрессионной сушки, осуществляя удаление растворителя из слоя фотореэнста в среде газообразного азота под избыточным давлением. f5

Повьппение качества слоя фоторезиста достигается эа счет повьппения рав. номерности толщины слоя по площади подложки, повышения воспроизводимости слоев фоторезиста по толщине и щ снижения плотности проколов. Увеличение равномерности толщины слоя обеспечивается исключением утолщения слоя к нижней части подложки в результате выведения подложки иэ фото- 25 резиста с переменной скоростью. Повышение воспроизводимости слоев фоторезиста по толщине достнгается.исключением изменения вязкости 4оторезиста, размещенного в ванне, в процессе 30 формирования слоев, а также высокой воспроизводимостью и стабильностью режимов нанесения фоторезиста (установки начальной высоты столба жидкости, размеров и формы сливного отверстия). Повышение равномерности сушки по площади слоя и снижение плотности проколов в слое 4отореэиста достигаются в результате ксключе3у 5 77 ния испарения растворителя в процессе нанесения фотореэиста на подложку.

Формула и э о б р е т е н и я

I.Ócòðîéñòâî для нанесения слоя фоторезиста на подложки, содержащее ванну для 4отореэиста, камеру для паров растворителя фотореэиста, держатель подложек и узел выведения подложек из ванны, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью повьппения качества нанесенного слоя фоторезиста, узел выведения подложек из ванны выполнен в виде сосуда с герметичной крьппкой и со сливным отверстием регулируемого сечения в донной части, частично заполненного рабочей жидкостью, а камера для паров растворителя фоторезиста образована частью объема сосуда, находящейся над размещенной в нем жидкостью, причем ванна для фоторезиста свободно размещена в находящейся в сосуде жидкости, а держатель подложек закреплен неподвижно относительно камеры.

2, Устройство по п.1, о т л нч а ю щ е е с я тем, что оно снабжено баком для приема и подачи жидкости, находящейся в сосуде, соединенным с сосудом поСредством трубопроводов с вентилем и клапаном.

3. Устройство по пп.l и 2, о т— л и ч а ю щ е е с я тем, что оно снабжено резервуаром для паров растворителя фоторезиста, соединенным с сосудом посредством трубопровода с клапаном.

Составитель 3.Яшина

Редактор Т.Лошкарева Техред И.Иоргентал 1(орректор И.Иаксимишинец

ЮЮ«Ю @ВАМ .; Заказ 4666 ", сирая 3 . Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР но делам изобретений и открытий

113035 Иосквар Ж-35 Рауйскан иаб. д» 4/5

Производственно-полийра4йческое лреднринтие г. Ужгород, ул. Проектная, 4